Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43

Рубрики:

Голографія

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324-01

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено оптичні властивості, спектри комбінаційного розсіювання, фотоструктурні перетворення, селективне травлення у шарах As - S - Se. Композиційні залежності оптичних властивостей в області прозорості та краю поглинання, а також їх еволюцію під дією зовнішніх чинників (опромінення або відпалу) проаналізовано в рамках одноосциляторної моделі та моделі Пена. Розглянуто особливості механізму необоротних фотоструктурних перетворень. Розроблено основи застосування реєструвальних середовищ на основі шарів As - S - Se для голографії та технології отримання голограмних оптичних елементів з використанням таких середовищ. Значення дифракційної ефективності відбивних рельєфно-фазових граток, отриманих на основі шарів As - S - Se, близьке до теоретичної межі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З843.324

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати досліджень впливу легування на магнітні та термічні властивості, а також структуру склоподібних напівпровідників системи As - S, легованих марганцем (масова частка 1, 2, 5, 8 %), хромом (масова частка 0,5, 0,75 %) й ітербієм (масова частка 0,5, 1, 2 %), за допомогою SQUID-магнітометра, диференційного сканувального калориметра та комбінаційного розсіювання світла. Оцінено енергію активації процесу переходу в скло з використанням формули Кісінджера.

За допомогою диференційного сканувального калориметра визначено температури переходу в скло аморфних склоподібних напівпровідників системи As - S, легованих марганцем (1, 2, 5, 8 % ваги). Оцінено енергію активації процесу переходу в скло, використовуючи формулу Кісінджера.

Розглянуто сучасний стан розвитку методик синтезу і методів одержання морфологічних відмін (волокна, тонкі плівки, нанокристали, композити) халькогенідних безкисневих стекол та факторів, що спричиняють їх практичне застосування. Показано, що за розробленими на цей час ефективними методами синтезу можна одержати гомогенні стекла різної морфології практично без домішок кристалічних часток, хімічних забруднень та фізичних дефектів. Розглянуто перспективні напрямки прикладного застосування синтезованих матеріалів, зокрема, як антивідбивні покриття, хімічну сенсорику, теплобачення, нелінійну оптику, фотоніку тощо.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З861-03

Рубрики:

Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено огляд робіт, присвячений процесу виготовлення халькогенідних плівок методом центрифугування із розчину (spin-coated, SC), а також їх структурним, оптичним, тепловим та іншим властивостям, та створенню структур на їх основі. Технологія виготовлення SC-плівок схожа до нанесення органічних полімерів і не потребує складного обладнання і високих температур. Цей процес відбувається у три етапи: приготування розчину шляхом розчинення порошку масивного скла, нанесення з розчину і термічної обробки Фізичні властивості SC-плівок багато в чому відрізняються від властивостей плівок, одержаних іншими методами (термічного випаровування (thermal evaporation) або імпульсним лазерним осадженням (pulced laser deposition). Наведено порівняння кривих рентгенівської дифракції, спектрів комбінаційного розсіювання для об'ємних халькогенідних стекол та плівок, виготовлених різними методами. Представлено структурні дослідження з використанням FTIR-спектроскопії та високороздільної рентгенівської фотоелектронної спектроскопії (XPS). Теплові пластивості SC-плівок халькогенідних стекол вивчались багатьма дослідниками за допомогою диференціальної скануючої калориметрії (DSC) Для вивчення оптичних властивостей тонких плівок була використана спектроскопія поглинання. Метод нанесення плівок із розчину є зручним для одержання однорідних світлочутливих аморфних халькогенідних плівок різних композицій. Для плівок, одержаних за даною методикою характерні наступні фотоіндуковані оптичні явища: фотопотемніння, фотоіндукована анізотропія (зокрема, фотоіндукований лінійний дихроїзм), фотоіндукована дифузія металів (Ag-фотодопування) та поляризоване фотодопування, що супроводжується появою оптичної анізотропії. Всі перераховані властивості халькогенідних плівок, одержаних із розчину, показують їх перспективність для створення елементів і пристроїв фотоніки. За допомогою методу нанодруку та використання халькогенідних плівок, нанесених з розчину, можуть бути виготовлені суб-мікрометрові хвилеводи, мікрокільцеві резонатори, мікроскопічні ІЧ лінзи, різноманітні гібридні неорганічно-органічні фотонні пристрої.

Описано структури й особливості виготовлення та формування халькогенідних стекол, оптичних волокон із халькогенідних стекол, тонких плівок методами фізичного нанесення з парової фази, нанесення плівок халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) із розчину. Розглянуто методики вимірювання й основні експериментальні результати з дослідження нелінійних оптичних властивостей ХСН. Наведено приклади реалізації пристроїв обробки сигналу з використанням ХСН (оптичне перемикання, перетворення довжини хвилі). Висвітлено можливості застосування ХСН у сенсорній тематиці. Розглянуто інфрачервону термометрію з використанням ХСН хвилеводів, інфрачервону спектроскопію з використанням ХСН, інші типи інфрачервоних волоконних сенсорів, іоноселективні та резистивні сенсори, системи типу "електронний язик". Показано можливості використання середовищ на основі ХСН для запису, відтворення та зберігання інформації. Розкрито фізико-технологічні основи застосування шарів ХСН як середовища для виготовлення елементів інтегральної, волоконної оптики, сенсорики, запису та зберігання інформації й інших практичних застосувань.

Проаналізовано спектри електровідбивання, включаючи їх поляризаційні залежності, для n-Si (110) в енергетичному діапазоні 2,9 - 3,8 еВ. Ідентифіковано та відокремлено 2 внески, що випливають із поверхневої (ізотропна частина відноситься до лінійного електрооптичного ефекту, властивого для (110) поверхні) та об'ємної складових (анізотропна частина стосується ефекту Франца - Келдиша) на основі оптичної анізотропії електрооптичного ефекту. Наявність такої крайності пояснюється нульовим значенням функції електронної хвилі на поверхні та (або) структурним гетеруванням вільних носіїв.