Наведено принципи побудови багатостійкої логічної схеми на НВЧ мікроелектронних структурах, яка моделює КХЧ керуючу систему живої клітини.

Наведено результати теоретичних досліджень впливу додаткових конструкційних параметрів на важливі характеристики резонаторної системи: зсув частот коливань, розділення між модами коливань, вплив на вищі смуги пропускання. Базуючись на графічному матеріалі, можна визначати вищезгадані характеристики та за їх допомогою отримувати резонаторну систему таких приладів.

Представлены результаты теоретических исследований влияния дополнительных конструкционных параметров на важные характеристики резонаторной системы: сдвиг колебаний, разделение между видами колебаний, влияние на высшие полосы пропускания. Основываясь на графическом материале, можно определить вышеупомянутые характеристики и с их помощью оптимизировать резонаторную систему таких приборов.

Influence of complementary design parameters on microwave devices resonant system performances often arise. Results of theoretical research into the influence of the complementary desing parameters on such important resonant system performances as frequency shift, mode separation are presented. Based on a graphical material one can define the above mentioned characteristics and optimize such device resonant system using the characteristics.

Викладено принципи дії, узагальнені характеристики і параметри напівпровідникових (монолітних) і гібридно-інтегральних схем, а також модулів НВЧ різного призначення. Розглянуто їх позитивні якості та недоліки; особливості конструкції, що впливають на експлуатаційні характеристики; вказані основні елементи та компоненти; наведені значення параметрів ІС різного призначення; вказані напрями їх удосконалення.

Розглянуто умови формування НВЧ сигналів фотопровідності високоомних напівпровідників у процесі імпульсної та гармонічної фотомодуляцій провідності, які виділяються за допомогою складового циліндричного РВП з Н012 видом коливань. Досліджено особливості вимірювання параметрів напівпровідників за високих рівнів фотозбудження. Доведено, що у більшості випадків фазовий метод вимірювання часу життя в напівпровідниках забезпечує високий ступінь адекватності досліджень.

Рассмотрены условия формирования СВЧ сигналов фотопроводимости высокоомных полупроводников при импульсной и гармонической фотомодуляции проводимости, выделяемых с помощью составного цилиндрического РИП с Н012 видом колебаний. Исследованы особенности измерения параметров полупроводников при высоких уровнях фотовозбуждения. Доказано, что в большинстве случаев фазовый метод измерения времени жизни в полупроводниках обеспечивает высокую степень адекватности исследований.

Conditions of hidht-ohmic semiconductior photoconductivity microwave signals formation with the pulse and harmonic photomodulation of conductivity, these signals being extract ed with oscillation mode composite cylindrical resonator, are considered. Recularities of seviconductors parameters measurement at high levels of photo excitation are studied. It is shown that the plase method of life-time measurement in semiconductors offer a high degree of the research adequacy in most cases.

Предложены твердотельные источники мощности с применением кольцевых лавинно-пролетных диодов с распределенными параметрами. Показана возможность значительного увеличения средней выходной СВЧ-мощности без использования алмазного теплоотвода. Конструкция диода позволяет создавать высокоэффективные сумматоры мощности и когерентные передающие устройства на их основе в диапазоне миллиметровых волн.

Запропоновано спосіб автоматизації задання коефіцієнта кратності макрочасток у моделях НВЧ-приладів зі схрещеними полями, що дозволяє усунути зі списку вхідних даних моделі параметр, визначення якого пов'язане з найбільшими труднощами для проектувальника. Одержано формули для оцінки оптимального значення коефіцієнта кратності в різних конструкціях приладів. Проаналізовано надійність запропонованої методики.

Приведены данные по технологическим аспектам производства полупроводниковых приборов, обусловленные влиянием ориентационных характеристик материала. Предложены рекомендации по повышению качества топологической привязки в процессе технологического цикла изготовления полупроводниковых приборов. Описан простой, доступный, экспрессный метод формирования ориентационных меток на пластинах GaAs для топологической привязки элементов полупроводниковых приборов с использованием контактной фотолитографии.

Приведены результаты моделирования процессов переноса неравновесных носителей заряда в германиевых структурах различной геометрической формы (параллелепипед, полный цилиндр и сфера); рассчитаны профили концентрации носителей и напряженности электрического поля, построены вольт-амперные характеристики. Проведен сравнительный анализ полученных результатов и показано их удовлетворительное согласование с экспериментальными данными.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: gallium nitride, light emission, current-voltage characteristic, double injection
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,021 + З852.5

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: ВА594687 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-01

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вирішено задачу про вплив іонів залишкового газу на розподіл статичного потенціалу в поперечному перерізі плоскопаралельного каналу, що містить стрічковий електронний пучок. Вивчено особливості формування природної іонної пастки залежно від параметра компенсації електронного заряду, температури іонного газу, коефіцієнта заповнення каналу електронним потоком і коефіцієнта асиметрії його розташування. Результати можуть бути використані у процесі конструювання приладів О-типу з тривалою взаємодією.

