Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Asmontas S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
      
Категорія:    
1.

Asmontas S. 
Photoresponse of Schottky-barrier detector under strong IR laser excitation / S. Asmontas, D. Seliuta, E. Sirmulis // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 138-143. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + З86-530.12

Рубрики:
 Електричні властивості 
 Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка) 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Lytovchenko V. G. 
Preparation and study of porous Si surfaces obtained using the electrochemical method / V. G. Lytovchenko, T. I. Gorbanyuk, V. P. Kladko, A. V. Sarikov, N. V. Safriuk, L. L. Fedorenko, S. Asmontas, J. Gradauskas, E. Sirmulis, O. Zalys // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 4. - С. 385-395. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.

Review of original results concerning electrochemical formation of porous Si layers and investigation of properties inherent to the formed layers has been presented. The results related with observation of changes in pores' morphology depending on the etching conditions, correlation of morphology of the porous layers with their surface composition, photoluminescence and structural characteristics, catalytic activity of porous Si based MIS structures as well as theoretical modeling of the kinetics and mechanisms of the porous Si growth have been described.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225

Рубрики:
 Поверхневі явища в напівпровідниках 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського