![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Тонкошкур О$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 13
Представлено документи з 1 до 13
|
| | | | |
1. |
Тонкошкур О. С. Компонентна база РЕА : Навч. посіб. / О. С. Тонкошкур, О. М. Тристан, О. М. С'янов; Дніпродзерж. держ. техн. ун-т. - Дніпродзержинськ, 2004. - 242 c. - Бібліогр.: с. 239-240. - укp.Охарактеризовано електронні процеси в полікристалічних оксидних напівпровідниках. Висвітлено електронні явища в полікристалічних напівпровідникових матеріалах, описано структурно-технічні та електричні властивості, конструктивні особливості застосування варисторів, терморезисторів і позисторів. Розглянуто проблеми аналізу властивостей полікристалічних напівпровідникових структур. Охарактеризованы электронные процессы в поликристаллических оксидных полупроводниках. Освещены электронные явления в поликристаллических полупроводниковых материалах, описаны структурно-технические и электронные свойства, конструктивные особенности применения варисторов, терморезисторов и позисторов. Рассмотрены проблемы анализа свойств поликристаллических полупроводниковых структур. Індекс рубрикатора НБУВ: З844 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА660188 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Тонкошкур О. С. Цифрові пристрої та мікропроцесори : Навч. посіб. / О. С. Тонкошкур, О. М. Тристан, В. У. Ігнаткін; Дніпродзерж. держ. техн. ун-т. - Дніпродзержинськ, 2006. - 468 c. - Бібліогр.: с. 467-468. - укp.Розглянуто засади побудови, функціонування та програмування цифрових пристроїв (ЦП) і мікропроцесорів. Розкрито арифметичні засади обчислювальної техніки, логічні засади ЦП. Охарактеризовано функціональні вузли комбінаційного (перетворювачі кодів, шифратори та дешифратори, компаротори, мультиплексори та демультиплексори) та послідовного (тригерні пристрої, регістри, лічильники) типів. Проаналізовано особливості використання програмованих структур для розв'язання задач обробки інформації. Рассмотрены основы построения, функционирования и программирования цифровых устройств (ЦУ) и микропроцессоров. Раскрыты арифметические основы вычислительной техники, логические основы ЦУ. Охарактеризованы функциональные узлы комбинационного (преобразователи кодов, шифраторы и дешифраторы, компароторы, мультиплексоры и демультиплексоры) и последовательного (тригерные устройства, регистры, счетчики) типов. Проанализированы особенности применения программированных структур для решения задач обработки информации. Індекс рубрикатора НБУВ: З972 я73-1 + З973-048 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА676978 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Тонкошкур О. С. Цифрові пристрої та мікропроцесори. Мікроконтролери : навч. посіб / О. С. Тонкошкур, В. У. Ігнаткін, І. В. Гомілко; Дніпродзерж. держ. техн. ун-т. - Дніпродзержинськ, 2008. - 207 c. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Висвітлено основні відомості про будову, функціонування та програмування мікроконтролерів найбільш поширених типів. За базовий варіант прийняті швидкісні та багатофункціональні мікроконтролери сімейства AVR. Питання, які пов'язані із програмуванням мікроконтролерів, моделюванням і вивченням роботи діючих на їх базі пристроїв, оформлено у вигляді лабораторних робіт. Наведено детальні відомості про апаратні та програмні засоби поширених мікроконтролерів інших серій. Изложены основные сведения о строении, функционировании и программировании микроконтроллеров наиболее распространенных типов. За базовый вариант приняты скоростные и многофункциональные микроконтроллеры семейства AVR. Вопросы, связанные с программированием микроконтроллеров, моделированием и изучением работы действующих на их основе устройств, оформлены в виде лабораторных работ. Представлены детальные сведения об аппаратных и программных средствах распространенных микроконтроллеров других серий. Індекс рубрикатора НБУВ: З965.974-04 я73-1 + З973-048 я73-1 + З973.4 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА713770 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Ляшков О. Ю. Аналіз газочутливих ефектів в керамічних системах на основі оксиду цинку / О. Ю. Ляшков, О. С. Тонкошкур, І. В. Гомілко // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2006. - № 1. - С. 3-7. - Бібліогр.: 10 назв. - укp. Ключ. слова: оксид цинку, спирт, пари, газочутливість, математична модель, електропровідність Індекс рубрикатора НБУВ: Л428.7-106 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Дегтярьов А. В. Електропровідність позисторних композитів поліетилен - графіт / А. В. Дегтярьов, О. С. Тонкошкур // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 9. - С. 864-868. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Наведено результати дослідження композитів поліетилен - графіт, які свідчать про визначальний вплив на їх електропровідність проходження електронів крізь поліетиленовий прошарок між графітовими зернами. Показано, що модель тунельного електропереносу за участю локалізованих станів у зазначеному прошарку, яка враховує його розширення з ростом температури, дозволяє задовільно описати статичну вольт-амперну характеристику таких композитних матеріалів. Індекс рубрикатора НБУВ: Л719.945
