З використанням трикристальної рентгенівської дифрактометрії досліджено тонкі плівки арсеніду галію. Встановлено, що для епітаксійних систем, як і для монокристалів, інтенсивність дифракції рентгенівських променів можна розділити на когерентну та дифузну складові. Комплексний аналіз характеру дифузного розсіювання (ДР) плівками GaAs, сильно легованими кремнієм, з використанням дифрактометрії високої роздільної здатності дозволив виявити в них мікродефекти різних розмірів і концентрацій, а також визначити їх тип. Уперше здійснено якісне порівняння експериментальних і розрахункових карт ізоліній ДР навколо вузлів структурного та квазізабороненого рефлексів. В окремих випадках (для перетинів просторового розподілу ДР) отримано кількісне узгодження теорії та експерименту.

Показано, що після деформації стисненням монокристалів молібдену спостерігається різке збільшення магнітної сприйнятливості, яке суттєво залежить від стану поверхні перед деформуванням. На фізичні властивості поверхневого шару суттєво впливають умови контактного тертя на межі метал - інструмент. Хімічне видалення цього шару призводить до зникнення магнітного ефекту.

By the method of double-crystal X-ray diffractometry, we have studied the influence of mechanical stresses caused by ion implantation and by grinding one of the surfaces of crystals GaAs on the redistribution of point defects in the near-surface region. The nonmonotone character of a relaxation of deformations in the system "implanted layer - matrix - polish layer", which consists in different displacement speeds of point defects in the fields of elastic deformations, is explained.

Методом комп'ютерного моделювання планарних дефектів та шляхом розв'язування рівнянь Такагі - Топена досліджено топологію екстинкційних маятникових смуг інтенсивності в трикутнику Бормана в геометрії бреггівської дифракції. У випадках тонкого та товстого шарів з плоскими межами, а також для шорсткого планарного дефекту з неоднорідно розподіленими вздовж поверхні дефектами кулонівського типу (захороненим шаром точкових дефектів, які виникають за імплантації кремнію високоенергетичними іонами) виявлено особливості дифракції РП на межі дефекту. Встановлені явища багаторазового відбиття блохівських хвиль від поверхні дефекту, каналізування енергії хвильових полів вздовж межі поділу, явище аномальної видимості дефектів, розташованих поза трикутником Бормана. Показано існування незалежних сплесків інтенсивності від меж планарного дефекту в просторовому розподілі інтенсивності дифрагованого випромінювання по поверхні кристала, що допомагає визначити положення планарних дефектів.

Ключ. слова: динамическая дифракция, квазизапрещенные отражения, нестехиометрия, кулоновские дефекты, когерентное и диффузное рассеяние, рентгеновские лучи
Індекс рубрикатора НБУВ: В346.3

Рубрики:

Оптичні явища

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: дифракция, рентгеновские лучи, квазизапрещенные отражения, маятниковые осцилляции интенсивности
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: маятниковые осцилляции интенсивности, квазизапрещенные рефлексы, дифракция рентгеновских лучей
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24-1

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Обоснованы возможность и целесообразность использования динамического рассеяния рентгеновских лучей в области длины волн непрерывного спектра, где наблюдаются явления аномальной дисперсии, для количественного анализа структурного состояния реальных кристаллов. Проанализированы результаты исследования рассеяния рентгеновских лучей совершенными кристаллами в области аномальной дисперсии, в частности, уникальной ситуации равенства нулю действительной части коэффициентов фурье-поляризуемости. Рассмотрены особенности определения статистического фактора Дебая - Валлера и коэффициента экстинкции при диффузном рассеянии рентгеновских лучей для структурных рефлексов и параметра нестехиометричности реальных бинарных кристаллов для сверхструктурных отражений при анализе зависимостей интегральной отражающей способности от толщины кристалла и длины волны (энергии). Описан комплекс неразрушающих методов определения структурных и композиционных характеристик, определяемых с высокой степенью достоверности с помощью однокристального спектрометра.

