Проаналізовано основні механізми дефектоутворення в алмазоподібних напівпровідниках - базових матеріалах мікро- та оптоелектроніки. Розглянуто методи розрахунку рівноважної концентрації точкових дефектів та способи визначення їх основних параметрів. Особливу увагу приділено нетрадиційним методам керування ансамблем власних точкових дефектів, які значною мірою визначають фізичні властивості напівпровідників, особливо широкозонних.

Проанализированы основные механизмы дефектообразования в алмазообразных полупроводниках - базовых материалах микро- и оптоэлектроники. Рассмотрены методы расчета равномерной концентрации точковых дефектов и способы определения их основных параметров. Особое внимание уделено нетрадиционным методам управления ансамблем собственных точковых дефектов, которые в значительной мере определяют физические свойства полупроводников, особенно широкозонных.

Наведено інтегральні вирази для запізнювальних і випереджувальних потенціалів і напруженостей електричного та магнітного полів у середовищах. Досліджено миттєву та середню потужності випромінювання заряджених частинок, що рухаються вздовж довільної траєкторії у непоглинальному ізотропному середовищі, вакуумі за допомогою методу сили взаємодії Лоренца. Проведено комп'ютерне та фізичне моделювання світлорозсіяння системою броунівських часток. Установлено, що часова стохастизація поля розсіяного випромінювання зберігає фрактальні властивості руху часток, а просторова не зберігає. Знайдено емпіричні діагностичні зв'язки фрактальної розмірності та кореляційного експонента флуктуацій інтенсивності поля розсіяного випромінювання з параметрами світлорозсіювального середовища. Проведено аналіз, розрахунки та програмування параметрів процесів вирощування однорідних за складом монокристалів напівпровідникових твердих розчинів методами спрямованої кристалізації та зонної плівки за один прохід, коли швидкість руху фронту кристалізації знаходиться в межах 0,1 - 1 мм/год. Показано, що за даних технологічних умов доцільно програмувати тільки зміну довжини розплавленої зони. Розглянуто можливість виникнення вихрових термоелектричних струмів у термоелектрично-неоднорідному середовищі за теплових граничних умов.

Висвітлено морфологію поверхні полікристалічних плівок методом атомно-силової мікроскопії. Проаналізовано вплив фононів на електронний спектр у напівпровідникових квантових точках малих розмірів, розташованих у діелектричному середовищі. Наведено результати комп'ютерного моделювання та експериментального дослідження дифракції оптичного випромінювання на випадкових і фрактальних поверхнях. Описано залежність статистичних та стохастичних параметрів поля розсіяного оптичного випромінювання від зони реєстрації та висоти нерівностей поверхні. Запропоновано модель формування оранжевої смуги люмінесценції в кристалах селеніду цинку, легованих ізовалентною домішкою телуру. Розкрито кристалічну структуру й електричні властивості плівок телуру. Розглянуто питання про фізичні основи штучно-анізотропних термоелементів.

Розглянуто загальні питання будови двокомпонентних сплавів та їх діаграм стану. Наведено правило фаз Гіббса, загальні зауваження про побудову діаграм стану. Розкрито класифікації чавунів, сталей. Проаналізовано вплив термічної обробки на властивості сталі, описано елементи термодинаміки.

Рассмотрены общие вопросы структуры двухкомпонентных сплавов и их диаграмм состояния. Приведены правило фаз Гиббса, общие замечания о построении диаграмм состояния. Раскрыты классификации чугунов, сталей. Проанализировано влияние термической обработки на свойства стали, описаны элементы термодинамики.

Висвітлено наукові засади метало- та матеріалознавства напівпровідників і діелектриків. Розглянуто основні закономірності утворення металічних та напівпровідникових фаз, проведено порівняльний аналіз їх кристалічної та зонної структур, природи хімічних зв'язків, структурної досконалості кристалічних граток та інших кристалохімічних особливостей, описано механічні, теплові, електричні та магнітні властивості. Наведено діаграми стану бінарних сплавів. Значну увагу приділено проблемі фазових перетворень у сплавах залізо-вуглець.

Освещены научные основы металло- и материаловедения полупроводников и диэлектриков. Рассмотрены основные закономерности образования металлических и полупроводниковых фаз, проведен сравнительный анализ их кристаллической и зонной структур, природы химических связей, структурного совершенства кристаллических граток и других кристаллохимических особенностей, описаны механические, тепловые и магнитные свойства. Представлены диаграммы состояния бинарных сплавов. Значительное внимание уделено проблеме фазовых преобразований в сплавах железо-углерод.

Досліджено структурні і люмінесцентні властивості шарів, одержаних термодифузією ізовалентних домішок Mg i Te у монокристали бездомішкового селеніду цинку. Запропоновано модель дефектоутворення, яка адекватно пояснює отримані експериментальні результати.