Решена задача о влиянии ионов остаточного газа на распределение статического потенциала в поперечном сечении плоскопараллельного канала, содержащего ленточный электронный пучок. Изучены особенности формирования естественной ионной ловушки в зависимости от параметра компенсации электронного заряда, температуры ионного газа, коэффициента заполнения канала электронным потоком и коэффициента асимметрии его расположения. Результаты могут быть использованы при конструировании приборов О-типа с длительным взаимодействием.

The ion influence on the static potential distribution in the plane-parallel channel with a tape electronic beam was studied. Features of the natural ionic trap building are investigated depending on parameter of the electronic charge compensation, the ionic gas temperature, on the coefficient of filling of the channel by an electronic stream and the coefficient of asymmetry of his arrangement. Results can be used at designing of О-type devices with long-time interaction

Для определения биологически активных частот модуляции миллиметрового радиоизлучения предложена радиометрическая система. Приведены результаты исследований реакции биообъектов на низкоинтенсивное микроволновое облучение. На базе радиотелескопа РТ-22 КРАО и малых радиотелескопов описана система мониторинга солнечной активности. Рассмотрены схемотехнические аспекты проектирования малошумящих усилителей СВЧ. Показан эффект возникновения областей отрицательного дифференциального сопротивления N-типа на вольтамперные характеристики лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле.

Розглянуто побудову, принцип роботи, характеристики та параметри пасивних елементів (мікрострічкових ліній, невзаємних феритових пристроїв, коливальних систем, фільтрів), напівпровідникових приладів, а також технічні особливості та конструкції вузлів приймальних і передавальних пристроїв та пристроїв функціональної електроніки. Наведено методи розрахунку пасивних і активних мікроелектронних пристроїв НВЧ, описано їх типові конструкції.

Рассмотрено построение, принцип роботы, характеристики и параметры пассивных элементов (микроленточных линий, невзаимных ферритовых устройств, колебающихся систем, фильтров), полупроводниковых приборов, технические особенности и конструкции узлов принимающих и передающих устройств и устройств функциональной электроники.

Описаны оригинальные конструкции арсенидгаллиевых диодов с барьером Шоттки, которые успешно используются в преобразователях частоты сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн. С целью освоения субмиллиметрового диапазона предложена конструкция монолитного балансного смесителя.

The original designs of GaAs Schottky diodes for the sm and mm wave bands maxers are described. It is offered the construction of monolitic balance mixer.

Показано, что основные задачи реализации пленочных ГИС сверхвысоких и крайне высоких частот зависят от выбора материала подложки, методов точного формирования проводников, методов и режимов осаждения металлов с высокой проводимостью без адгезионного подслоя. Рекомендовано применение полимерных подложек, методов ионного травления с использованием источника ионов типа Кауфмана и использование магнетронного распыления металлов.

Предложен метод тестирования фосфид-галлиевых светоизлучающих диодов на продолжительность срока службы, значительно сокращающий время отбраковки ненадежных светоизлучающих диодов в производстве. Индивидуальный срок службы каждого светоизлучающего диода из данной партии определен по двум измеренным значениям яркости с помощью эталонного графика, построенного по результатам испытаний относительно небольшого количества изделий.

The method of testing of phosphide-gallium light-emitting diodes on duration of life expectancy, considerably cutting time of a rejection of accident-sensitive light-emitting diodes in production is proposed. The individual life expectancy of each light-emitting diode from a sectional batch is defined on two measured values of luminosity with the help of the reference diagram, which is created by results of trials concerning small amount of hardware products.

Представлено результати експериментальних досліджень побудови магнітної системи з метою одержання як поздовжнього магнітного поля з високою ступінню однорідності по всій довжині системи, так й однорідного магнітного поля з ділянкою повільного зростання поздовжнього поля на краях. Показано, що для утворення магнітного поля довжиною 270 мм з неоднорідністю, яка не перевищує 5 %, вигідніше використовувати багатосекційні соленоїдальні системи, які взяті у магнітопровід. Наведено залежності магнітної індукції від струму для магнітної системи та складових секцій.

Представлены результаты экспериментальных исследований по созданию магнитной системы для получения как продольного магнитного поля с высокой степенью однородности на всей длине системы, так и однородного магнитного поля с участком медленно нарастающего продольного поля на краях. Показано, что для создания магнитного поля на длине 270 мм с неоднородностью, не превышающей 5 %, более выгодно использовать многосекционные соленоидальные системы, заключенные в магнитопровод. Приведены зависимости магнитной индукции от тока для магнитной системы и составляющих секций.

Experimental research results on the development of magnetic system with both longitudinal magnetic field with high homogeneity on whole system length and homogeneous longitudinal magnetic field with parts of slow increasing field on the system edges have been presented. It is shown that many sectional solenoid systems placed in magnetic core are favorable in the creation of magnetic field length 270 mm with inhomogeneity less then 5 %. The dependences of magnetic induction on current for both whole magnetic system and its sections are also given