Наведено результати теоретичних та експериментальних досліджень ефективності використання нової технології та обладнання інактивації антипоживних речовин у соєвому жмиху з метою покращання його якісних властивостей та збільшення терміну зберігання готового продукту. Проаналізовано сучасні технологічні підходи щодо обробки соєвої культури, визначено їх переваги та недоліки. Досліджено біохімічний склад та якісні характеристики соєвого жмиху. Запропоновано нову технологічну схему та промислове обладнання для обробки соєвого жмиху, сформульовано рівняння продуктивності екструдера у разі його термовологої обробки. Встановлено оптимальні параметри та технологічні режими процесу переробки соєвого жмиху, які дозволяють одержати продукт з необхідними якісними показниками. Здійснено промислове впровадження запропонованої технології та обладнання й підтверджено ефективність їх використання.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З852-06

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты исследований магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Методом магнетронного осаждения тонких пленок TiN, TiO{\dn\fs8 2} и МоО{\dn\fs8 х} на подложки из кристаллов Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} изготовлены анизотипные гетеропереходы n-TiN/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}, n-TiO{\dn\fs8 2}/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} и n-MoO/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Исследованы их электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямом и обратном смещениях.

Представлено результати досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Методом магнетронного напилення тонких плівок TiN, TiO{\dn\fs8 2} та МоО{\dn\fs8 х} на підкладки з кристалів Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} виготовлено анізотипні гетеропереходи n-TiN/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}, n-TiO{\dn\fs8 2}/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4} і n-MoO/p-Cu{\dn\fs8 2}ZnSnTe{\dn\fs8 4}. Досліджено їх електричні властивості і встановлено домінуючі механізми струмопереносу за прямих і зворотних зміщень.

The paper reports on the results of the studies of magnetic, kinetic and optical properties of Cu2ZnSnTe4 crystals. The Cu2ZnSnTe4 crystals showed diamagnetic properties (the magnetic susceptibility almost independent of the magnetic field and temperature). The Cu2ZnSnTe4 crystals possessed p-type of conductivity and the Hall coefficient was independent on temperature. The temperature dependence of the electrical conductivity ? of the Cu2ZnSnTe4 crystal shows metallic character, i. e. decreases with the increase of temperature, that is caused by the lower charge carrier mobility at higher temperature. Thermoelectric power of the samples ispositive that also indicates on the prevalence of p-type conductivity. Heterojunctions n-TiN/p-Cu2ZnSnTe4, n-TiO2/p-Cu2ZnSnTe4 and n-MoO/p-Cu2ZnSnTe4 were fabricated by the reactive magnetron sputtering of TiN, TiO2 and МоОх thin films, respectively, onto the substrates made of the Cu2ZnSnTe4 crystals. The dominating current transport mechanisms in the n-TiN/p-Cu2ZnSnTe4 and n-TiO2/p-Cu2ZnSnTe4 heterojunctions were established to be the tunnel-recombination mechanism at forward bias and tunneling at reverse bias.