У роботі подано результати розрахунку дрейфових характеристик напівпровідникових структур на основі GaAs та Si, які були отримані з урахуванням процесів розігріву кристала струмом вільних носіїв заряду. Показано що в режимі великих струмів динаміка росту швидкості дрейфу залежить від розігріву напівпровідникової структури

В данной работе представлены результаты расчета дрейфовых характеристик полупроводниковых структур на основе GaAs и Si, полученные с учетом процессов разогрева кристалла током свободных носителей заряда. Показано, что в режиме больших токов динамика роста скорости дрейфа меняется при учете разогрева полупроводниковой структуры

In the given work the results of calculation of drift characteristics of semi-conductor structures on the basis of GaAs and Si are presented. The results are received with regard to the processes of heating of a crystal by the current of free carriersof a charge. It has been shown that in the mode of big currents, the growth of the drifting velocity depends on the heating of a semiconductor structure

Запропоновано алгоритм оцінювання параметрів нелінійних моделей на базі використання ітераційної процедури оптимізації за методом множників Лагранжа. Передбачено згладжування часових рядів даних і мінімізацію вибраного критерію оптимізацію, вектор параметрів оновлюється за допомогою квазіньютонівської процедури з використанням оберненого гесіана. Алгоритм тестовано на статистичних даних.

Розглянуто новий підхід до методу найменших модулів для побудови лінійних моделей у разі зведення багатомірної задачі до одномірної на основі методу генеральної узагальненої змінної.

Розглянуто підхід щодо аналізу та синтезу оптимальних багаторівневих схем ухвалення рішення стосовно до систем, структуру яких (чи алгоритм функціонування) подано у вигляді кореневого дерева. Запропонований підхід дозволяє оцінити якість функціонування системи розпізнавання на всіх етапах її конструювання: від вихідних алгоритмів до апаратурної реалізації на персональних комп'ютерах чи спеціалізованих автоматичних пристроях. Показано, що неоптимальні (з погляду енергетичних витрат системи на ухвалення рішення) схеми ухвалення єдиного рішення мають іншу корисну властивість - нечутливість до розподілу сигнал/шум, що робить зручним їх мікропроцесорну реалізацію. Наведено реалізацію методів та алгоритмів, запропонованих для практично важливої задачі - синтезу схеми пристрою автоматичного контролю "мертвої зони", яка попереджає водія про наявність непомітного транспортного засобу на сусідній смузі однобічного руху.

Описаны физико-математическая модель и методика численных исследований токопереноса фотоносителей в тонких пленках аморфного гидрогенизированного кремния. Приведены результаты расчетов зависимости фототока от толщины пленки.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1

Рубрики:

Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка

Шифр НБУВ: Ж69231 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В251.109.065.065

Шифр НБУВ: Ж14163 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описана разработанная технология повышения производительности земснаряда путем применения волн ударного давления в гидравлической системе размыва грунта. Рассмотрены вопросы эксплуатации гибких трубопроводов и конических струйных аппаратов.