![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Писклинець У$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15
|
| | | | |
1. |
Фреїк Д. М. Атомні дефекти та їх компенсація у чистому і легованому телуриді кадмію / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 3. - С. 547-555. - Бібліогр.: 20 назв. - укp. Ключ. слова: телурид кадмію, легування, дефекти, компенсація Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Фреїк Д. М. Кристалоквазіхімія дефектів у телуриді кадмію із структурою сфалериту і в'юрциту / Д. М. Фреїк, А. М. Дмитрів, С. С. Лісняк, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2003. - 4, № 2. - С. 317-322. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Запропоновано кристалоквазіхімічні моделі утворення власних атомних дефектів у телуриді кадмію у процесі нестехіометрії; легування киснем, хлором, індієм; утворення твердих розчинів з ізо- і гетеровалентним заміщенням. Crystal-quasichemical models of own atomic defects formation on a cadmium telluride at the next nonstoichiometry processes are proposed: doping by chlorine, indium, and solid solution formation with isovalent and heterovalent substitution Ключ. слова: кристалоквазіхімія, сфалерит, в'юрцит, тетраедричні порожнини (ТП), октаедричні порожнини (ОП), дефекти Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Писклинець У. М. Атомні дефекти у кристалах CdTe:Ge / У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 3. - С. 514-519. - Бібліогр.: 23 назв. - укp. Ключ. слова: телурид кадмію, високотемпературний відпал, ефект Холла, точкові дефекти, дефектна структура, моделювання Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602 + В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Фреїк Д. М. Моделі атомних дефектів і термодинамічний In - pD-перехід у легованих золотом кристалах телуриду кадмію CdTeCd:Au / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 2. - С. 338-344. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Ключ. слова: телурид кадмію, легування, дефекти, квазіхімічні реакції Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + К232.602
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Фреїк Д. М. Донорна і акцепторна дія талію у кристалах CdTe:Tl / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець, М. І. Белей // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 1. - С. 65-69. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Ключ. слова: телурид кадмію, дефекти, квазіхімія, константи рівноваги Індекс рубрикатора НБУВ: К232.608
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Писклинець У. М. Іонізовані та електронейтральні дефекти у кристалах CdTe / У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2005. - 6, № 2. - С. 275-279. - Бібліогр.: 8 назв. - укp. Ключ. слова: кадмій телурид, двотемпературний відпал, точкові дефекти, квазіхімічні рівняння Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Фреїк Д. М. Кристалохімічні моделі точкових дефектів у CdTe:Ge / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, У. М. Писклинець, І. В. Горічок, В. Б. Ваньчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 3. - С. 506-510. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.На базі теорії квазіхімічних реакцій проаналізовано дефектний стан кристалів CdTe:Ge за умов високотемпературної рівноваги точкових дефектів з врахуванням обмеженої розчинності домішки германію. Одержано температурні залежності концентрації точкових дефектів, вільних носіїв заряду та розчинності германію в матеріалі. Теоретичний розрахунок достатньо добре узгоджується з експериментальними залежностями цих же величин для досліджуваного діапазону температур відпалу. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Фреїк Д. М. Вплив відхилення від стехіометрії на дефектну підсистему кристалів CdTe:Cd / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, І. В. Горічок, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - 9, № 2. - С. 270-273. - Бібліогр.: 17 назв. - укp.Розраховано концентрації вільних носіїв заряду та точкових дефектів у монокристалах кадмій телуриду залежно від вмісту надстехіометричного кадмію за допомогою методу термодинамічних потенціалів. Установлено тип домінуючих точкових власних дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Фреїк Д. М. Термодинамічний розрахунок констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів у CdTe / Д. М. Фреїк, В. В. Прокопів, І. В. Горічок, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2008. - 9, № 3. - С. 583-589. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Теоретично розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів у CdTe, за допомогою яких знайдено залежності концентрацій електронів, дірок і точкових дефектів у нелегованому кадмій телуриді від параметрів двотемпературного відпалу в парі кадмію. Встановлено технологічні умови, за яких відбувається зміна домінуючого типу вільних носіїв заряду в матеріалі. Проаналізовано моделі структури точкових дефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.604.3
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Прокопів В. В. Константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення в CdTe / В. В. Прокопів, І. В. Горічок, У. М. Писклинець // Укр. хим. журн. - 2009. - 75, № 5/6. - С. 77-80. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення в CdTe за допомогою методу термодинамічних потенціалів. Змодельовано структуру точкових дефектів із використанням методу квазіхімічних реакцій дефектоутворення. З використанням уточнених значень констант визначено залежності концентрації вільних носіїв заряду та переважаючих точкових дефектів від технологічних умов одержання кристала. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21854 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Писклинець У. М. Механізми дефектоутворення і термодинамічний n - p-перехід у бездомішковому та легованому кадмій телуриді при двотемпературному відпалі : Автореф. дис... канд. хім. наук : 02.00.21 / У. М. Писклинець; Прикарпат. нац. ун-т ім. В.Стефаника. - Івано-Франківськ, 2005. - 20 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + К294.043.62
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА339572 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Фреїк Д. М. Термодинаміка дефектної підсистеми і електричні властивості кристалів CdTe:I / Д. М. Фреїк, І. В. Горічок, У. М. Писклинець, В. Ю. Потяк // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2010. - 1, № 4. - С. 57-62. - Бібліогр.: 14 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Писклинець У. М. Точкові дефекти та їх комплекси у легованих йодом кристалах кадмій телуриду / У. М. Писклинець, В. В. Прокопів, І. В. Горічок, Н. Д. Фреїк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 2. - С. 401-404. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Писклинець У. М. Вплив легування і двотемпературного відпалу на дефектну підсистему CdTe:Br / У. М. Писклинець, П. М. Фочук, І. В. Горічок, В. В. Прокопів, О. Л. Соколов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - 15, № 3. - С. 569-574. - Бібліогр.: 11 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Мазур Т. М. Сонячні елементи на основі тонких плівок CdTe / Т. М. Мазур, В. В. Прокопів, М. П. Мазур, У. М. Писклинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2021. - 22, № 4. - С. 817-827. - Бібліогр.: 58 назв. - укp.Проведено аналіз застосування в енергетиці напівпровідникових сонячних елементів на основі тонкоплівкового телуриду кадмію (CdTe). Показано, що переваги тонкоплівкової технології й самого CdTe, як прямозонного напівпровідника, відкривають перспективу широкомасштабного виробництва конкурентоспроможних CdTe сонячних модулів. Обговорено фізико-технічні проблеми збільшення коефіцієнта корисної дії гетероструктурних сонячних елементів CdS/CdTe, який у разі масового виробництва значно поступається теоретично можливому значенню. Розглянуто стан тонкоплівкових сонячних елементів на основі CdTe, які роблять CdTe відповідним матеріалом для наземного фотоелектричного перетворення сонячної енергії, історичний розвиток сполуки CdTe, прикладне застосування тонких плівок CdTe, основні методи та стратегії виготовлення приладів, аналіз роботи приладів, а також фундаментальні технічні проблеми, пов'язані з майбутнім розвитком тонкоплівкових модулів на основі кадмій телуриду.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|