Проанализирована динамическая природа структурной чувствительности полной интегральной отражательной способности монокристаллов. Приведены результаты экспериментального исследования и установления дифракционной природы в кристаллах с дефектами. Изучено влияние нарушенного поверхностного слоя на динамическое рассеяние в данных кристаллах. Рассмотрены вопросы интегральной дифрактометрии статистически распределенных наноразмерных дефектов в упруго изогнутом монокристалле. Представлены точные аналитические решения задач рентгеновской кристаллооптики для структур с переменным градиентом деформации, результаты исследований рентгеновской дифрактометрии структурных изменений в нанопористом кремнии в условиях ионной имплантации фосфора, высокоразрешающей дифрактометрии многослойных эпитаксиальных систем, диагностики многослойных наноразмерных систем. Освещены эффекты диффузного рассеяния от дефектов в многослойных структурах с квантовой ямой (стенкой). Изложены основы динамической дифрактометрии микродефектов в слоях гетероструктуры с квантовой ямой и эффектов сегрегации и взаимодиффузии.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень дифракції Х-променів складними багатошаровими структурами (з квантовими ямами, точками) на підставі узагальнення наукових праць вітчизняних і зарубіжних учених, які займаються даною проблемою. Уперше в Україні встановлено значні можливості рентгеновської дифрактометрії в процесі дослідження напівпровідникових квантово-розмірних структур, зокрема, надгратки, одно- та багатошарових структур з квантовими точками (КТ) і ямами. Розкрито засади теорії дифракції випромінювань у структурах з КТ і дротами в одно- та багатошарових системах.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований дифракции Х-лучей сложными многослойными структурами (с квантовыми ямами, точками) на основе обобщения научных трудов отечественных и зарубежных ученых, связанных с данной проблемой. Впервые в Украине установлены значительные возможности рентгеновской дифрактометрии при исследовании полупроводниковых квантово-размерных структур, в частности, надрешетки, одно- и многослойных структур с квантовыми точками (КТ) и ямами. Раскрыты основы теории дифракции рассеяния в структурах с КТ и проволокой в одно- и многослойных системах.

Наведено результати структурного аналізу кристалічних речовин, проведеного за допомогою дифракції X-променів. Основну увагу приділено динамічній теорії дифракції в багатошаровых структурах. Описано найбільш важливі алгоритми розрахунку динамічної дифракції у випадку двох і більше сильних хвиль. Розглянуто застосування динамічної теорії для таких випадків: нерізкі межі між шарами, анізотропні спотворення структури, побудова карт оберненого простору. Проаналізовано поняття оберненего простору та його зв'язок з явищем дифракції. Розкрито проблеми визначення параметрів досліджуваної структури з експерименту.

Приведены результаты структурного анализа кристаллических веществ, проведенного при помощи дифракции X-лучей. Основное внимание уделено динамической теории дифракции в многослойных структурах. Описаны наиболее важные алгоритмы расчета динамической дифракции в случае двух и более сильных волн. Рассмотрены применения динамической теории для таких случаев: нерезкие границы между слоями, анизотропные искажения структуры, построение карт обратного простанства. Проанализированы понятие обратного пространства и его связь с явлением дифракции. Раскрыты проблемы определения параметров исследованной структуры из эксперимента.

Узагальнено одержані результати експериментальних і теоретичних досліджень реальної структури (дефектів) монополярних монокристалів, а також композиційного складу (присутності чужорідних фаз та порушення стехіометрії) в бінарних сполуках. Використано динамічне розсіяння рентгенівських променів у наближеннях товстого, тонкого та проміжного рівнів поглинання в області довжин хвиль, що характеризуються аномальною дисперсією. Обговорено неруйнівні методи визначення кількісних характеристик структурної досконалості та композиційного складу кристалів.

Проведено комплексне дослідження самоіндукованих SiGe-наноострівців на кремнієвій підкладці, сформованих за різних температур молекулярно-променевої епітаксії. У результаті досліджень з допомогою атомно-силової мікроскопії встановлено залежності щільності, об'єму та форми наноострівців від температури епітаксії. З використанням спектроскопії комбінаційно розсіюваного світла та високороздільної рентгенівської дифрактометрії визначено усереднені величини пружних деформацій та компонентного складу острівців залежно від температури їх зростання. Показано, що під час збільшення температури епітаксії значно зростає дифузія Si в острівці і, як наслідок, розширюється область стабільності пірамідальних острівців з різними об'ємами.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено поведінку інтенсивностей сателітів у короткоперіодних надгратах (НГ) GaAs-AlAs/GaAs (001) залежно від величини статичного фактора (наявності дефектів) і рівня деформації шарів НГ, а також параметра кореляції Като як для структурних, так і квазізаборонених рефлексів. Виявлено високу чутливість інтенсивності сателітів НГ до дефектів структури в субшарах, а також показано деякі особливості застосування квазізаборонених рефлексів у цих структурах.

Ключ. слова: квазизапрещенные отражения, структурный фактор, рентгеновская дифрактометрия, многослойные квантовые структуры
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж363-1с3

Рубрики:

Шаруваті матеріали

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Узагальнено результати експериментальних і теоретичних досліджень параметрів дефектної структури та композиційного складу (нестехіометрії) реальних бінарних кристалів, одержані під час аналізу інтегральних відбивних здатностей (ІВЗ), так званих, квазізаборонених відбиттів в області довжин хвиль безперервного спектра рентгенівських променів, де істотними є ефекти аномальної дисперсії. Проаналізовано товщинні й енергетичні (від довжини хвиль) залежності ІВЗ за допомогою статистичної динамічної теорії, яка не нехтує уявною частиною коефіцієнта Фур'є поляризованості в порівнянні з величиною дійсної частини цього параметра. Вперше одночасно одержано параметри структурної досконалості та величину відхилення будови кристала від стехіометричного стану, що свідчить про перевагу динамічного підходу для інтерпретації даних у порівнянні із застосуванням уявлення про можливість використання кінематичної теорії розсіювання.