Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Наукова електронна бібліотека (1)

Книжкові видання та компакт-диски (3)

Пошуковий запит: (<.>A=Миленин В$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 10
Представлено документи з 1 до 10

Категорія:

Конакова Р. В.
Влияние радиации на вольт-амперные характеристики арсенид-галлиевых полевых транзисторов с барьером Шоттки / Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Е. А. Соловьев, В. А. Статов, М. А. Стовповой, А. Е. Ренгевич, Г. Т. Тариелашвили // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 4. - С. 73-76. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39

Рубрики:
Інші типи напівпровідникових тріодів

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Камалов А. Б.
Влияние СВЧ излучения на характеристики GaAs полевых транзисторов с затвором Шоттки / А. Б. Камалов, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, А. Е. Ренгевич, Е. А. Соловьев // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 145-149. - Библиогр.: 10 назв. - рус.

Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Конакова Р. В.
Влияние gamma-радиации sup60/supCo на электрофизические свойства арсенидгаллиевых ПТШ / Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Е. А. Соловьев, В. А. Статов, М. А. Стовповой, А. Е. Ренгевич, И. В. Прокопенко, Г. Т. Тариелашвили // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2000. - 43, № 5-6, [ч. 2]. - С. 45-52. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:
Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Венгер Е. Ф.
Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл - InP и металл - GaAs / Е. Ф. Венгер, Р. В. Конакова, Г. С. Коротченков, В. В. Миленин, Э. В. Руссу, И. В. Прокопенко; ред.: Р. В. Конакова, Г. С. Коротченков; НАН Украины. Ин-т физики полупроводников. - К., 1999. - 233 c. - Библиогр.: 76 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,021 + З852.5

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: ВА594687 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Иванов В. Н.
Контактообразующие пленки боридов и нитридов титана в арсенидгаллиевых СВЧ-приборах / В. Н. Иванов, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, М. А. Стовповой // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2002. - № 6. - С. 54-56. - Библиогр.: 9 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:
Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Конакова Р. В.
Физико-технологические аспекты создания омических контактов для HEMT / Р. В. Конакова, В. В. Миленин, М. А. Стовповой // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 172-186. - Библиогр.: 32 назв. - рус.

Разработаны и исследованы сплавленные омические контакты к гетероструктуре GaAs - AlGaAs, применяемой при изготовлении нового класса полевых приборов - транзисторов с высокой подвижностью электронов. Показано, что режим термообработки, обеспечивающий только минимальное контактное сопротивление, не является оптимальным. Предложена простая методика для оценки глубины проникновения фронта сплавления. Методика не требует изготовления специальных тестовых структур, применяется на протяжении относительно небольшого промежутка времени и ее можно использовать непосредственно на полупроводниковой пластине в технологическом процессе. Исследована радиационная стойкость получаемых омических контактов. Показано, что использование эффекта малых доз ионизирующего облучения может приводить к улучшению параметров омических контактов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-06

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Ермолович И. Б.
Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию CdS / И. Б. Ермолович, В. В. Миленин, Р. А. Редько, С. Н. Редько // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2006. - 49, № 7-8, [ч. 2]. - С. 71-75. - Библиогр.: 8 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:
Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Миленин В. В.
Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию GaAs / В. В. Миленин, Р. А. Редько, С. Н. Редько // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2006. - 49, № 9-10, [ч. 1]. - С. 77-80. - Библиогр.: 12 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.332-01

Рубрики:
Галій та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Агеев О. А.
Карбид кремния: технология, свойства, применение : монография / О. А. Агеев, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. С. Киселев, Р. В. Конакова, А. А. Лебедев, В. В. Миленин, О. Б. Охрименко, В. В. Поляков, А. М. Светличный; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва, НИИ "Орион", РАН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе, Юж. федер. ун-т, Технол. ин-т. - Х., 2010. - 532 c. - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники). - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.3

Рубрики:
Карбід кремнію (карборунд)

Шифр НБУВ: ВА745156 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Беляев А. Е.
Особенности температурной зависимости напряжения пробоя СВЧ диодов Шоттки $Ebold roman {Au-Tі-n-n sup +}-6H-SiC / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, В. А. Кривуца, Я. Я. Кудрик, А. А. Лебедев, А. П. Абрамов, С. П. Лебедев, В. В. Миленин // Техника и приборы СВЧ. - 2011. - № 2. - С. 44-46. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:
Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100091 Пошук видання у каталогах НБУВ