![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Кушлик М$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
|
| | | | |
1. |
Павлик Б. В. Візуалізація результатів взаємодії точкових дефектів з поверхнею кристалів IBpD-Si / Б. В. Павлик, Р. І. Дідик, Й. А. Шикоряк, А. П. Штабалюк, М. О. Кушлик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 3. - С. 675-678. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Павлик Б. В. Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу / Б. В. Павлик, М. О. Кушлик, Д. П. Слободзян // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 3. - С. 03043-1-03043-5. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.Описано дослідження дислокаційної електролюмінесценції монокристалів кремнію p-типу з високою концентрацією дислокацій на поверхні (111). З'ясовано впливи високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню на спектри люмінесценції та ємнісно-модуляційні спектри зразків. З аналізу результатів встановлено природу центрів рекомбінації та їх перебудову за високотемпературного відпалу. Показано, що осадження плівки Al на підкладку p-Si призводить до формування деформаційного потенціалу і, як наслідок, локалізації у приповерхневому шарі дефектів з об'єму кристалу, що відповідають центрам свічення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В374.9
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Слободзян Д. П. Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар'єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики / Д. П. Слободзян, Б. В. Павлик, М. О. Кушлик // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04051-1-04051-5. - Бібліогр.: 23 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Кушлик М. О. Деформаційні процеси та дислокаційна електролюмінесценція в приповерхневих шарах кристалів p-Si : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / М. О. Кушлик; Львів. нац. ун-т ім. І. Франка. - Львів, 2016. - 22 c. - укp.Встановлено природу дислокаційної люмінесценції світловипромінювальних структур на основі р-Sі. Досліджено перебудову дефектної підсистеми приповерхневого шару цих структур за дії локальної та зовнішньої пружних деформацій, пластичної деформації, та високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню. Наведено механізми виготовлення й обробки кристалів кремнію в результаті яких досягається висока випромінювальна ефективність світловипромінювальних структур. Показано, що локальна деформація приповерхневого шару кремнію, яка утворюється в результаті невідповідності параметрів гратки матриці та напиленої плівки, здатна гетерувати дефекти та домішки винесені з об'єму кристалу до поверхні дислокаціями. Такі дефекти в сукупності з дислокаціями утворюють складні комплекси, які, в свою чергу, можуть впливати на рекомбінаційні процеси у приповерхневому шарі напівпровідника. Початкова стадія високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню, тривалістю до 1 год., приводить до зростання концентрації безвипромінювальних центрів рекомбінації. Збільшення часу відпалу супроводжується перерозподілом між без- та випромінювальними переходами на користь останніх. Також даний тип обробки впливає на термостабільність центрів, що відповідальні за D1 та D2 смуги електролюмінесценції в діапазоні температур 77 - 350 К. Встановлено склад та структуру дефектної підсистеми приповерхневого шару кристалів р-Sі, на основі яких виготовлялись світловипромінювальні структури. На базі даних досліджень побудована рекомбінаційна модель для структур на основі кремнію з високою концентрацією дислокацій. Продемонстровано підвищення випромінювальної ефективності методом пружної зовнішньої деформації. Проведено теоретичне та комп'ютерне моделювання процесів перебудови дефектної підсистеми в приповерхневому шарі кремнію та зміни зонної структури кремнію за високих концентрацій дислокацій та пружній деформації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022 + В374.98,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА425161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|