Розроблено та створено автоматизовану установку для дослідження вольт-фарадних і вольт-провідних характеристик напівпровідникових бар'єрних наноструктур. Висока чутливість, роздільна здатність і точність установки забезпечується використанням двополярного високорозрядного цифроаналогового перетворювача й усереднення результатів спостереження. Показано, що створена установка дозволяє виявити тонкі особливості електрофізичних характеристик складних поверхнево-бар'єрних наноструктур.

Розроблено та реалізовано простий метод підрахунку фотонів для застосування в автоматизованій установці дослідження спектрів фото- та електролюмінесценції напівпровідників і напівпровідникових структур. Метод засновано на програмному аналізі імпульсів струму фотоелектронного помножувача, виміряних за допомогою швидкодіючого аналого-цифрового перетворювача, та забезпечує достатньо високу чутливість без застосування нестандартизованого обладнання. Розроблене програмне забезпечення дозволяє проводити вимірювання інтенсивності одночасно за допомогою методів підрахунку фотонів і середнього струму.

Розглянуто основні вимоги до віртуальних симуляторів лабораторних робіт. Запропоновано способи відтворення експериментальних даних, що дозволяють створити високий ступінь подібності віртуальних вимірювань до роботи реального обладнання.