Викладено теоретичні відомості про фізичні основи роботи електродвигунів, фізику твердого тіла, напівпровідники і напівпровідникові прилади та елементи інтегральної схемотехніки, а також принципи роботи вимірювальних приладів. Розглянуто рух заряджених частинок в електричних і магнітних полях, що широко використовується в сучасних методах аналізу забруднення довкілля. Особливу увагу приділено роз'ясненню суті фізичних законів і свідомому їх використанню під час роботи з електричними приладами й виробничим устаткуванням автоматики та електроприводу.

Розглянуто основні поняття, явища та закони фізики, викладено результати досліджень поступального та обертального рухів, проблеми простору та часу, особливостей газів і рідин, фазової рівноваги. Наведено модельні методи, які використовуються для розв'язання задач у механіці та молекулярній фізиці. Висвітлено шляхи розвитку наукового світогляду в фізиці.

Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Установлено, что проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники.

This paper deals with finding out the causes of appearing nonlinearities of the integral circuits components. It has been shown that in the interaction with ? - quantum's recrystallization tares place in semiconductors. The recrystallized areas are among the causes which produce the signal deformation.

Методами металлографии, электронографии и электронной микроскопии исследована поверхность ионнолегированного слоя кремния и граница раздела легированной и нелегированной областей. Изучена зависимость рельефа образующихся электронно-дырочных переходов и концентрации примеси (бор) от дозы в интервале 1014 - 1018 ион?см-2. Исследовано влияние отжига при температуре 700 - 900°С на структуру легированного слоя, в значительной степени определяющего эксплуатационные характеристики кремниевых приборов.

The surface of the ion-doped silicon layer and the boundary betveen of the doped and undoped areas were investigated by the methods and equipment of the metallography, electronography and electronic microscopy. The dependence of a contour of formed electronic-hole transitions and concentration of impurity (boron) from a doze in an interval 1014...1018 ions·cm-2 is investigated. The influence of annealing at the temperature of 700...900°С on doped structure of layer, which largely defines the operating performance of silicon gears in the concrete electronic circuits, is investigated.

Розкрито суть основних понять статики: абсолютно та невільно твердого тіла, матеріальної точки, наведено теорему про три непаралельні сили, що знаходяться в рівновазі. Описано геометричний метод додавання сил, прикладених в одній точці, а також методи визначення центра ваги. Викладено основні засоби механізації вантажно-транспортних і допоміжних операцій. Наведено критерії вибору електродвигунів.

Раскрыто содержание основных понятий статики: абсолютно и несвободно твердого тела, материальной точки, приведена теорема о трех непараллельных силах, находящихся в равновесии. Описан геометрический метод сложения сил, приложенных в одной точке, а также методы определения центра веса. Изложены основные средства механизации грузо-транспортных и вспомогательных операций. Обоснованы критерии выбора электродвигателей.

Викладено історію розвитку та теоретичні засади радіоелектроніки. Подано інформацію про електромагнітні коливання, магнетизм, електронну емісію, напівпровідникові діоди, транзистори, інтегральні мікросхеми, стільниковий зв'язок, портативні комп'ютери, апаратуру пропорційного керування. Висвітлено досягнення в геодезичних вимірюваннях з використанням радіоелектронної апаратури. Розкрито сутність законів радіоелектроніки та особливості їх використання під час роботи з електричними, електронними приладами та виробничим устаткуванням автоматики.

Изложены история развития и теоретические основы радиоэлектроники. Дана информация об электромагнитных колебаниях, магнетизме, электронной эмиссии, полупроводниковых диодах, транзисторах, интегральных микросхемах, сотовой связи, портативных компьютерах, аппаратуре пропорционального управления. Освещены достижения в геодезических измерениях с использованием радиоэлектронной аппаратуры. Раскрыта сущность законов радиоэлектронники и особенности их использования при работе с электрическими, электронными приборами и производственным оборудованием автоматики.