Описано будову електричних машин постійного струму та розглянуто технологію ремонту їх основних складових частин. Наведено довідковий матеріал щодо стандартизації, номенклатури застосовуваних провідників, шин, щіток, ізоляційних матеріалів та обмоткових даних основних типопредставників серій машин постійного струму.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Изложена методика выполнения курсового проекта по разработке конструкции и механических расчетов двигателей постоянного тока с высотой вращения 200 - 315 мм. Описаны конструкции двигателя и основные принципы конструирования. Освещены особенности определения размеров и крепления обмотки якоря, расчета его запирающего кольца и зубцов на прочность, а также размеров коллектора, щеточного узла, вентилятора, вала, подшипниковых опор. Определены предельные отклонения размеров в системе отверстия.

Проведено комплексне дослідження самоіндукованих SiGe-наноострівців на кремнієвій підкладці, сформованих за різних температур молекулярно-променевої епітаксії. У результаті досліджень з допомогою атомно-силової мікроскопії встановлено залежності щільності, об'єму та форми наноострівців від температури епітаксії. З використанням спектроскопії комбінаційно розсіюваного світла та високороздільної рентгенівської дифрактометрії визначено усереднені величини пружних деформацій та компонентного складу острівців залежно від температури їх зростання. Показано, що під час збільшення температури епітаксії значно зростає дифузія Si в острівці і, як наслідок, розширюється область стабільності пірамідальних острівців з різними об'ємами.

З використанням атомної силової мікроскопії та спектроскопії КРС встановлено залежності щільності, об'єму та форми Ge-наноострівців від товщини епітаксійного германієвого шару та температури кремнієвої підкладки. Підтверджено зв'язок бімодального розподілу острівців за розмірами з двома їх можливими рівноважними формами. Показано, що склад острівців є змішаним за рахунок дифузії атомів Si з кремнієвої підкладки і цей процес значно посилюється зі збільшенням температури росту.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + З843.312-01

Рубрики:

Одержання плівок

Кремній та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

З аналізу розподілу інтенсивності дифузно розсіяних рентгенівських променів в оберненому просторі одержано інформацію про перехід від 2D- до 3D-структур у багатошарових зразках SiGe. Показано, що слабкоскорельовані квантові точки, що дають внесок у формування латеральних сателітів, мало впливають на формування когерентної сателітної структури. При цьому істотним залишається їх вплив на розподіл полів деформацій у шарах надгратки. Це проілюстровано застосуванням методу двовимірних карт розподілу інтенсивності навколо вузла оберненої гратки до періодичних Si/SiGe-надграток з різною товщиною шару германію (4 або 7 моношарів), а також до періодичних SiGe-точок, вбудованих у кремній.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.3 + В379.2

Рубрики:

Фізика діелектриків

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: ультразвукове опромінення, фотолюмінесценція, мас-спектрометрія, нанокристал, SiO_2
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Визначено механізми й особливості фізичних процесів, які визначають формування германій-кремнієвих наноструктур, досліджено взаємозв'язок морфологічних характеристик з їх структурними й оптичними властивостями. Узагальнено результати досліджень морфологічних, структурних та оптичних властивостей самоіндукованих наноострівців, сформованих у процесі молекулярно-променевої епітаксії, за умов варіювання різних технологічних параметрів. Встановлено, що у процесі самоіндукованого формування GeSi наноострівців на Si підкладках важливу роль відіграє інтердифузія, обумовлена неоднорідними напруженнями в самих острівцях і в областях підкладки, що їх оточують. Виявлено, що значне компонентне перемішування в острівцях впливає на величину механічних напружень, їх розміри та визначає критичний об'єм, за якого відбуваються переходи з пірамідальної форми росту до куполоподібної. З'ясовано, що на остаточні властивості наноструктур з GeSi острівцями впливають параметри буферних шарів, на які епітаксіально осаджується германій, а також процеси покриття острівців кремієвим шаром, оскільки їх форма, компонентний склад і ступінь реалізації залежать від температури зарощування та товщини покривного шару. Продемонстровано можливість використання багатошарових структур з GeSi острівцями як детекторів випромінювання для ближньої інфрачервоної області. Показано, що для планарних SiGe шарів, сформованих на Si підкладках, легування вуглеців з рівномірним і нерівномірним профілем його розподілу дозволяє контролювати та впливати на процеси релаксації напружень у структурах.

Розглянуто проблему олімпійської освіти (ОО) учнів загальноосвітніх навчальних закладів (ЗНЗ) України. Описано процес навчання фізичній культурі (ФК) учнів, педагогічні умови формування знань з олімпійської тематики школярів V - VII класів ЗНЗ. Обгрунтовано та проаналізовано дані умови у процесі занять учнів ФК. Визначено роль і значення ОО у навчальному процесі ФК школярів, асоціації підлітків на Олімпійські ігри, обізнаність 12-річних школярів у питаннях олімпійського руху та їх ставлення до занять фізичними вправами. Запропоновано для впровадження форми ОО для дітей середнього шкільного віку.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Репрезентовано сучасний погляд на хронічне обструктивне захворювання легень з позиції його двох протилежних фенотипів і дефіцит маси тіла й ожиріння; механізми розвитку, діагностика й лікування.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.251.4

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано виявлення деяких алергічних захворювань у Чернівцях і Чернівецькій області. Для досягнення вагомих результатів діяльності алергологічної служби необхідним є впровадження сучасних технологій, навчання фахівців з алергології, лікарів загальної практики, інших лікарів-спеціалістів.

Обгрунтовано теоретичні засади інвестиційної діяльності комерційних банків і розроблено методичні основи ринкового механізму управління банківськими інвестиціями. Визначено роль і зміст інвестиційної діяльності комерційних банків у системі грошово-кредитних відносин. Запропоновано власне трактування економічної сутності ринкового механізму управління банківськими інвестиціями, який передбачає ринкові методи впливу на всі стадії процесу управління. Розглянуто макроекономічні характеристики розвитку операцій банків в інвестиційній сфері. Здійснено аналіз інвестиційного ресурсного потенціалу та інвестиційного кредитування банками реального сектору економіки. З'ясовано напрями вдосконалення державної інвестиційної політики у взаємозв'язку з банківською інвестиційною діяльністю. Визначено перспективи розвитку банківського інвестиційного кредитування, зокрема такої його форми, як проектне кредитування, а також показано напрями нарощення банківських інвестиційних ресурсів на основі сек'юритизації активів. Запропоновано підхід до моделювання оптимального кредитно-інвестиційного портфеля банку.

Показано, що вихідні, необроблені кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, після ВЧ-обробок деградують суттвєо менше у порівнянні зі зразками, легованими хромом. Даний ефект свідчить про суттєвий вплив типу компенсуючої домішки на деградаційну стійкість матеріалу. Також встановлено, що кристали напівізолюючого GaAs, компенсовані телуром, що пройшли попередню обробку в плазмі водню, мають вищу деградаційну стійкість до впливу тривалих високочастотних і мікрохвильових обробок, у порівнянні з необробленими кристалами.