Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)
Пошуковий запит: (<.>A=Головинський С$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
      
Категорія:    
1.

Вакуленко О. В. 
Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InVIBxDGaVIB1-xDAs/GaAs з квантовими точками / О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко, Ю. І. Мазур, Ж. М. Ванг, Г. Д. Саламо // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 9. - С. 944-952. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:
 Вплив дефектів на електропровідність  

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Вакуленко О. В. 
Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур InVB0,4DGaVB0,6DAs/GaAs з квантовими точками / О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко, І. А. Гринь, В. В. Стрільчук // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 4. - С. 384-391. - Бібліогр.: 25 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:
 Квантова теорія  

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Вакуленко О. В. 
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах InVB0,4DGaVB0,6DAs/GaAs з квантовими точками / О. В. Вакуленко, С. Л. Головинський, С. В. Кондратенко // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2011. - 9, вип. 2. - С. 343-353. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Головинський С. Л. 
Оптичні переходи і механізм фотопровідності в гетероструктурах InxGa1-xAs/GaAs та Si1-xGex/Si з наноострівцями : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.05 / С. Л. Головинський; Київ. нац. ун-т ім. Т. Шевченка. - К., 2012. - 20 c. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В371.230,022 + В379.271.42,022

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 
 Фотопровідність (внутрішній фотоефект) 

Шифр НБУВ: РА388167 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського