![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Стронський О$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 18
Представлено документи з 1 до 18
|
| | | | |
1. |
Стронський О. В. Властивості високочастотних голограмних дифракційних граток на основі шарів Assub2/subSesub3/sub / О. В. Стронський, П. Ф. Романенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2000. - Вып. 35. - С. 54-57. - Бібліогр.: 9 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.43
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Генцарь П. О. Контроль структурної досконалості епітаксійних плівок IBnD-GaP методом модуляційної спектроскопії електровідбивання / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, О. В. Стронський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2006. - 7, № 4. - С. 780-784. - Бібліогр.: 15 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Генцарь П. О. Оптичні та фізичні явища в приповерхневому шарі $E bold {alpha - roman ZnP sub 2} / П. О. Генцарь, О. І. Власенко, О. В. Стронський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2007. - 8, № 1. - С. 48-52. - Бібліогр.: 23 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Власенко О. І. Дослідження оптичних властивостей халькогенідних скловидних напівпровідникових матеріалів / О. І. Власенко, А. О. Губанова, Ц. А. Криськов, І. В. Лисий, В. П. Папуша, В. М. Сопінський, О. В. Стронський // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2008. - № 1. - С. 73-76. - Бібліогр.: 8 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Стронський О. В. Фотостимульовані процеси в халькогенідних склоподібних напівпровідниках та їх застосування для отримання голограмних оптичних елементів : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О. В. Стронський; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 34 c. - укp.Досліджено оптичні властивості, спектри комбінаційного розсіювання, фотоструктурні перетворення, селективне травлення у шарах As - S - Se. Композиційні залежності оптичних властивостей в області прозорості та краю поглинання, а також їх еволюцію під дією зовнішніх чинників (опромінення або відпалу) проаналізовано в рамках одноосциляторної моделі та моделі Пена. Розглянуто особливості механізму необоротних фотоструктурних перетворень. Розроблено основи застосування реєструвальних середовищ на основі шарів As - S - Se для голографії та технології отримання голограмних оптичних елементів з використанням таких середовищ. Значення дифракційної ефективності відбивних рельєфно-фазових граток, отриманих на основі шарів As - S - Se, близьке до теоретичної межі. Скачати повний текст Індекс рубрикатора НБУВ: В372.4,022 + В379.4,022 + З843.342.022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА315201 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Сопінський М. В. Динаміка після конденсаційної трансформації термонапилених плівок бінарних та псевдобінарних халькогенідних склоподібних напівпровідникових сполук AsVB2DSVBI3-xDSeVBIxD / М. В. Сопінський, О. В. Стронський, П. Є. Шепелявий // Наук. вісн. Чернів. ун-ту. Сер. Фізика, електроніка. - 2006. - Вип. 303. - С. 37-40. - Бібліогр.: 17 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Паюк О. П. Зміна властивостей стекол AsBV2DSBV3D при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія / О. П. Паюк, І. М. Ліщинський, О. В. Стронський, М. Влчек, А. О. Губанова, Ц. А. Криськов, П. Ф. Олексенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 62-67. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.Наведено результати досліджень впливу легування на магнітні та термічні властивості, а також структуру склоподібних напівпровідників системи As - S, легованих марганцем (масова частка 1, 2, 5, 8 %), хромом (масова частка 0,5, 0,75 %) й ітербієм (масова частка 0,5, 1, 2 %), за допомогою SQUID-магнітометра, диференційного сканувального калориметра та комбінаційного розсіювання світла. Оцінено енергію активації процесу переходу в скло з використанням формули Кісінджера. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Паюк О. Властивості стекол AsVB2DSVB3D, легованих марганцем: калориметричні дослідження та Раманівська спектроскопія / О. Паюк, І. Ліщинський, О. Стронський, Ц. Криськов, А. Губанова, Г. Прібилова, М. Влочек // Фізика і хімія твердого тіла. - 2011. - 12, № 3. - С. 594-597. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.За допомогою диференційного сканувального калориметра визначено температури переходу в скло аморфних склоподібних напівпровідників системи As - S, легованих марганцем (1, 2, 5, 8 % ваги). Оцінено енергію активації процесу переходу в скло, використовуючи формулу Кісінджера. Індекс рубрикатора НБУВ: Л43-106 + В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Стронський О. В. Властивості і застосування халькогенідних стекол. Ч. I (огляд) / О. В. Стронський, Г. М. Тельбіз, П. Ф. Олексенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2013. - Вып. 48. - С. 30-53. - Бібліогр.: 100 назв. - укp.Розглянуто сучасний стан розвитку методик синтезу і методів одержання морфологічних відмін (волокна, тонкі плівки, нанокристали, композити) халькогенідних безкисневих стекол та факторів, що спричиняють їх практичне застосування. Показано, що за розробленими на цей час ефективними методами синтезу можна одержати гомогенні стекла різної морфології практично без домішок кристалічних часток, хімічних забруднень та фізичних дефектів. Розглянуто перспективні напрямки прикладного застосування синтезованих матеріалів, зокрема, як антивідбивні покриття, хімічну сенсорику, теплобачення, нелінійну оптику, фотоніку тощо. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.224 + Л43-106
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Юргелевич І. В. Оптичні властивості органо-неорганічних мезоструктурних золь-гель плівок на основі оксидів кремнію та титану з інкорпорованим барвником Родамін 6Ж / І. В. Юргелевич, Г. М. Тельбіз, О. В. Стронський, Л. В. Поперенко, О. Г. Лопатинська, Є. В. Леоненко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2015. - Вип. 1. - С. 223-228. - Бібліогр.: 21 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Ревуцька Л. О. Дослідження структурних властивостей халькогенідних стекол AsVB2DSVB3D, легованих сріблом / Л. О. Ревуцька, О. П. Паюк, О. В. Стронський, О. Й. Гудименко, А. О. Губанова, Ц. А. Криськов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : межвед. сб. науч. тр. - 2016. - Вып. 51. - С. 123-127. - Бібліогр.: 16 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: З861-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Ревуцька Л. О. Нанесення плівок халькогенідних стекол з розчину: виготовлення, властивості, застосування (огляд) / Л. О. Ревуцька, З. Л. Денисова, О. В. Стронський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника : сб. науч. тр. - 2018. - Вып. 53. - С. 124-139. - Бібліогр.: 44 назв. - укp.Проведено огляд робіт, присвячений процесу виготовлення халькогенідних плівок методом центрифугування із розчину (spin-coated, SC), а також їх структурним, оптичним, тепловим та іншим властивостям, та створенню структур на їх основі. Технологія виготовлення SC-плівок схожа до нанесення органічних полімерів і не потребує складного обладнання і високих температур. Цей процес відбувається у три етапи: приготування розчину шляхом розчинення порошку масивного скла, нанесення з розчину і термічної обробки Фізичні властивості SC-плівок багато в чому відрізняються від властивостей плівок, одержаних іншими методами (термічного випаровування (thermal evaporation) або імпульсним лазерним осадженням (pulced laser deposition). Наведено порівняння кривих рентгенівської дифракції, спектрів комбінаційного розсіювання для об'ємних халькогенідних стекол та плівок, виготовлених різними методами. Представлено структурні дослідження з використанням FTIR-спектроскопії та високороздільної рентгенівської фотоелектронної спектроскопії (XPS). Теплові пластивості SC-плівок халькогенідних стекол вивчались багатьма дослідниками за допомогою диференціальної скануючої калориметрії (DSC) Для вивчення оптичних властивостей тонких плівок була використана спектроскопія поглинання. Метод нанесення плівок із розчину є зручним для одержання однорідних світлочутливих аморфних халькогенідних плівок різних композицій. Для плівок, одержаних за даною методикою характерні наступні фотоіндуковані оптичні явища: фотопотемніння, фотоіндукована анізотропія (зокрема, фотоіндукований лінійний дихроїзм), фотоіндукована дифузія металів (Ag-фотодопування) та поляризоване фотодопування, що супроводжується появою оптичної анізотропії. Всі перераховані властивості халькогенідних плівок, одержаних із розчину, показують їх перспективність для створення елементів і пристроїв фотоніки. За допомогою методу нанодруку та використання халькогенідних плівок, нанесених з розчину, можуть бути виготовлені суб-мікрометрові хвилеводи, мікрокільцеві резонатори, мікроскопічні ІЧ лінзи, різноманітні гібридні неорганічно-органічні фотонні пристрої. Індекс рубрикатора НБУВ: Л434.63 + В379.224
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Халькогенідні склоподібні напівпровідники: властивості та практичні застосування : монографія / О. В. Стронський, Є. Ф. Венгер, П. Ф. Олексенко, О. В. Мельничук; Ніжин. держ. ун-т ім. М. Гоголя. - Ніжин, 2016. - 236 c. - укp.Описано структури й особливості виготовлення та формування халькогенідних стекол, оптичних волокон із халькогенідних стекол, тонких плівок методами фізичного нанесення з парової фази, нанесення плівок халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) із розчину. Розглянуто методики вимірювання й основні експериментальні результати з дослідження нелінійних оптичних властивостей ХСН. Наведено приклади реалізації пристроїв обробки сигналу з використанням ХСН (оптичне перемикання, перетворення довжини хвилі). Висвітлено можливості застосування ХСН у сенсорній тематиці. Розглянуто інфрачервону термометрію з використанням ХСН хвилеводів, інфрачервону спектроскопію з використанням ХСН, інші типи інфрачервоних волоконних сенсорів, іоноселективні та резистивні сенсори, системи типу "електронний язик". Показано можливості використання середовищ на основі ХСН для запису, відтворення та зберігання інформації. Розкрито фізико-технологічні основи застосування шарів ХСН як середовища для виготовлення елементів інтегральної, волоконної оптики, сенсорики, запису та зберігання інформації й інших практичних застосувань. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА820619 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Генцарь П. О. Вплив поверхні на спектри електровідбивання n-Si(110) та їх поляризаційну анізотропію / П. О. Генцарь, М. В. Вуйчик, О. В. Стронський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - 21, № 3. - С. 440-444. - Бібліогр.: 16 назв. - укp.Проаналізовано спектри електровідбивання, включаючи їх поляризаційні залежності, для n-Si (110) в енергетичному діапазоні 2,9 - 3,8 еВ. Ідентифіковано та відокремлено 2 внески, що випливають із поверхневої (ізотропна частина відноситься до лінійного електрооптичного ефекту, властивого для (110) поверхні) та об'ємної складових (анізотропна частина стосується ефекту Франца - Келдиша) на основі оптичної анізотропії електрооптичного ефекту. Наявність такої крайності пояснюється нульовим значенням функції електронної хвилі на поверхні та (або) структурним гетеруванням вільних носіїв. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
IX Українська наукова конференція з фізики напівпровідників УНКФН-9, Ужгород, 22-26 травня 2023 = IX Ukrainian Scientific Conference on Physics of Semiconductors (USCPS-9), Uzhhorod, Uktaine, May 22-26, 2023 : тези доп. / ред.: О. Є. Бєляєв, В. О. Кочелап, О. В. Стронський, С. М. Левицький, Р. А. Редько, В. І. Смоланка, В. М. Міца; Національна академія наук України, Українське фізичне товариство, Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, "Ужгородський національний університет", державний вищий навчальний заклад, Інститут електронної фізики НАН України. - Ужгород : РІК-У, 2023. - 395 c. - Бібліогр. в кінці ст. - укp. - англ.