Ключ. слова: интегральные схемы, резистивные пленки, дисперсность компонентов.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395-06

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Поверхностно-барьерные структуры использованы в качестве фотоприемника с инжекционным усилением. Исследованы спектры фоточувствительности диодов на основе кремния, компенсированного золотом. Обсуждается вклад различных энергетических уровней в инжекционное усиление. Наибольшее усиление приходится для длин волн l=1,25 - 1,75 мкм и может достигать 10 мкм и более. Инжекционное усиление в данном случае связано с ростом биполярной дрейфовой подвижности носителей тока при освещении.

Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Установлено, что совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.

The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase.

Наведено результати науково-дослідних робіт з проблем оптичних систем зв'язку, зокрема, джерел випромінювання, волоконно-оптичних ліній зв'язку та фотоприймачів. Увагу приділено сучасній базі оптоелектронних телекомуніаційних систем, проблемам створення нового класу матеріалів, елементів і систем оптоелектроніки для зв'язку. Обгрунтовано фізичні, технологічні та конструкторські основи подальшого розвитку нових напрямів сучасної наноелектроніки, зокрема нанорозмірної оптоелектроніки.

Приведены результаты научно-исследовательских робот по проблемам оптических систем связи, в частности, источников излучения, волоконно-оптических линий связи и фотоприемников. Уделено внимание современной базе оптоэлектронных телекоммуникационных систем, проблемам создания нового класса материалов, елементов и систем оптоэлектроники для связи. Обоснованы физические, технологические и конструкторские основы дальнейшего развития новых направлений современной наноэлектроники, в частности наноразмерной оптоэлектроники.

Розглянуто проблеми дослідження та розробки сучасних високоефективних мікро- та нанотехнологій матеріалів, елементів, приладів оптоелектроніки й оптичних систем обробки та транспортування інформації. Розкрито наукові, технічні та виробничі аспекти сучасних джерел випромінювання, оптичного волокна, фотоприймачів, а також комунікаційних систем на їх основі. Запропоновано нові матеріали з обмеженою розмірністю, оптоелектронні елементи, пристрої та системи зв'язку на їх основі. Висвітлено фізико-технологічні основи нових напрямків сучасної наноелектроніки, зокрема квантово-обмеженої оптоелектроніки.

Рассмотрены проблемы исследования и разработки современных высокоэффективных микро- и нанотехнологий материалов, элементов, приборов оптоэлектроники и оптических систем обработки и транспортировки информации. Раскрыты научные, технические и производственные аспекты современных источников излучения, оптического волокна, фотоприемников, а также коммуникационных систем на их основе. Предложены новые материалы с ограниченной размерностью, оптоэлектронные элементы, устройства и системы связи на их основе. Освещены физико-технологические основы новых направлений современной наноэлектроники, в частности квантово-ограниченной оптоэлектроники.

Исследованы характеристики преобразователя света с частотным выходом на основе однопереходного транзистора. Для достижения линейности зависимости частоты от светового потока и повышения фоточувствительности в цепи эмиттера вместо фоторезистора использован полевой транзистор. Расширение спектра фоточувствительности в инфракрасную область можно достигнуть, если база полевого фототранзистора содержит примеси, создающие глубокие уровни в запрещенной зоне кремния.

Разработана схема датчика температуры на основе генератора на однопереходном транзисторе с двумя токозадающими полевыми транзисторами, частота генерации которого линейно растет с увеличением температуры. Экспериментально исследовано воздействие радиации на его работоспособность.

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-53

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж70260 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л43-101

Рубрики:

Скло і скловироби

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.206.33 + В372.4 + В377

Рубрики:

Аморфний (склоподібний) стан твердого тіла

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3

Рубрики:

Карбід кремнію (карборунд)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены механизмы изменения параметров компонентов ВОЛС при радиационном воздействии. Влияние радиации на элементы ВОЛС проявляется в уменьшении интенсивности света, излучаемого светодиодом, а также в снижении чувствительности фотоприемника, принимающего световой сигнал.

Розглянуто можливість використання польових транзисторів у мостових датчиках магнітного поля, температури та світла. Показано, що максимальна чутливість досягається в мостових схемах датчиків, де в якості всіх чотирьох елементів в плечах моста використовуються польові транзистори, причому в одній парі транзисторів струм збільшується зі зростанням вимірюваної величини, а в іншій - зменшується.

Рассмотрен принцип действия аналогового преобразователя света на основе генератора на однопереходном транзисторе с токозадающим элементом и конденсатором в эмиттерной цепи. Выходным параметром является частота генерации как функция интенсивности света. Максимальная чувствительность достигается, когда в качестве токозадающего элемента используется биполярный фототранзистор, а емкость конденсатора снижается с уменьшением напряжения.

