Предложена новая технология создания кремниевых торцевых фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) методом ЗПГТ, в котором градиент температуры создается световым нагревом на установке "Уран". КПД ФЭП, изготовленных данным методом, составляет около 11 % без использования просветляющих и антиотражающих покрытий. Показана целесообразность изучения антиотражающих покрытий для планарных ФЭП на основе гетероструктур AlGaAs - GaAs. В качестве основного направления повышения эффективности таких ФЭП предложено использовать квантовые точки узкозонных материалов, размещенные в матрице широкозонного материала вблизи границы p - n-перехода.

Ключ. слова: подложка GaSb, предэпитаксиальная обработка, химическое травление, жидкофазная эпитаксия.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены процессы тепломассопереноса, происходящие при эпитаксии структур методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава с учетом слоя технологического газа между подложкой и теплопоглотителем. Получены зависимости времени появления и величины максимума переохлаждения на фронте кристаллизации от технологических параметров процесса. Показано, что область оптимального применения данного метода - субмикронные слои толщиной менее 100 - 200 нм.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854-03 + В379.251.4,022

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Кристалізація

Шифр НБУВ: РА307200 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследована возможность получения квантовых точек второго типа InSb в матрице GaSb с помощью метода импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава. На основании модели тепломассопереноса разработаны технологические режимы процессов выращивания. Исследование спектров фотолюминесценции позволило предположить форму и размеры квантовых точек.

Максимальне надходження сонячної енергії на поверхню приймачів при їх розміщенні паралельними рядами забезпечується мінімізацією затінення одного ряду іншим. Існуючі методики розрахунку надходження сонячної радіації до приймачів в умовах затінення рядами не дають універсальної відповіді на питання щодо оптимального взаєморозташування рядів сонцесприймальних поверхонь і потребують залучення даних щодо умов сонячної інсоляції для конкретної місцевості. Оскільки методики, що базуються на розрахунку абсолютних показників з надходження енергії до поля приймачів, потребують, окрім енергетичних, додаткових критеріїв оптимізації, то варто орієнтуватися на показники з надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні, яка затінюється. Мета роботи - розрахунок надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні частково затіненого ряду та визначення оптимальних параметрів розміщення приймачів паралельними рядами для кліматичних умов півдня України. Представлено методику розрахунку надходження сонячної енергії на частково затінені ряди, що враховує пряму, дифузну, відбиту сонячну радіацію від підстилаючої поверхні та нахиленої поверхні приймачів. Для кліматичних умов м. Херсона отримано вирази, що дозволяють в зручний спосіб без проведення громіздких розрахунків визначити річну питому енергію, яка надходить на одиницю площі затіненого ряду при заданому куті нахилу поверхні та відстані між рядами. Показано, що в якості оптимального кута положення, який визначає відстань між рядами приймачів, доцільно прийняти кут висоти Сонця у сонячний полудень 21 грудня. Визначено оптимальний кут нахилу поверхні приймачів, що забезпечує максимальне річне надходження сонячної радіації на одиницю площі сонцесприймальної поверхні затіненого ряду. Розраховано параметри розміщення приймачів паралельними рядами для інших міст івдня України та визначено середні значення оптимальних кутів положення та нахилу сонцесприймальної поверхні.