Виконано молекулярно-динамічне моделювання атомних каскадів зіткнень, спричинених бомбардуючими іонами Ar з енергією 100 еВ, у кристалі Al(100) за температур від 0 до 500 К через кожні 100 К. Доведено, що з ростом температури зростає кількість переміщень атомів у бік поверхні.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.232.2-1

Рубрики:

Нікелювання металів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено бомбардування об'ємних кристалів поліетилену та пентацену іонами аргону з енергією 100 еВ за допомогою молекулярно-динамічного моделювання із використанням багаточастинкового потенціалу для ковалентних зв'язків. Використано мішені з поліетилену з наявністю та без загнутих ланцюжків на поверхні. Визначено кількість, різновиди та моменти вильоту розпилених молекул. Одержано кутові розподіли розпилених молекул і зворотнорозсіяних іонів. Обговорено зміни в атомічній структурі мішеней.

Досліджено питання молекулярно-динамічного (МД) моделювання атомних переміщень у каскадах зіткнень, а також утворення вакансій, міжвузлових і радіаційно-адсорбованих атомів в однокомпонентних Al, Ni, Cu та двошарових кристалах Al/Ni і Ni/Al, що описуються багаточастинковими атомними потенціалами у разі бомбардування іонами Ar і Xe з енергіями 15 - 100 еВ за температур 0 К - 750 К. Розглянуто можливість використання стабільного і квазістабільного МД методів для розрахунків параметрів моделей іонного перемішування (ІП) та радіаційно-прискореної дифузії (РПД): коефіцієнтів розпилення та ІП, середньої швидкості дрейфу атомів віддачі, розподілу генерації вакансій і міжвузлових атомів за глибиною кристала. Розраховано пошарові профілі концентрації псевдомаркера (ІП і РПД) у Cu та Ni, а також маркера з низькою концентрацією Al в Ni (ІП).

Плівки диборидів перехідних металів широко застосовуються в якості захисних, зносостійких покриттів на інструментах для металообробки. Запропоновано дифузійно-подібну модель формування стовпчастої структури в покриттях на основі дибориду гафнію. Проведено розрахунки впливу зовнішніх параметрів на зростання текстурованої плівки. Одержані дані узгоджуються з експериментальними.

Увагу присвячено розгляду переміщень атомів, утворенню вакансій, радіаційно-адсорбованих і міжвузлових атомів у каскадах зіткнень, що ініціюються в одно- та двокомпонентному кристалічному тілі при взаємодії поверхні з низькоенергетичними (~ 100 еВ) іонами інертних газів при різних температурах. Зауважено, що атомні каскади моделювалися методом класичної молекулярної динаміки. Статистики переміщень атомів і розподіли точкових дефектів по глибині кристала після загасання каскадів частково використовувалися, відповідно, для розв'язання рівнянь іонного перемішування та радіаційно-прискореної дифузії.