![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Asmontas S$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
|
| | | | |
1. |
Asmontas S. Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation / S. Asmontas, D. Seliuta, E. Sirmulis // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 138-143. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + З86-530.12
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Lytovchenko V. G. Preparation and study of porous Si surfaces obtained using the electrochemical method / V. G. Lytovchenko, T. I. Gorbanyuk, V. P. Kladko, A. V. Sarikov, N. V. Safriuk, L. L. Fedorenko, S. Asmontas, J. Gradauskas, E. Sirmulis, O. Zalys // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 4. - С. 385-395. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.Review of original results concerning electrochemical formation of porous Si layers and investigation of properties inherent to the formed layers has been presented. The results related with observation of changes in pores' morphology depending on the etching conditions, correlation of morphology of the porous layers with their surface composition, photoluminescence and structural characteristics, catalytic activity of porous Si based MIS structures as well as theoretical modeling of the kinetics and mechanisms of the porous Si growth have been described. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|