Проанализированы существующие математические модели полевых транзисторов Шоттки. Проведены исследования зависимости инвариантного коэффициента устойчивости для трех схем включения транзистора, выходного сопротивления схемы с общим стоком при индуктивном и активном сопротивлении, включенном на входе. Разработаны схемы активных СВЧ-фильтров, пригодных для исполнения в виде гибридной или полупроводниковой микросхемы.

The existent mathematical models of the field effect transistors Shottky are analysed. Researches of dependence of invariant stability coefficient for three transistor's circuit of including,output resistance of common source circuit with inductive and active resistance on the input port. The circuit of the active microwave filters that suitable for manufacturing as a hybrid or semiconductor microcircuit are developed.

Ключ. слова: полевой транзистор, негатрон, активная индуктивность, СВЧ, интегральная схема
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложен способ определения параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шоттки, основанный на измерении коэффициента максимального устойчивого усиления транзистора при различных схемах его включения.

Предложена математическая модель комбинированного оптонегатрона на биполярном фототранзисторе, проведено исследование влияния интенсивности оптического излучения на устойчивость оптонегатрона в разных схемах его включения.

Двухзатворный полевой транзистор Шоттки (ПТШ2) является многофункциональным прибором, который обеспечивает реализацию на одном кристалле двух функционально самостоятельных устройств. Рассмотрена упрощенная методика получения математической модели ПТШ2 при включении его в виде четырехполюсника с подключенными к общей шине электродом истока (И) и первого затвора (З1).

Рассмотрен способ измерения нестандартных систем Z- и S-параметров оптонегатронов на базе фототранзисторов путем измерения комплексных коэффициентов отражения от входа (выхода) четырехполюсника при произвольных нагрузках. Приведены результаты оценки погрешностей измерения параметров указанным способом.

Разработан и исследован датчик расхода электроэнергии на базе транзисторного динамического негатрона. В датчике отсутствуют механические части и электрический контакт с электрической сетью, он позволяет осуществлять контроль дистанционно, благодаря чему его можно встраивать в элементы конструкций здания.

Розроблено та досліджено напівактивний радіочастотний датчик витрати електроенергії на базі транзисторного динамічного негатрона. У розробленому датчику відсутні механічні частини й електричний контакт з електричною мережею, він дозволяє проводити контроль дистанційно, завдяки чому його можна вбудувати в елементи конструкцій будівлі.

A semi-active RF sensor of power consumption based on the transistor dynamic negatron was developed and investigated. The designed sensor has no mechanical parts and there is no electrical contact between the sensor and electrical grid, it can be monitored distantly, whereupon the sensor can be embedded in structural elements of the building.

Предложен интегральный критерий оценки эффективности токовых конвейеров. Проведены компьютерное моделирование токовых конвейеров на одном, двух и 18 транзисторах и сравнение их эффективности. Показано, что наиболее эффективным для построения преобразователей иммитанса и информационных устройств на их основе является конвейер тока на одном транзисторе.

Проведена оценка динамического диапазона иммитансных логических элементов (ИЛЭ). Обоснованы параметры, характеризующие динамический диапазон работы, и разработан математический аппарат для расчета. Дана численная оценка динамического диапазона ИЛЭ "НЕ" R- и LC-типов на основе биполярного транзистора.

Рассмотрена возможность построения трехпараметрического радиочастотного датчика. Разработана математическая модель, которая описывает взаимосвязь параметров датчика с параметрами первичных измерительных преобразователей. Исследованы основные зависимости параметров датчика, его функция преобразования и чувствительность. Результаты исследований и адекватность математической модели проверены экспериментальным путем.

Розглянуто можливість побудови трипараметричного радіочастотного датчика. Розроблено математичну модель датчика, яка описує взаємозв'язок параметрів датчика з параметрами первинних вимірювальних перетворювачів. Досліджено основні залежності параметрів датчика, його функцію перетворення і чутливість. Результати досліджень і адекватність математичної моделі перевірено експериментальним шляхом.

Generating sensors provide the possibility of getting remote information and its easy conversion into digital form. Typically, these are one-parameter sensors formed by combination of a primary transmitter (PT) and a sine wave generator. Two-parametersensors are not widely used as their implementation causes a problem with ambiguity output when measuring the PT. Nevertheless, the problem of creating miniature, thrifty multi-parameter RF sensors for different branches of science and industry remains relevant. Considering ways of designing RF sensors, we study the possibility of constructing a three-parameter microwave radio frequency range sensor, which is based on a two-stage three-parameter generalized immitance convertor (GIC). Resistive, inductive and capacitive PT are used as sensing elements. A mathematical model of the sensor, which describes the relation of the sensor parameters to the parameters of GIC and PT was developed. The basic parameters of the sensor, its transfer function and sensitivity were studied. It is shown that the maximum value of the power generated signal will be observed at a frequency of 175 MHz, and the frequency ranges depending on the parameters of the PT will be different. Research results and adequacy of the mathematical model were verified by the experiment. Error of the calculated dependences of the lasing frequency on PT parameters change, compared with the experimental data does not exceed 2 %. The relative sensitivity of the sensor based on two-stage GIC showed that for the resistive channel it is about 1.88, for the capacitive channel –1,54 and for the inductive channel –11,5. Thus, it becomes possible to increase the sensor sensitivity compared with the sensitivity of the PT almost 1,2-2 times, and by using the two stage GIC a multifunctional sensor is provided.

Предложены R-, L-, C-ограничители иммитанса в виде четырехполюсника, выходной иммитанс которого до определенного значения зависит от величины входного. Приведена классификация ограничителей иммитанса. Обоснованы основные параметры. Разработаны пассивные R-, L-, C-ограничители с возможностью ограничения иммитанса сверху и снизу. Проведена оценка влияния входных паразитных составляющих иммитанса на передаточную характеристику ограничителей.

The paper presents quadripole R, L, C immittance limiters, in which output immittance to the certain value depends on the input immittance. A classification of immittance limiters is given. Basic parameters are considered: low and high levels of output immittance limiters; low and high values of input immittance, corresponding to low and high levels of limitation, accordingly; range of possible values of output immittance; steepness of immittance limiters; time of wearing-out (or delay); high and lowcutoff frequencies; central working frequency; frequency band; relative range of working frequencies; non-linearity coefficient. The authors have designed passive R-, L-, C-limiters with possibility of limitation from above and from below. The influence of the input parasitic immittances on the immittance transfer characteristic is evaluated. In most cases parasite immittance does not influence the considered devices, including R-limiters «from above» with the input quality factor of QR(Linp) = 0,1 - 2 and L-limiters «from above» with high-quality input circuits with QL(Rinp)>2. The analysis also shows that high-qualitiy circuits with QN(RinpN) > 3 should be used in C-limiters with input parasitic immittances, while at parasitic immittance of the limiting element low-quality circuits with QN(RiN)>0,2 should be selected.

Обобщены прикладные результаты исследований в направлении разработки элементной вычислительной базы, способной работать на несущей частоте сигнала - радиочастотных логических элементов. Основой построения таких элементов являются активные и пассивные обобщенные преобразователи иммитанса, имеющие комплексный коэффициент преобразования иммитанса.