Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у селеніді свинцю на підставі теоретичних розрахунків з використанням статистики для невироджених напівпровідників і апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями. Для теоретичних розрахунків враховано аномальний хід температурної залежності ширини забороненої зони селеніду свинцю.

Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень впливу технологічних факторів вирощування, легування, окислення, термічного відпалу та радіаційного опромінення на процеси дефектоутворення в кристалах і тонких плівках халькогенідів свинцю та телуриду олова.

Висвітлено результати еспериментальних та теоретичних досліджень фазових діаграм рівноваги бінарної системи олово-телуор, області гомогенності телуриду олова. Звернено увагу на термодинамічні властивості і квазіхімію дефектів, а також структуру енергетичних зон та кінетичні властивості SnTe.

Освещены результаты експериментальных и теоретических исследований фазовых диаграмм равновеса бинарной системы олово-телуор, области гомогенности телурида олова. Обращено внимание на термодинамичекие свойства, а также структуру енергетических зон и кинетические свойства SnTe.

Ключ. слова: телурид кадмію, легування, дефекти, компенсація
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602

Рубрики:

Кристалічна будова кадмію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Уточнено значення констант рівноваги квазіхімічних реакцій утворення власних атомних дефектів у селеніді свинцю на базі апроксимації експериментальних результатів двотемпературного відпалу кристалів теоретичними моделями у припущенні існування двозарядних міжвузлових атомів та однозарядних вакансій у металевій підгратці. На підставі аналізу загальної умови електронейтральності знайдено залежності концентрації дефектів і носіїв струму від температури та парціального тиску селену під час реалізації двотемпературного відпалу.

Ключ. слова: телурид кадмію, легування, дефекти, квазіхімічні реакції
Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + К232.602

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Кристалічна будова кадмію та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: телурид кадмію, дефекти, квазіхімія, константи рівноваги
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.608

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г531.2 + В379.2

Рубрики:

Термодинамічні функції та їх змінення у хімічних процесах

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: телурид свинцю, дефекти, константи рівноваги, квазіхімічні реакції
Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.335 + В372.31

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

На базі теорії квазіхімічних реакцій проаналізовано дефектний стан кристалів CdTe:Ge за умов високотемпературної рівноваги точкових дефектів з врахуванням обмеженої розчинності домішки германію. Одержано температурні залежності концентрації точкових дефектів, вільних носіїв заряду та розчинності германію в матеріалі. Теоретичний розрахунок достатньо добре узгоджується з експериментальними залежностями цих же величин для досліджуваного діапазону температур відпалу.

Ключ. слова: кадмій телурид, точкові дефекти, термодинамічний потенціал
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602 + В379.2

Рубрики:

Кристалічна будова кадмію та його сплавів

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розраховано концентрації вільних носіїв заряду та точкових дефектів у монокристалах кадмій телуриду залежно від вмісту надстехіометричного кадмію за допомогою методу термодинамічних потенціалів. Установлено тип домінуючих точкових власних дефектів, що визначають електричні властивості матеріалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Теоретично розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів у CdTe, за допомогою яких знайдено залежності концентрацій електронів, дірок і точкових дефектів у нелегованому кадмій телуриді від параметрів двотемпературного відпалу в парі кадмію. Встановлено технологічні умови, за яких відбувається зміна домінуючого типу вільних носіїв заряду в матеріалі. Проаналізовано моделі структури точкових дефектів.

Розраховано константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення в CdTe за допомогою методу термодинамічних потенціалів. Змодельовано структуру точкових дефектів із використанням методу квазіхімічних реакцій дефектоутворення. З використанням уточнених значень констант визначено залежності концентрації вільних носіїв заряду та переважаючих точкових дефектів від технологічних умов одержання кристала.

Сформульовано основні положення та напрямки створення фізико-геологічної моделі для колекторів складної будови з використанням петрофізичної та геофізичної інформації. Обгрунтовано фізико-геологічну модель вимірювання інтенсивності природної радіоактивності гірських порід зі складною мінералогічною та структурною будовою, базуючись на адекватності процесу вимірювання розподілу радіоактивних ізотопів за лабораторних і свердловинних умов. Теоретично обгрунтовано та практично доведено необхідність дослідження динамічних параметрів зміни потенціалів самочинної поляризації. Запропоновано уніфіковану схему використання динамічних моделей формування цих потенціалів для виділення продуктивних інтервалів за характером флюїдонасичення колектора. Розроблено методику визначення типу неоднорідності порід-колекторів складної будови, що дає змогу врахувати мінеральну неоднорідність матриці породи. Створено фізико-геологічну модель порід-колекторів складної будови з використанням критеріїв петрогустинної неоднорідності. Науково обгрунтовано ефективність результатів методу густинного гамма-гамма каротажу для визначення ємнісних параметрів складнопобудованих геологічних розрізів.

Описано методи одержання та властивості матеріалів, які застосовуються в електронній техніці, наведено їх класифікацію, зокрема, матеріалів високої провідності та надпровідних матеріалів, металів і сплавів різного призначення, неметалічних провідних матеріалів, напівпровідників та напівпровідникових сполук (германію, кремнію), пасивних та активних діелектриків.

Описаны методы получения и свойства материалов, применяемых в электронной технике, приведена их классификация, в частности, материалов высокой проводимости и надпроводящих материалов, металлов и сплавов разного назначения, неметаллических проводящих материалов, полупроводников и полупроводниковых соединений (германия, кремния), пассивных и активных диэлектриков.

Висвітлено результати теоретичних і експериментальних досліджень фізико-хімічних властивостей кадмій телуриду (CdTe). Розглянуто природу та загальні питання кристалохімії точкових дефектів у чистому та легованому кадмій телуриді CdTe. Описано методи одержання та застосування тонкоплівкового матеріалу. Проаналізовано властивості твердих розчинів на основі CdTe. Технологічні розробки способів одержання монокристалів CdTe подано у вигляді патентів. Охарактеризовано домішково-дефектну підсистему сфалеритної структури у легованих хлором кристалах CdTe. Вивчено вплив відхилення від стехіометрії на дефектну підсистему кристалів CdTe:Cd. Визначено особливості перенесення носіїв струму у дрібнодисперсних плівках кадмій і плюмбум телуридів. Досліджено термоелектричні властивості твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системі PbTe - CdTe. Запропоновано спосіб одержання монокристалів CdTe n- і p-типу провідності.

На основі комплексного кристалохімічного аналізу (закону діючих мас, термодинамічних потенціалів, кристалоквазіхімічних формул) й експериментальних результатів досліджено дефектну структуру бездомішкових сполук CdTe, SnTe, PbTe: уточнено вид домінуючих точкових дефектів, зарядові стани та залежності їх концентрацій від відхилення від стехіометричного складу у межах областей гомогенності. Запропоновано моделі квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів, одержано аналітичні вирази для визначення залежностей концентрацій вільних носіїв заряду та переважаючих власних точкових дефектів від технологічних факторів за реалізації двотемпературного відпалу для кристалів і вирощуванні тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Використовуючи апроксимацію експериментальних значень меж областей гомогенності, уточнено константи рівноваги відповідних квазіхімічних реакцій. Модифіковано метод термодинамічних потенціалів для визначення концентрацій й уточнення енергетичних параметрів утворення точкових дефектів у досліджуваних матеріалах і побудови їх області гомогенності. Зроблено аналіз кристалоквазіхімічних формул, які визначають власні точкові дефекти й їх комплекси у нестехіометричних кристалах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312

Рубрики:

Вакансії і домішки

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