Класифіковано подвійні перестановки, які відображають ряд теорії збурення для електрон-фононної взаємодії. Для цього проаналізовано цикли електронної перестановки та їх зв'язок між собою за допомогою фононних перестановок. Установлено залежність між типами зв'язку між електронними циклами та різними виразами для згортки у відповідних аналітичних виразах. Указано і на відповідність до діаграм Фейнмана.

Розраховано концентрацію дифузанта Zn, введеного в газову фазу під час окиснення кремнію. У рівняннях не враховано утворення оксидантів. Рівняння розв'язано за допомогою підстановки Больцмана. Порівняння результатів із експериментальними даними свідчить про правильність прийнятих наближень.

Обчислено дійсну та уявну частини масового оператора для електронів в ізотропних кристалах з параболічним законом дисперсії та електронів у сильно анізотропних кристалах із Фівазовим законом дисперсії, які взаємодіють із акустичним фононом з лінійною дисперсією. Обчислення проводяться для параметрів шаруватого кристала InSe. Порівнюючи такі величини, можна зробити висновок про особливості електрон-фононної взаємодії у кристалах зі слабким зв'язком; зокрема з проведених обчислень випливає висновок про істотніший вплив акустичних фононів на розмиття енергетичних рівнів у порівнянні зі зміною ефективних мас електронів для обох розглянутих дисперсій.

Індекс рубрикатора НБУВ: В315.221 + В382.5

Рубрики:

Діаграми Фейнмана

Взаємодія елементарних частинок

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розраховано енергію основного стану електронів і дірок у структурі, утвореній квантовою ямою (ZnSe) та асиметричними бар'єрами (ZnBeMnSe та ZnBeSe) залежно від ширини немагнітного шару (ШНМШ) і висоти бар'єру (ZnBeMnSe), що змінюється у магнітному полі внаслідок гігантського ефекту Зеємана. Показано особливості та проаналізовано відмінності, що наявні у спектрах електронів і дірок. Обчислено зміну ширини забороненої зони залежно від ШНМШ і розщеплення Зеємана.

Розроблено новий формалізм зображення одночастинкової причинної функції Гріна за допомогою груп перестановок. Створено прямий метод знаходження доданків масового оператора електронів, які взаємодіють між собою та з фононами за Т> 0. Доведено вирази для одержання лише топологічно нееквівалентним діаграмам. Для шаруватих напівпровідників визначено дублети Давидова у енергіях носіїв струму та встановлено їх топології для різних напрямів зони Бріллюена. Розраховано масові оператори екситонів та електронів, які взаємодіють з фононами. Проаналізовано вплив можливих дисторсій структурних одиниць на електронний спектр.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено зміну енергії носіїв струму у наногетероструктурі, що містить шар, легований Mn внаслідок прикладеного магнітного поля. Обчислення проведено для різних стуктур, створених експериментально. Одержані залежності якісно узгоджуються з експериментальними даними з дослідження спектрів люмінесценції, в яких спостерігається: спадання енергії рівня зі зростанням магнітного поля, немонотонні залежності енергії від поля та області незалежності енергії від поля у слабких полях.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 в641 + В379.271.51 в641

Рубрики:

Електричні властивості

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