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Тонкошкур О. С. Мікроконтролерні пристрої : навч. посіб. / О. С. Тонкошкур, І. В. Гомілко, О. В. Коваленко; ред.: В. П. Пименов; Дніпропетр. нац. ун-т ім. О. Гончара. - Д., 2011. - 262 c. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Наведено відомості про побудову, функціонування та програмування мікроконтролерів найбільш поширених типів, зокрема, швидкісних та багатофункціональних мікроконтролерів AVR. Описано генератор тактових сигналів, аналоговий компаратор, аналого-цифровий перетворювач, універсальний синхронний та асинхронний приймач, послідовний периферійний інтерфейс SPI та двопроводовий інтерфейс TWI. Розглянуто питання розробки програм для мікроконтролерів і моделювання роботи пристроїв на їх основі. Індекс рубрикатора НБУВ: З965.974-04 я73-1 + З973.4 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА745831 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Тонкошкур О. С. Фізичні основи електричного контролю неоднорідних систем : навч. посіб. / О. С. Тонкошкур, В. У. Ігнаткін; Дніпродзерж. держ. техн. ун-т. - Дніпродзержинськ, 2010. - 290 c. - укp.Описано методи електричних вимірювань та контролю властивостей та якості структурно неоднорідних виробів та матеріалів. Проаналізовано вплив форми частинок на діелектричну проникність матричної системи, поверхневої провідності на діелектричні явища та плівковий ефект. Визначено електропровідність систем з провідниковою фазою, електронні явища в міжкристалічних потенціальних бар'єрах, властивості напівпровідникового кристаліта, ізольованого міжкристалічною фазою, у змінному електричному полі, а також властивості полікристалічних напівпровідникових структур. Висвітлено особливості неоднорідних структур зі стрибковим електропереносом. Визначено параметри неоднорідних елементів електронних приладів: оксидні варисторні структури, композиційні фоторезистивні шари, керамічні газочутливі елементи, позисторні композити типу поліетилен-графіт. Увагу приділено питанням застосування електричних вимірювань для неруйнівного контролю матеріалів, контролю порошкоподібних матеріалів, використання системи метал - склоподібний напівпровідник. Описаны методы электрических измерений и контроля свойств и качества структурно неоднородных изделий и материалов. Проанализированы влияние формы частиц на диэлектрическую проницаемость матричной системы, поверхностной проводимости на диэлектрические явления и пленочный эффект. Определены электропроводимость систем с проводниковой фазой, электронные явления в межкристаллических потенциальных барьерах, свойства полупроводникового кристаллита, изолированного межкристаллической фазой, в переменном электрическом поле, а также свойства поликристаллических полупроводниковых структур. Освещены особенности неоднородных структур со скачковым электропереносом. Определены параметры неоднородных элементов электронных приборов: оксидные варисторные структуры, композиционные фоторезисторные шары, керамические газочувствительные элементы, позисторные композиты типа полиэтилен-графит. Внимание уделено вопросам применения электрических измерений для неразрушающего контроля материалов, контроля порошкообразных материалов, использования системы металл - стеклообразный полупроводник. Індекс рубрикатора НБУВ: В377я73 + З221я73-1
Шифр НБУВ: ВА734617 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Іванченко О. В. Електроміграційна модель деградації металооксидних варисторних структур / О. В. Іванченко, О. С. Тонкошкур // Укр. фіз. журн. - 2012. - 57, № 3. - С. 331-339. - Бібліогр.: 28 назв. - укp.Наведено результати моделювання впливу міграції іонів у напівпровідникових кристалітах оксиду цинку за тривалого протікання робочого електричного струму на вольтамперні характеристики (ВАХ) варисторних структур і визначення умов та параметрів, придатних для контролю процесу їх незворотної деградації. Встановлено, що більш схильна до змін (накопичення приповерхневої концентрації донорів, зменшення висоти й товщини) складова міжкристалітного потенціального бар'єра, яка утворюється областю просторового заряду кристаліта, є зворотно зміщеною під час протікання деградаційного струму. У процесі деградації варисторна ділянка прямої (стосовно струму деградації) гілки ВАХ більше зміщується в область менших напруг, а струм витоку більше зростає для слабонелінійної ділянки зворотної гілки ВАХ. Показано відповідність тенденцій зміни основних варисторних параметрів (зниження класифікаційної напруги, зменшення коефіцієнта нелінійності та збільшення струму витоку), котрі одержані з аналізу розвинутої моделі, відомим експериментальним даним і можливість оцінки коефіцієнта дифузії заряджених донорів та використання цього параметра у контролі працездатності виробів на основі варисторних оксидно-цинкових структур з тунельною ВАХ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Тонкошкур О. С. Основи мікропроцесорної техніки : підручник / О. С. Тонкошкур, О. В. Іванченко, О. В. Коваленко; Дніпропетр. нац. ун-т ім. О. Гончара. - Дніпропетровськ, 2015. - 254, [1] c. - Бібліогр.: с. 254 - укp.Розкрито основи мікропроцесорної техніки, зокрема базові поняття, принципи її побудови та функціонування. Викладено головні відомості з арифметичних основ цифрових пристроїв, побудови і функціонування основних функціональних вузлів та мікропроцесорів та їх інтерфейсу на прикладі мікропроцесорного комплекту КР580. Індекс рубрикатора НБУВ: З973-048 я73-1 + З973.4 я73-1
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА794978 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Тонкошкур О. С. Електроніка неоднорідних систем. Практикум : навч. посіб. / О. С. Тонкошкур, О. В. Коваленко; Дніпропетр. нац. ун-т ім. О. Гончара. - Дніпропетровськ, 2016. - 79 c. - укp.Викладено уявлення про частотні залежності комплексної діелектричної проникності однорідних діелектриків та формальні моделі, які застосовуються для їх аналізу. Охарактеризовано сучасний стан вивченості діелектричних властивостей гетерогенних двокомпонентних діелектриків. Подано відомості про механізми електропереносу через міжкристалітні потенціальні бар'єри в неоднорідних структурах та методи моделювання їх вольтамперних характеристик. Подано теоретичні уявлення про діелектричні властивості неоднорідних діелектриків із напівпровідниковими включеннями та фізичні основи діелектричної релаксаційної спектроскопії як методу дослідження локалізованих електронних станів у неоднорідних структурах. Індекс рубрикатора НБУВ: З85-01 я73
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА804847 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Тонкошкур О. С. Алгоритм обробки даних кінетики відгуку резистивного газового сенсору на основі моделі розтягнутої експоненціальної функції / О. С. Тонкошкур, Є. Л. Повзло // Систем. технології. - 2017. - № 1. - С. 129-134. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.Проведено оцінку придатності алгоритму на основі моделі розтягнутої експоненціальної функції для обробки даних кінетики відгуку резистивних газових сенсорів з метою різширення функціональних властивостей відповідних інформаційно-вимірювальних технологій і практичного застосування. Апробація алгоритму на зразках газових сенсорів на основі керамічного оксиду цинку показала його ефективність для моделювання кінетики спаду відгуку після впливу активного газу (метану). Визначено параметри: статичне значення відгуку; середній час релаксації та його розподіл. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж109.5-51
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69472 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Тонкошкур О. С. Проблеми надійності фотоелектричних компонентів сонячних батарей / О. С. Тонкошкур, Л. В. Накашидзе // Відновлюв. енергетика. - 2018. - № 3. - С. 21-30. - Бібліогр.: 20 назв. - укp.Проаналізовані наявні уявлення про причини появи локальних областей з підвищеною температурою ("гарячих плям") в панелях сонячних батарей та методи й засоби їх запобігання. Відмічені перспективи додаткових блокувальних елементів для ізоляції температурних і струмових перевантажень та перенапруг у фотоелектричних елементах та їхніх модулях на основі недорогих елементів сучасної функціональної електроніки, зокрема, самовідновлювальних запобіжників типу "Polyswith". Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж25096 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Захист сонячних батарей від електричних перевантажень : монографія / О. С. Тонкошкур, О. В. Іванченко, Л. В. Накашидзе, С. В. Мазурик; ред.: О. С. Тонкошкур; Дніпр. нац. ун-т ім. О. Гончара. - Дніпро : Акцент, 2018. - 112 c. - укp.Надано інформацію про фактори, що ведуть до відмов фотоелектричних компонентів сонячних батарей. Наведено схемотехнічні методи та засоби, що дозволяють тією чи іншою мірою вирішувати проблеми забезпечення їх надійності. Особливу увагу приділено сучасним уявленням про причини появи ''гарячих плям'' і новим підходам до їх запобігання. Обговорено можливості застосування елементів сучасної функціональної електроніки, зокрема, самовідновлюваних запобіжників для протидії струмовим перенавантаженням та ізоляції ''перегрітих'' фотоелектричних елементів. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.83 + З854
Рубрики:
Шифр НБУВ: ВА829209 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|