Наведено емпіричну модель спектральної залежності розподілу щільності електронних станів, яка охоплює основні особливості аморфного кремнію. Показано вплив ступеня розупорядкованості аморфної структури на форму і величину хвостів електронних станів валентної зони та зони провідності. Ці хвости в забороненій зоні впливають на багато унікальних властивостей аморфних напівпровідників. Результати можуть бути застосовані для оптимізації технології та моделювання роботи багатьох приладів на основі аморфного кремнію (сонячних елементів, транзисторів та ін).