Рассмотрены основные тенденции мирового развития сверхъярких светоизлучающих диодов, в соответствии с которыми светоотдача источников света в 2012 г. на основе белых светодиодов в 100 раз превысит светоотдачу ламп накаливания. Значительное внимание уделено методам получения гетероструктур для светодиодов. Проанализированы параметры белых светодиодов, светодиодных модулей и источников света, изготовляемых ведущими светотехническими фирмами.

The basic world tendencies of development highlight LEDs were considered. In accordance with world tendencies efficiency of sources of light in 2012 on the basis of white light-emitting diodes in 100 times will exceed efficiency of incandescent lamps.Considerable attention was spared to the methods of obtaining heterostructures for light-emitting diodes. The parameters of white light-emitting diodes, light-emitting modules and sources of light, made by leading lighting engineering firms, were analysed thoroughly.

Приведен аналитический обзор состояния развития и применения светоизлучающих приборов (СП). Охарактеризованы перспективные материалы для создания быстродействующих электронных приборов и оптических устройств, которые способны работать в коротковолновой области спектра. Рассмотрены современные тенденции развития СП, история их создания, области применения. Описаны принципы действия разнообразных поляризационных приборов.

Досліджено над'яскраві світлодіоди з білим і кольоровим випромінюванням, освітлювальні та світлосигнальні пристрої на їх базі.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано деградаційно-релаксаційні процеси у світлодіодах GaP, зумовлені ультразвуковою обробкою. Виявлено ефект оборотності деградаційного процесу. В основі досліджуваного явища лежить формування нестабільних дислокаційних сіток. Метод ультразвукової обробки можна застосовувати з метою виявлення мікродефектів структури у напівпровідникових приладах.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-7с108

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж16570 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Зазначено, що найбільш серйозні перспективи застосування в технології виготовлення елементів і пристроїв інтегральної оптики на кристалах ніобату та танталату літію мають методи дифузії металів, іонообмінного легування та комбіновані процеси, наприклад, TIPE. Удосконалювання перерахованих методів із метою підвищення їх відтворюваності й якості структур, що виготовляються, зв'язане з першочерговим дослідженням наступного: з'ясування стану та можливості підвищення якості порушеного шару пластин кристалів; розробка оперативних методів контролю й атестації порушеного шару; вивчення ефектів фазоутворювання в поверхневому шарі пластин у процесі легування; підвищення інтенсивності процесу легування титаном, пошуку можливостей збільшення максимальних збільшень показника заломлення світловодів; з'ясування механізму збільшення показника заломлення кристалів під час використання зазначених методів їх обробки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01

Рубрики:

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж23882 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На основании результатов исследования светотехнических характеристик излучающих диодов предложена программа математического моделирования световых приборов на основе этих светодиодов.

Запропоновано методику та одержано аналітичні вирази світлового розподілу вузько- та широконаправлених світлодіодів. Приведено математичну модель світлового приладу із світлодіодними джерелами випромінювання, розташованими на різних геометричних поверхнях.

Індекс рубрикатора НБУВ: З294-5 + З852.27

Рубрики:

Електричне освітлення. Світлотехніка

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив мікроплазмової структури, робочої напруги, температури на ультрафіолетову компоненту спектрального розподілу квантового виходу світлодіодів на основі SiC-6H і SiC-15R, що працюють у режимі електричного пробою. Виявлено закономірний зв'язок характеристик зразків із властивостями вихідних кристалів та мікроплазмовою структурою пробою. Одержані результати свідчать про можливість розширення діапазону стабільної роботи приладів в ультрафіолетову область до 250 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01 + В379.24

Рубрики:

Світлові діоди

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Отмечено, что требования по качеству функциональных поверхностей, а также возможности эффективного управления их механической обработкой в значительной степени зависят от технических средств контроля и измерения.

Відзначено, що серед набірно-модульних відеоекранів з великим розміром зображення є найбільш перспективними вироби на основі світлодіодів. Складність загальної структури відеоінформаційної системи в основному залежить від функціональної схеми управління яскравістю світлодіодів для одержання певного числа градацій яскравості. Розглянуто відеоекрани для відтворення напівтонових кольорових зображень на однорідних зсувних та паралельних багатофункціональних регістрах.

Рассмотрен один из способов повышения надежности изделий на основе светодиодов.

  Скачати повний текст