Structural and luminescentional properties of the layers, which obtained by thermo diffusion of the isovalent impurities Mg and Te in the host zinc selenid monocrystals, is investigated. The model of the defects emerges, which adequate explained the obtained data, is offered

Викладено сучасні уявлення про основні типи точкових дефектів у кристалічних напівпровідниках, описано механізми їх утворення, а також методи керування та аналізу їх параметрами. Запропоновано класифікацію мікродефектів. Проаналізовано вплив точкових дефектів на механічні, електричні, магнітні, оптичні, фотоелектричні фізичні властивості твердих тіл.

Изложены современные представления об основных типах точковых дефектов в кристаллических полупроводниках, описаны механизмы их образования, а также методы управления и анализа их параметрами. Предложена классификация микродефектов. Проанализировано влияние точковых дефектов на механические, электрические, магнитные, оптические, фотоэлектрические физические свойства твердых тел.

Розглянуто фізичні основи дифракційних методів дослідження структури кристалів. Описано природу виникнення та спектральні характеристики X-хвиль. В межах кінематичної теорії дифракції розглянуто розсіяння електроном, атомом, елементарною коміркою та кристалом. Проаналізовано розсіяня та поглинання X-хвиль з урахуванням впливу температури та дисперсії на інтенсивність дифракційних максимумів. Описано класичні експериментальні методи дослідження реальної структури кристалічних тіл. Проаналізовано особливості та недоліки кінематичної теорії дифракції.

Рассмотрены физические основы дифракционных методов исследования структуры кристаллов. Описаны природа возникновения и спектральные характеристики X-волн. В пределах кинематической теории дифракции рассмотрено рассеивание электроном, атомом, элементарной ячейкой и кристаллом. Проанализировано рассеивания и поглощения X-волн с учетом влияния температуры и дисперсии на интенсивность дифракционных максимумов. Описаны классические экспериментальные методы исследования реальной структуры кристаллических тел. Проанализированы особенности и недостатки кинематической теории дифракции.

Експериментально та шляхом числового розв'язування рівнянь Такагі досліджено вплив слабких і сильних спотворень, утворених дією зосередженого навантаження, на формування маятникових осциляцій інтенсивності рентгенівських променів у клиноподібних кристалах германію та кремнію. У випадку слабких деформацій на формування маятникових смуг впливають процеси розсіяння, які зумовлюють вигин і фокусування (дефокусування) траєкторій рентгенівських променів. У області сильних деформацій - процеси міжвиткового розсіяння.

Досліджено вплив слабких і сильних спотворень, спричинених дією зосередженого навантаження (уколу), що діє на вхідну та вихідну поверхню кристала-аналізатора, на формування муарової картини. Одержані результати демонструють можливості рентгенівської трикристальної інтерферометрії в дослідженні нових дифракційних ефектів і встановленні взаємов'язку між параметрами дифракційної картини та ступенем структурної досконалості кристалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено структурні та люмінесцентні властивості шарів, одержаних термодифузією ізовалентних домішок Mg у монокристали бездомішкового селеніду цинку. Розглянуто природу рекомбінаційних центрів і можливі оптичні процеси, які визначають властивості ZnSe:Mg.

Досліджено зміну низькочастотних спектрів внутрішнього тертя, поведінку ефективного модуля зсуву та відносне видовження зразків берилію різного ступеня чистоти під дією різноманітних факторів (електронного опромінення, термічного й термомеханічного циклювання та ін.). Показано, що аномальну поведінку досліджуваних властивостей берилію в "інверсному" стані можна задовільно пояснити в межах уявлень про політипні мартенситні перетворення в металах та стопах.

Проведено розрахунок коефіцієнтів жорсткості окремих хімічних зв'язків, що відповідають різним міжатомним віддалям в кристалах твердих розчинів CdSb - ZnSb. Досліджено динаміку формування хімічного зв'язку залежно від компонентного складу та температури.

Експериментально та теоретично досліджено вплив температури і складу на пружні властивості монокристалів твердих розчинів системи CdSb - ZnSb.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Викладено основи динамічної теорії розсіяння (ДТР) Х-хвиль. Описано властивості електромагнітного поля, взаємодію електромагнітних хвиль з середовищем та поляризацію Х-хвиль. Висвітлено основні положення ДТР Х-хвиль в моделі Евальда - Лауе. Подано розв'язки фундаментального рівняння дифракції в одно-, дво- та багатохвильовому наближеннях. Проаналізовано амплітуди та інтенсивності розсіяння заломлених та дифрагованих хвиль.

Изложены основы динамической теории рассеяния (ДТР) Х-волн. Описаны свойства электромагнитного поля, взаимодействие электромагнитных волн со средой и поляризация Х-волн. Освещены основные положения ДТР Х-волн в модели Эвальда - Лауэ. Приведены решения фундаментального уравнения дифракции в одно-, двух- и многоволновом приближениях. Проанализированы амплитуды и интенсивности рассеяния преломленных и дифрагированных волн.

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.902.1

Рубрики:

Структура монокристалів ртуті та її сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.42 + В379.2

Рубрики:

Природа кольорових металів

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