Розглянуто і обгрунтовано фізичні моделі, які описують мезанізми та процеси спрямованої кристалізації в контексті їх реалізації. Увагу приділено моделі для кількісного дослідження оптимальних умов одержання досконалих кристалів моно- та полікремнію і встановлення граничних швидкостей кристалізації залежно від вхідних параметрів, зокрема, коефіцієнта дифузії компонентів, розмірів кристала та зародкової фази, температур межі поділу фаз і кристалізації, переохолодження, особливостей кривої ліквідусу. Проаналізовано моделі для розрахунку просторового розподілу (по довжині та радіусу зростаючого "сонячного" кристала) технологічних домішок, з урахуванням їх перерозподілу між розплавом і кристалом, випаровування і надходження в розплав під час розчинення матеріалу за модельованих оптимальних теплових умов одержання структурних кристалів моно- та мультикремнію. Розглянуто математичну модель, що грунтується на рівняннях Нав'є - Стокса з урахуванням особливостей методу вирощування кристалів; математичні моделі процесів тепло- і масообміну під час вирощування монокристалів методами Чохральського і спрямованої кристалізації на основі нестаціонарних рівнянь Нав'є - Стокса спільно з рівняннями переносу тепла і домішки (наближення Бусинеска); модель динаміки точкових дефектів для розрахунку дефектної структури бездислокаційних монокристалів кремнію на основі наближеного вирішення диференціальних рівнянь в часткових похідних типу Фоккера - Планка.

Індекс рубрикатора НБУВ: З42-5

Рубрики:

Дозиметрія ядерних випромінювань

Шифр НБУВ: РА439944 Пошук видання у каталогах НБУВ