Визначено температурні та концентраційні межі домінування механізмів розсіювання носіїв заряду на вакансіях, коливаннях кристалічної гратки та домішці для PbTe:Sb у високотемпературному інтервалі 300 - 800 K. Встановлено характер поведінки рухливості носіїв заряду залежно від вмісту домішки (1, 1,5 і 2 ат. % Sb). Проведено порівняльний аналіз впливу різних легувальних домішок (Sb, Bi, In) фіксованого вмісту (2 ат. %) на кінетичні явища кристалічного плюмбум телуриду.

Показано, що за допомогою вибірки експериментальних залежностей коефіцієнта Зеебека від температури можна визначати ряд важливих параметрів кристала. Вивчено вплив просторового квантування на хімічний потенціал і коефіцієнт Зеебека в тонких плівках.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.26

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.1

Рубрики:

Фізика високих температур

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.271.51 + К232.4

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Термоелектричні явища

Свинець та його сплави

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив способу виготовлення зразків (режими синтезу, розміри фракцій і тиск пресування) на значення коефіцієнта термоерс як чистого n- і p-PbTe, так і легованого n-PbTe:Ni(Bi) та твердих розчинів p-PbSnTe. Встановлено кореляцію між технологічними факторами, хімічним складом і мікроструктурою та термоелектричними параметрами одержаного матеріалу.

Визначено електропровідність та термоерс для PbTe:Sb і PbTe:Bi у температурному інтервалі 77 - 800 K. Встановлено характер поведінки електропровідністі та термоерс залежно від вмісту домішки ((1, 1,5 і 2) ат. % Sb і (0,25, 0,5, 1 і 2) ат. % Bi). Проведено порівняльний аналіз впливу легуючих домішок (Sb, Bi) фіксованого вмісту (2 ат. %) на термоелектричну потужність кристалічного плюмбум телуриду.

Розраховано теплопровідність для PbTe:Sb і PbTe:Ві у температурному інтервалі 77 - 800 K. Встановлено характер поведінки теплопровідності залежно від вмісту домішки ((1, 1,5 і 2) ат. % Sb і (0,25, 0,5, 1 і 2) ат. % Ві). Проведено порівняльний аналіз впливу легуючих домішок (Sb, Bi) фіксованого вмісту (2 ат. %) на теплопровідність кристалічного плюмбум телуриду.

Надано результати дослідження термоелектричних властивостей виготовлених за допомогою металокерамічного методу зразків плюмбум телуриду, легованого сурмою. Встановлено кореляцію між технологічними факторами та термоелектричними параметрами одержаного матеріалу.

Розраховано термоелектричні коефіцієнти для PbTe:Sb і PbTe:Bi у температурному інтервалі 77 - 800 K. Встановлено характер поведінки безрозмірної термоелектричної добротності залежно від вмісту домішки (1, 1,5 і 2 ат. % Sb і 0,25, 0,5, 1 і 2 ат. % Bi). Проведено порівняльний аналіз впливу легуючих домішок (Sb, Bi) фіксованого вмісту на безрозмірну термоелектричну добротність кристалічного плюмбум телуриду.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.335-23 + Г563

Рубрики:

Тверді розчини

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.271.51

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано методи розрахунку термоелектричних параметрів. Встановлено температурні діапазони домінування розсіювання в чистих кристалах сполук IV - VI (PbS, PbSe, PbTe). Здійснено теоретичний розрахунок термоелектричних параметрів: рухливості, термоерс, питомої електропровідності, теплопровідності, термоелектричної потужності, добротності, безрозмірної добротності. Вказано на шляхи оптимізації основних термоелектричних параметрів матеріалу для їх прогнозованого використання.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223 + В379.271.51

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено розрахунок термоелектричних параметрів PbTe:Ag із використанням варіаційного принципу. Проаналізовано поведінку коефіцієнтів електропровідності, термоерс і теплопровідності від вмісту домішки. Встановлено, що домішка срібла надає p-тип провідності всім зразкам незалежно від її вмісту. Визначено оптимальний склад матеріалу для максимальної термоелектричної добротності.

Розраховано та проаналізовано значення термоелектричних параметрів кристалів халькогенідів свинцю n-типу провідності. Розглянуто ефективність термоелектричного матеріалу - безрозмірну добротність, визначено шляхи її оптимізації. Показано, що зміною технологічних факторів можна регулювати вид домінуючих меанізмів розсіювання носіїв заряду, а отже, й підвищити результуюче значення добротності матеріалу.

Проаналізовано дифрактограми зразків PbTe:Sb, що підтверджують правильність вибраних технологічних умов синтезу. Проведено розрахунок питомої електропровідності та коефіцієнта термоерс, легованого сурмою плюмбум телуриду n-PbTe:Sb. З погляду кристалоквазіхімії описано амфотерні властивості домішки стибію у плюмбум телуриді. Встановлено, що оптимальними властивостями володіють зразки з вмістом домішки 0,3 ат. % Sb за температури T = 600 K.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