Викладено теоретичні основи і питання практичної реалізації нетрадиційного способу вимірювання частоти монохроматичних НВЧ полів міліметрового і субміліметрового діапазонів довжин хвиль на основі нестаціонарного ефекту Джозефсона у надпровідних переходах, опромінюваних досліджуваними полями. Докладно описано програмно-технічний комплекс для вимірювання частоти на основі персональної ЕОМ з переважним використанням стандартного програмного забезпечення і промислових технічних засобів. Комплекс реалізований у вигляді віртуальної системи і легко адаптується для розв'язання різних задач багатоканального збору і обробки сигналів різних фізичних об'єктів.

Представлены первые результаты выполнения государственной программы развития СВЧ-техники в Украине на 2005 - 2009 годы.

The first results of performance of the state program of development of the microwave technique in Ukraine on 2005-2009 are submitted.

Приведена характеристика Государственной научно-технической программы развития в Украине техники и технологий сверхвысоких частот на ближайшие пять лет. Программой предусмотрено выполнение 56 проектов в области разработки перспективных технологий изготовления сверхвысокочастотной элементной базы и приборов.

The performance of the State technological program of development in Ukraine of technique and technologies of ultrahigh frequencies the coming five years is given. The program stipulates execution 56 designs in the field of development of perspective technologies of manufacture of ultrahigh frequency element basis and devices.

Рассмотрены широкополосные низкотемпературные устройства для регистрации СВЧ-сигналов, созданные как на базе одиночных переходов Джозефсона, так и на базе цепочек переходов Джозефсона. Обсуждается улучшение отношения сигнал/шум устройств при замене одиночных переходов Джозефсона цепочками переходов Джозефсона.

The wide-band low-temperature device for the registration of the microwave irradiation is described as on the base of the single Josephson junction as on the base of the Josephson junction arrays. The increase of the signal-to-noise ratio due to the replacement of the single Josephson junction by the Josephson junction arrays is discussed.

Исследован теоретически квантовомеханический транспорт в контактах нормального и сверхпроводящего металлов, разделенных двумя потенциальными барьерами с мезоскопически тонкой прослойкой нормального металла между ними. На примере данной модельной системы изучено влияние эффектов сбоя фазы на спектры проводимости гетероструктур со сверхпроводящими обкладками. Обсуждена возможность использования полученных результатов для решения проблемы декогеренции в сверхпроводниковых кубитах.

Показано, что созданные туннельные переходы NbN - I - Pb являются существенно несимметричными двухбарьерными переходами. Проанализировано образование в таких переходах связанного Андреевского состояния.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж69583/Сер.А Пошук видання у каталогах НБУВ 

На прикладі модельної гетероструктури, що створена двома потенціальними бар'єрами та провідним прошарком нанометрових розмірів, проаналізовано вплив процесів декогеренції на електронний транспорт. Показано, що існуючі два феноменологічні підходи до цієї проблеми, що базуються на введенні випадкового розподілу неконтрольованих фаз або стохастичного фактора, який "знищує" пам'ять про квантово-механічну фазу, призводять до різних фізичних результатів. Стверджено, що тільки другий підхід описує справжню втрату квантово-механічної фазової когерентності у мезоскопічній системі з послідовним електронним тунелюванням.

Предложена микроскопическая модель баллистического фазово-когерентного транспорта квазичастиц в джозефсоновских сверхпроводниковых переходах с двумя потенциальными барьерами и нормальной прослойкой нанометровых размеров между ними. Выполненные модельные расчеты позволяют объяснить природу особенности вольт-амперных характеристик соответствующих гетероструктур в районе энергетической щели. Эта особенность наблюдалась ранее экспериментально в различных джозефсоновских переходах и известна в литературе как "колено".

Приведены результаты сравнительного анализа температурного поведения разных типов (SIS, SNS, SNIS) переходов Джозефсона. Предложена теоретическая модель, позволяющая описывать с учетом эффекта близости зависимость критического тока Джозефсона упомянутых гетероструктур от температуры. Оценена стабильность параметров структур по отношению к изменениям температуры.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследованы зондовые методы построения наноэлектронных приборов и их диагностики с использованием электростатической силовой микроскопии. Рассмотрены пути повышения информативности измерений распределений зарядов и потенциалов в процессе получения элементов наноструктур.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.27

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В рамках двухзонной модели электронной структуры изолятора показано, что учет влияния верхнего края валентной зоны на туннелирование зарядов сквозь наноразмерные слои магнитного диэлектрика приводит к устранению гигантского расхождения между теоретическими и экспериментальными значениями магнетосопротивления двойных спиновых фильтров. Установлено, что туннельное магнетосопротивление контактов, образованных ферромагнитными Fe электродами и двухзонным изолятором, радикально зависит от положения химического потенциала внутри запрещенной зоны диэлектрика.

Показано, что электромиграция ионов кислорода под действием переменных электрических полей является основной причиной возникновения двузначной зависимости тока от напряжения в контактах металлического электрода со сложным оксидом переходных металлов. Этот эффект предлагается использовать для существенного расширения функциональных возможностей мемристора, нового базового элемента наноэлектроники.

Лопатки газовых турбин турбореактивных двигателей работают в сложных и ответственных условиях. С целью повышения износостойкости и одновременно вязкости материалов исследованы нанокристаллические жаропрочные сплавы. Показано, что уменьшение зернистости наноматериалов и приближение его до монодисперсности позволяет после прессования получать износостойкие, прочные и вязкие материалы, пригодные для изготовления ответственных авиационных деталей сложной конфигурации.

Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8-10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может мыть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.

Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p{\up\fs8 +}-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD за умов безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину p{\up\fs8 +}-AlGaAs:Zn наповерхні шару n-GaAs:Si за умови підвищення температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8-10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур.

The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p+AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80-120°N optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600-700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p+-AlGaAs:Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600-760°C at a rate 8-10 °C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures.

Приведены результаты сравнения эффективности рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках (КТ) и квантовых ямах (КЯ), излучающих в зеленом диапазоне спектра. Результаты оптических исследований с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции показали, что внутренняя квантовая эффективность InGaN КТ при комнатной температуре была в 8,7 раза больше, чем полученная для InGaN КЯ из-за лучшей пространственной локализации электрически заряженных частиц. Результаты измерений спектров фотолюминесценции при различных уровнях лазерного возбуждения показали, что влияние поляризационно-встроенных электрических полей на рекомбинационные процессы электрически заряженных частиц в КТ ничтожно малы по сравнению с КЯ. Полученные результаты показывают, что InGaN КТ улучшают эффективность люминесценции светодиодов в зеленом и голубом спектральных диапазонах.

Предложен новый метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Проанализировано влияние симметрии параметра порядка сверхпроводника на сопротивление контакта.