Дана збірка містить тези доповідей 9-ї Української наукової конференції з фізики напівпровідників (УНКФН-9) за участі зарубіжних науковців. Матеріали відображають зміст доповідей конференції, у яких викладені нові результати, стан і перспективи досліджень в області фізики напівпровідників за основними напрямками: нові фізичні явища в об'ємі та на поверхні напівпровідників, фізичні явища у низькорозмірних структурах, фізика напівпровідникових приладів, проблемні питання мікро- та наноелектроніки, сучасні фізико-технічні аспекти напівпровідникової сенсорики та оптоелектроніки, надвисокочастотна та терагерцова електроніка, матеріалознавство, технології та діагностика напівпровідникових матеріалів. У збірці надруковані тези пленарних, запрошених, усних та стендових секційних доповідей. Більша частина відповідних повних доповідей за рекомендацією програмного комітету і редакційної колегії конференції буде опублікована в тематичних випусках наукових журналів: "Український фізичний журнал", "Журнал фізичних досліджень", "Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics", "Функціональні матеріали", "Технология и конструирование в электронной аппаратуре", "Фотоелектроніка", "Сенсорна електроніка і мікросистемні технології". Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 я431(4УКР)
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВС71599 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Генцарь П. О. Оптичні властивості монокристалічних кремнієвих нанониток / П. О. Генцарь, О. В. Стронський, Л. А. Карачевцева, В. Ф. Онищенко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2021. - 22, № 3. - С. 453-459. - Бібліогр.: 44 назв. - укp.Наведено результати дослідження оптичних спектрів відбивання та пропускання монокристалу кремнію p-Si (100) із кремнієвими нанонитками, вирощеними з обох сторін і пористого кремнію p-Si (100) на монокристалічній підкладці в спектральному діапазоні 0,2 - 1,7 мкм. Шари нанониток мали товщину 5,5, 20, 50 мкм і пористість 60 %. Шари пористого кремнію мали товщину 5, 50 мкм і пористість 45, 55 % і 65 %. Показано зміну енергетичної зонної структури в монокристалічних кремнієвих нанонитках і монокристалічній матриці пористого кремнію. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + В374
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Попович М. В. Халькогенідні стекла: структурні і оптичні властивості (огляд) / М. В. Попович, О. В. Стронський, Л. О. Ревуцька // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр. - 2023. - Вип. 58. - С. 63-91. - Бібліогр.: 143 назв. - укp.Розглянуто стан вивчення структури халькогенідних стекол (ХС) на прикладі бінарних систем As - S(Se), Ge - S(Se) і потрійних систем Ge - As - S(Se) та структурні моделі, параметри ближнього порядку стекол з використанням дифракційних методів та комбінаційного розсіювання світла (КР) в ХС. Розглянуто спектри КР бінарних стекол систем As - S(Se), Ge - S(Se) та потрійних стекол складу Ge - As - S(Se) і структурні моделі, що використовуються для інтерпретації результатів спектроскопії комбінаційного розсіювання. Обговорено оптичні властивості халькогенідних стекол та край оптичного поглинання в бінарних халькогенідах і в багатокомпонентних системах. Зазначено важливість вивчення фізико-хімічних властивостей стекол та їх взаємозв'язку зі структурою ХС. Застосування халькогенідних стекол у практиці охоплюють широке коло, серед яких: ІЧ-оптика, запис та зберігання інформації, ксерографічні, термопластичні і голографічні середовища, фоторезисти, оптичні сенсори, оптичні фільтри, дифракційні оптичні елементи, нелінійні елементи, тонкоплівкові хвилеводи тощо.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Левицький С. М. Механізми масопереносу індію в Cd(Zn)Te при дії наносекундних лазерних імпульсів / С. М. Левицький, Ц. Цао, О. В. Стронський // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр. - 2023. - Вип. 58. - С. 178-186. - Бібліогр.: 18 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|