В результаті аналітичного розгляду та чисельних розрахунків побудовано детальну теорію електрон-електронного розсіювання у двовимірних вироджених системах. Сформульовано умови та знайдено значення характерних параметрів, за яких реалізуються передбачені раніше на теорфізичному рівні специфічні двовимірні ефекти. Виявлено нові властивості індикатриси розсіювання: пучок електронів, які летять майже антипаралельно первинному пучку, та дуже вузький пучок дірок, що летять вперед.

Предложена конструкция спиновода - полупроводникового канала со стенками из разбавленного магнитного полупроводника с очень большим зеемановским расщеплением, пропускающими электроны только одной поляризации. Такие каналы могут быть источниками спин-поляризованного тока в немагнитных проводниках, создания быстродействующих переключателей направления спиновой поляризации электрического тока, передачи спиновой поляризации на большие расстояния (даже большие длины спин-флипа). Селективная прозрачность стенок приводит к новым размерным транспортным эффектам.

Предсказан эффект преобразования спинового сигнала в изменение электрического потенциала. Эффект возникает при проникновении спин-поляризованных электронов из немагнитной цепи N в намагниченную магнитную приставку M с зеемановским расщеплением электронного спектра. Благодаря тому, что M имеет повышенную плотность состояний спинов одного из направлений, проникновение спин-поляризованных электронов в M приводит к возникновению двойного электрического слоя на N - M границе и, следовательно, к скачку электрического потенциала между M и N. Предсказанный эффект можно использовать как метод непосредственного детектирования спинового сигнала в немагнитных металлах и полупроводниках, а также для решения ряда задач спинтроники в связи с легкостью управления электрическим полем токами в полупроводниках.

Показано, что в неоднородном магнитном поле вблизи системы электронов на поверхности жидкого гелия возникает разность электрических потенциалов, величина которой зависит от спинового состояния электронов.

Рассмотрены транспортные явления в системе электронов над поверхностью жидкого гелия в сильном неквантующем неоднородном магнитном поле. Показано, что при невысоких частотах приложенного к системе электрического поля, при которых за период поля успевает установиться равновесное распределение спинов вдоль проводящей поверхности, электросопротивление определяется иными процессами рассеяния носителей тока, чем в однородном случае. Спиновая неоднородность делает эффективными в отношении потери импульса электрон-электронные столкновения, и это приводит к существенным отличиям в гальваномагнитных явлениях от теории Друде - Лоренца. Указано на существование нестационарного спин-электрического эффекта в направлении, перпендикулярном приложенному электрическому полю. Обсуждена эволюция транспортных свойств после включения неоднородного магнитного поля.