Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Автореферати дисертацій (1)

Книжкові видання та компакт-диски (2)

Пошуковий запит: (<.>A=Писклинець У$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15

Категорія:

Фреїк Д. М.
Атомні дефекти та їх компенсація у чистому і легованому телуриді кадмію / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 3. - С. 547-555. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.

Ключ. слова: телурид кадмію, легування, дефекти, компенсація
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602

Рубрики:
Кристалічна будова кадмію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Фреїк Д. М.
Кристалоквазіхімія дефектів у телуриді кадмію із структурою сфалериту і в'юрциту / Д. М. Фреїк, А. М. Дмитрів, С. С. Лісняк, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 2. - С. 317-322. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.

Запропоновано кристалоквазіхімічні моделі утворення власних атомних дефектів у телуриді кадмію у процесі нестехіометрії; легування киснем, хлором, індієм; утворення твердих розчинів з ізо- і гетеровалентним заміщенням.

Crystal-quasichemical models of own atomic defects formation on a cadmium telluride at the next nonstoichiometry processes are proposed: doping by chlorine, indium, and solid solution formation with isovalent and heterovalent substitution

Ключ. слова: кристалоквазіхімія, сфалерит, в'юрцит, тетраедричні порожнини (ТП), октаедричні порожнини (ОП), дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602

Рубрики:

Кристалічна будова кадмію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Писклинець У. М.
Атомні дефекти у кристалах CdTe:Ge / У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 3. - С. 514-519. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.

Ключ. слова: телурид кадмію, високотемпературний відпал, ефект Холла, точкові дефекти, дефектна структура, моделювання
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602 + В379.222

Рубрики:
Кристалічна будова кадмію та його сплавів
Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Фреїк Д. М.
Моделі атомних дефектів і термодинамічний In - pD-перехід у легованих золотом кристалах телуриду кадмію CdTeCd:Au / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 2. - С. 338-344. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Ключ. слова: телурид кадмію, легування, дефекти, квазіхімічні реакції
Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + К232.602

Рубрики:
Фізика напівпровідників та діелектриків
Кристалічна будова кадмію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Фреїк Д. М.
Донорна і акцепторна дія талію у кристалах CdTe:Tl / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець, М. І. Белей // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 1. - С. 65-69. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Ключ. слова: телурид кадмію, дефекти, квазіхімія, константи рівноваги
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.608

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Писклинець У. М.
Іонізовані та електронейтральні дефекти у кристалах CdTe / У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 2. - С. 275-279. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.

Ключ. слова: кадмій телурид, двотемпературний відпал, точкові дефекти, квазіхімічні рівняння
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:
Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Фреїк Д. М.
Кристалохімічні моделі точкових дефектів у CdTe:Ge / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець, І. В. Горічок, В. Б. Ваньчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 3. - С. 506-510. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.

На базі теорії квазіхімічних реакцій проаналізовано дефектний стан кристалів CdTe:Ge за умов високотемпературної рівноваги точкових дефектів з врахуванням обмеженої розчинності домішки германію. Одержано температурні залежності концентрації точкових дефектів, вільних носіїв заряду та розчинності германію в матеріалі. Теоретичний розрахунок достатньо добре узгоджується з експериментальними залежностями цих же величин для досліджуваного діапазону температур відпалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Фреїк Д. М.
Вплив відхилення від стехіометрії на дефектну підсистему кристалів CdTe:Cd / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, І. В. Горічок, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - 9, № 2. - С. 270-273. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.

Розраховано концентрації вільних носіїв заряду та точкових дефектів у монокристалах кадмій телуриду залежно від вмісту надстехіометричного кадмію за допомогою методу термодинамічних потенціалів. Установлено тип домінуючих точкових власних дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Фреїк Д. М.
Термодинамічний розрахунок констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів у CdTe / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, І. В. Горічок, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - 9, № 3. - С. 583-589. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.

Теоретично розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів у CdTe, за допомогою яких знайдено залежності концентрацій електронів, дірок і точкових дефектів у нелегованому кадмій телуриді від параметрів двотемпературного відпалу в парі кадмію. Встановлено технологічні умови, за яких відбувається зміна домінуючого типу вільних носіїв заряду в матеріалі. Проаналізовано моделі структури точкових дефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.604.3

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Прокопів В. В.
Константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення в CdTe / В. В. Прокопів, І. В. Горічок, У. М. Писклинець // Укр. хим. журн. - 2009. - 75, № 5/6. - С. 77-80. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.

Розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення в CdTe за допомогою методу термодинамічних потенціалів. Змодельовано структуру точкових дефектів із використанням методу квазіхімічних реакцій дефектоутворення. З використанням уточнених значень констант визначено залежності концентрації вільних носіїв заряду та переважаючих точкових дефектів від технологічних умов одержання кристала.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Писклинець У. М.
Механізми дефектоутворення і термодинамічний n - p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі : Автореф. дис... канд. хім. наук : 02.00.21 / У. М. Писклинець; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2005. - 20 c. - укp.

Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + К294.043.62

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Теорія відпалу напівпровідникових сплавів

Шифр НБУВ: РА339572 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Фреїк Д. М.
Термодинаміка дефектної підсистеми і електричні властивості кристалів CdTe:I / Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, У. М. Писклинець, В. Ю. Потяк // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2010. - 1, № 4. - С. 57-62. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В379.271

Рубрики:
Термодинаміка напівпровідників
Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Писклинець У. М.
Точкові дефекти та їх комплекси у легованих йодом кристалах кадмій телуриду / У. М. Писклинець, В. В. Прокопів, І. В. Горічок, Н. Д. Фреїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 2. - С. 401-404. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:
Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Писклинець У. М.
Вплив легування і двотемпературного відпалу на дефектну підсистему CdTe:Br / У. М. Писклинець, П. М. Фочук, І. В. Горічок, В. В. Прокопів, О. Л. Соколов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - 15, № 3. - С. 569-574. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.

Категорія: Енергетика. Радіоелектроніка

15.

Мазур Т. М.
Сонячні елементи на основі тонких плівок CdTe / Т. М. Мазур, В. В. Прокопів, М. П. Мазур, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2021. - 22, № 4. - С. 817-827. - Бібліогр.: 58 назв. - укp.

Проведено аналіз застосування в енергетиці напівпровідникових сонячних елементів на основі тонкоплівкового телуриду кадмію (CdTe). Показано, що переваги тонкоплівкової технології й самого CdTe, як прямозонного напівпровідника, відкривають перспективу широкомасштабного виробництва конкурентоспроможних CdTe сонячних модулів. Обговорено фізико-технічні проблеми збільшення коефіцієнта корисної дії гетероструктурних сонячних елементів CdS/CdTe, який у разі масового виробництва значно поступається теоретично можливому значенню. Розглянуто стан тонкоплівкових сонячних елементів на основі CdTe, які роблять CdTe відповідним матеріалом для наземного фотоелектричного перетворення сонячної енергії, історичний розвиток сполуки CdTe, прикладне застосування тонких плівок CdTe, основні методи та стратегії виготовлення приладів, аналіз роботи приладів, а також фундаментальні технічні проблеми, пов'язані з майбутнім розвитком тонкоплівкових модулів на основі кадмій телуриду.

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