Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Корсунська Н$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 11 Представлено документи з 1 до 11 |
|||||
| 1. | Корсунська Н. О. Процеси деградації синьо-зелених лазерних діодів на основі сполук Asub2/subBsub6/sub / Н. О. Корсунська, Л. В. Борковська, Б. Р. Джумаєв // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1999. - Вып. 34. - С. 15-29. - Бібліогр.: 48 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Борковська Л. В. Дослідження дифузії домішок в кристалах CdS у різних кристалографічних напрямках / Л. В. Борковська, Н. О. Корсунська, І. В. Маркевич, Л. Ю. Хоменкова // Укр. фіз. журн. - 2002. - 47, № 5. - С. 477-481. - Бібліогр.: 21 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Борковська Л. В. Вплив біомолекул на люмінесценцію дефектів в квантових точках CdSe/ZnS / Л. В. Борковська, Л. П. Гермаш, Н. О. Корсунська, Е. Ю. Печерська // Укр. фіз. журн. - 2008. - 53, № 10. - С. 1006-1010. - Бібліогр.: 13 назв. - укp. Досліджено вплив приєднання біомолекул на спектри фотолюмінесценції квантових точок (КТ) CdSe/ZnS, зокрема, на смуги, пов'язані з дефектами у КТ або на їх поверхні. Показано, що спектр випромінювання дефектів складається з двох смуг, одну з яких можна приписати рекомбінації електронів із рівня КТ на рівень вакансії Cd, а іншу - рекомбінації носіїв через донорно-акцепторні пари. Встановлено, що приєднання до КТ біомолекул призводить не лише до зсуву смуги, зумовленої рекомбінацією екситонів у КТ, в короткохвильову область спектра, але й до збільшення внеску випромінювання дефектів у спектр люмінесценції. Показано, що внесок різних дефектів зростає по-різному. Зміни в спектрі випромінювання дефектів пояснено збільшенням концентрації відповідних центрів випромінювальної рекомбінації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Печерська К. Ю. Вплив відпалів на люмінесцентні характеристики квантових точок CdSe в полімері / К. Ю. Печерська, Л. П. Гермаш, Н. О. Корсунська, Т. Р. Стара, В. О. Бондаренко, Л. В. Борковська, О. Л. Строюк, О. Є. Раєвська // Укр. фіз. журн. - 2010. - 55, № 4. - С. 405-411. - Бібліогр.: 30 назв. - укp. Досліджено вплив низькотемпературних відпалів в інтервалі 350 - 480 K на повітрі на люмінесцентні характеристики квантових точок CdSe, вміщених у матрицю з желатину або полівінілового спирту. Показано, що спектри фотолюмінесценції (ФЛ) обох типів плівок є подібними і складаються з двох смуг, пов'язаних із рекомбінацією носіїв через рівні поверхневих дефектів. Виявлено, що термічний відпал протягом 10 хв в інтервалі 350 - 480 K призводить до зростання інтенсивності люмінесценції та зсуву максимумів смуг ФЛ у низькоенергетичний бік спектра. За довготривалого (більше 1 год) відпалу спостерігається зменшення інтенсивності ФЛ. Всі ефекти релаксують з часом у разі витримування зразків за кімнатної температури на повітрі та відновлюються після повторного відпалу. Запропоновано, що причиною низькоенергетичного зсуву максимумів смуг ФЛ є збільшення густини поверхневих дефектів, які діють як центри випромінювальної рекомбінації і утворюються внаслідок розриву зв'язків поверхневих атомів кадмію з функціональними групами молекул желатину. В той же час причиною зростання інтенсивності ФЛ може бути збільшення висоти потенціального бар'єра для звільнення носіїв із рівнів квантових точок і переходу їх на центри безвипромінювальної рекомбінації. Іншою причиною зростання інтенсивності ФЛ може бути зменшення концентрації центрів безвипромінювальної рекомбінації. Причину зменшення інтенсивності ФЛ у разі довготривалого відпалу поки що не з'ясовано. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Борковська Л. В. Деградація люмінесцентних характеристик гетероструктур CdZnSe/ZnSe із квантовими ямами під дією опромінення $E bold gamma-квантами / Л. В. Борковська, Н. О. Корсунська, В. І. Кушніренко, Є. Ф. Венгер // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 12. - С. 1235-1241. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Корсунська Н. О. Кореляція між фотолюмінесцентними та фотоелектричними властивостями ZnO, легованого Mn / Н. О. Корсунська, І. В. Маркевич, Т. Р. Стара, Л. В. Борковська, С. Лаворик, Л. Ю. Мельничук, О. В. Мельничук // Укр. фіз. журн.. - 2018. - 63, № 7. - С. 658-662. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Мельничук О. В. Оптичні та електричні властивості Tb - ZnO/SiOVB2D в ІЧ-області спектра / О. В. Мельничук, Л. Ю. Мельничук, Н. О. Корсунська, Л. Ю. Хоменкова, Є. Ф. Венгер // Укр. фіз. журн.. - 2019. - 64, № 5. - С. 431-438. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Структурні, оптичні та електрон-фононні властивості легованих широкозонних оксидів : [колект. монографія] / Н. О. Корсунська, І. В. Маркевич, Л. В. Борковська, Л. Ю. Хоменкова, Є. Ф. Венгер, Л. Ю. Мельничук, О. В. Мельничук. - Ніжин : Вид-во НДУ ім. М. Гоголя, 2018. - 159 c. - Бібліогр.: с. 139-155 - укp.
Шифр НБУВ: ВС65232 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Корсунська Н. О. Вплив термічно та радіаційно стимульованих процесів дифузії на властивості матеріалів мікроелектроніки та приладів на їх основі : монографія / Н. О. Корсунська, І. В. Маркевич, Л. В. Борковська, Л. Ю. Хоменкова, Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов, Є. Ф. Венгер, Л. Ю. Мельничук, О. В. Мельничук; Ніжин. держ. ун-т ім. М. Гоголя. - Ніжин, 2019. - 210 c. - Бібліогр.: с. 187-206 - укp. Наведено результати досліджень трансформації структурних, оптичних, електричних та люмінесцентних властивостей напівпровідникових та діелектричних матеріалів внаслідок термічної, ультразвукової та радіаційної обробки. Описано методи виготовлення матеріалів, процеси термічної дифузії домішок та власних дефектів, їх дифузії під дією світла, дрейфу дефектів в електричному полі, взаємодії об'ємних дефектів. Розглянуто питання утворення різного типу радіаційних дефектів, процеси фазово-структурних перетворень в різних сполуках та їх твердих розчинах. Розкрито вплив цих процесів на стабільність роботи приладів на основі таких матеріалів та визначено чинники, що відповідають за процеси деградації приладів. Індекс рубрикатора НБУВ: З85-03 + В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: ВС66217 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Мельничук О. В. Оптичні та електричні властивості Tb - ZnO/SiOVB2D в ІЧ-області спектра / О. В. Мельничук, Л. Ю. Мельничук, Н. О. Корсунська, Л. Ю. Хоменкова, Є. Ф. Венгер // Укр. фіз. журн.. - 2019. - 64, № 5. - С. 431-438. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Мельничук О. В. Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC / О. В. Мельничук, Л. Ю. Мельничук, Н. О. Корсунська, Л. Ю. Хоменкова, Є. Ф. Венгер, І. В. Венгер // Укр. фіз. журн. - 2020. - 65, № 2. - С. 160-171. - Бібліогр.: 43 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського