Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано дослідження дислокаційної електролюмінесценції монокристалів кремнію p-типу з високою концентрацією дислокацій на поверхні (111). З'ясовано впливи високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню на спектри люмінесценції та ємнісно-модуляційні спектри зразків. З аналізу результатів встановлено природу центрів рекомбінації та їх перебудову за високотемпературного відпалу. Показано, що осадження плівки Al на підкладку p-Si призводить до формування деформаційного потенціалу і, як наслідок, локалізації у приповерхневому шарі дефектів з об'єму кристалу, що відповідають центрам свічення.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27 + З843.3

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Встановлено природу дислокаційної люмінесценції світловипромінювальних структур на основі р-Sі. Досліджено перебудову дефектної підсистеми приповерхневого шару цих структур за дії локальної та зовнішньої пружних деформацій, пластичної деформації, та високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню. Наведено механізми виготовлення й обробки кристалів кремнію в результаті яких досягається висока випромінювальна ефективність світловипромінювальних структур. Показано, що локальна деформація приповерхневого шару кремнію, яка утворюється в результаті невідповідності параметрів гратки матриці та напиленої плівки, здатна гетерувати дефекти та домішки винесені з об'єму кристалу до поверхні дислокаціями. Такі дефекти в сукупності з дислокаціями утворюють складні комплекси, які, в свою чергу, можуть впливати на рекомбінаційні процеси у приповерхневому шарі напівпровідника. Початкова стадія високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню, тривалістю до 1 год., приводить до зростання концентрації безвипромінювальних центрів рекомбінації. Збільшення часу відпалу супроводжується перерозподілом між без- та випромінювальними переходами на користь останніх. Також даний тип обробки впливає на термостабільність центрів, що відповідальні за D1 та D2 смуги електролюмінесценції в діапазоні температур 77 - 350 К. Встановлено склад та структуру дефектної підсистеми приповерхневого шару кристалів р-Sі, на основі яких виготовлялись світловипромінювальні структури. На базі даних досліджень побудована рекомбінаційна модель для структур на основі кремнію з високою концентрацією дислокацій. Продемонстровано підвищення випромінювальної ефективності методом пружної зовнішньої деформації. Проведено теоретичне та комп'ютерне моделювання процесів перебудови дефектної підсистеми в приповерхневому шарі кремнію та зміни зонної структури кремнію за високих концентрацій дислокацій та пружній деформації.