Исследована возможность повышения радиационной устойчивости кремниевых эпитаксиальных слоев за счет создания стоков радиационных дефектов в виде дислокационных сеток плотностью 10{\up\fs8 9} - 10{\up\fs8 12} м{\up\fs8 –2}. Такие сетки создаются перед нанесением эпитаксиального слоя на фронтальной поверхности кремниевой подложки путем предварительного ее окисления и последующего стравливания слоя оксида. Показано, что в структурах, содержащих дислокационные сетки, в результате облучения уменьшаются в 5 - 8 раз обратные токи и в 5 -10 раз плотность дефектов, а подвижность носителей заряда увеличивается в 1,2 раза. Выход годных для работы в условиях радиационного воздействия полупроводниковых структур, сформированных в оптимальном режиме, увеличивается на 7 - 10 % в партии по сравнению со структурами без дислокационных сеток. Полученные результаты могут быть использованы в технологии изготовления радиационно стойких интегральных схем (биполярных, КМОП, Би-КМОП и др.).

Досліджено можливість підвищення радіаційної стійкості кремнієвих епітаксійних шарів за рахунок створення стоків радіаційних дефектів у вигляді дислокаційних сіток щільністю 10{\up\fs8 9} - 10{\up\fs8 12} м{\up\fs8 –2}. Такі сітки створюються на фронтальній поверхні кремнієвої підкладки перед нанесенням епітаксіального шару шляхом попереднього її окислення та подальшого стравлювання шару оксиду. Показано, що в структурах з дислокаційними сітками після опромінення зменшуються в 5 - 8 разів зворотні струми та в 5 - 10 разів щільність дефектів, а рухливість носіїв заряду збільшується в 1,2 раза. Вихід придатних для роботи в умовах радіаційного впливу напівпровідникових структур, сформованих в оптимальному режимі, збільшується на 7 - 10 % в партії у порівнянні зі структурами без дислокаційних сіток. Одержані результати можуть бути використані в технології виготовлення радіаційно стійких інтегральних схем (біполярних, КМОП, Бі-КМОП та ін.).

The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by cre¬ating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 10{\up\fs8 9} - 10{\up\fs8 12} m{\up\fs8 –2}. Such networks are created before the epitaxial layer is applied on the front surface of the silicon substrate by its preliminary oxidation and subsequent etching of the oxide layer. The substrates were silicon wafers KEF-4.5 and KDB-10 with a diameter of about 40 mm, grown by the Czochralski method. Irradiation of the samples was carried out using electron linear accelerator "Electronics" (ЭЛУ-4). Energy of the particles was 2,3 - 3,0 MeV, radiation dose 10{\up\fs8 15} - 10{\up\fs8 20} m{\up\fs8 –2}, electron beam current 2 mA/m{\up\fs8 2}. It is shown that in structures containing dislocation networks, irradiation results in reduction of the reverse currents by 5 - 8 times and of the density of defects by 5 - 10 times, while the mobility of the charge carriers is increased by 1,2 times. Wafer yield for operation under radiation exposure, when the semiconductor structures are formed in the optimal mode, is increased by 7 - 10 % compared to the structures without dislocation networks. The results obtained can be used in manu¬facturing technology for radiation-resistant integrated circuits (bipolar, CMOS, BiCMOS, etc.).

Исследовано влияние эффективной концентрации примеси, задающей тип проводимости базовой области и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. В качестве термочувствительного параметра биполярного транзистора выбрано прямое падение напряжения на эмиттерном переходе. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения - потоков электронов, нейтронов и под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на два порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра (падения напряжения на прямосмещенном эмиттерном p-n-переходе), что повышает процент выхода годных приборов.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л428.85

Рубрики:

Кермети

Шифр НБУВ: Ж70260 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние концентрации примеси, задающей тип проводимости канала на радиационную стойкость детекторов на основе полевых транзисторов. Измерены зависимости тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом от величины потоков электронов, нейтронов и gamma-квантов. Получено, что деградация тока насыщения стока транзисторов с управляющим p-n-переходом под воздействием нейтронов начинается при потоках почти на два порядка меньших, чем под воздействием электронов. Облучение приводит не только к возрастанию термочувствительности детекторов в 2 - 5 раз, но и к уменьшению разброса ее значений среди различных образцов. Деградация характеристик полевых МДП-транзисторов со встроенным каналом начинается при потоках облучения на два порядка меньших, чем деградация транзисторов с управляющим p-n-переходом. Воздействие малыми дозами gamma-квантов не уменьшает разброс параметров МДП-транзисторов, а gamma-облучение значительными экспозиционными дозами приводит к улучшению воспроизводимости тока насыщения стока и термочувствительности полевых МДП-транзисторов.