Представлена конструкция координатно-чувствительного детектора ИК-излучения на основе HgCdTe, работающего в средней ИК-области спектра, использующего фотоэлектромагнитный эффект. Проведен детальный анализ его конструкции и основных параметров.

This paper deals with the design of the IR photoelectromagnetic detector on the base of HgCdTe epitaxial layers. The detail analysis of construction and main parameters is provided.

Приведено решение уравнения Пуассона для контакта "металл-узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3-5 мкм и 8-14 мкм.

Рассмотрено электронное устройство управления электролизом при импульсной подаче напряжения на электролитическую ячейку, что позволило изменением амплитуды импульсов напряжения и тока, их длительности и скважности управлять скоростью и качеством осаждения как отдельных металлов, так и соотношением количества металлических компонентов в электроосаждаемой смеси с учетом их электродных потенциалов. Проведены исследования по осаждению никеля и эвтектических сплавов в системе In-Sn, In-Bi.

In paper it is described the electronic device and method of its using for impulsive galvanostatic and potential-static regimes of one or several metals electrodeposition simultaneously. At impulsive voltage supply on electrolytic cell the electrolysis allows by changing of amplitude of voltage and current impulses, their duration and off-on-time ratio, to control the deposition velocity and quality both of separate metals and ratio of metal component amount in electro-deposited mixture considering their electrode potentials. Investigations of nickel deposition and eutectic alloys in In-Sn, In-Bi system were carried out.

Предложена конструкция трехспектрального фотоприемника, состоящего из фотодиодов на основе фосфида галлия, кремния и германия, расположенных в столбик. Показано, что в максимуме спектральной характеристики, в составе фотоприемника, фотодиоды могут иметь чувствительность не менее 0,2, 0,33 и 0,35 А/Вт соответственно.