Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.27

Рубрики:

Структура напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: silicides, roughness, growth technique, AFM images
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + Ж619

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

An effective method to fabricate high-quality Josephson junctions based on molybdenum - rhenium and niobium - nitrogen superconducting alloys is presented. The physical origin of the observed nonstandard current - voltage characteristics as well as their temperature dependence is related to the inhomogeneity of a transition region between the superconducting electrodes. Numerical data obtained for SNIS heterostructures well agree with experimental observations.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.425-1

Рубрики:

Сполуки цирконію з іншими елементами

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.25

Рубрики:

Тунельний ефект

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Conventional Josephson metal - insulator - metal devices are inherently underdamped and exhibit hysteretic current-voltage response due to a very high subgap resistance compared to that in the normal state. At the same time, overdamped junctions with single-valued characteristics are needed for most superconducting digital applications. The usual way to overcome the hysteretic behavior is to place an external low-resistance normal-metal shunt in parallel with each junction. Unfortunately, such solution results in a considerable complication of the circuitry design and introduces parasitic inductance through the junction. This paper provides a concise overview of some generic approaches that have been proposed in order to realize internal shunting in Josephson heterostructures with a barrier that itself contains the desired resistive component. The main attention is paid to self-shunted devices with local weak-link transmission probabilities that are so strongly disordered in the inter-face plane that transmission probabilities are tiny for the main part of the transition region between two super-conducting electrodes, while a small part of the interface is well transparent. We discuss the possibility of realizing a universal bimodal distribution function and emphasize advantages of such junctions that can be considered as a new class of self-shunted Josephson devices promising for practical applications in superconducting electronics operating at 4,2 K.

Thin-film hybrid heterostructures formed by superconducting molybdenum-rhenium-alloy films with a critical temperature of about 9 K and nanoscale silicon-based semiconducting interlayers with metallic tungsten nanorods have been fabricated and studied. Current-voltage characteristics of the junctions were measured at 4,2 K and under influence of 11 GHz microwave irradiation. The evidence of a quasi-one-dimensional transport through the tungsten weak links disrupted by phase-slip centers was revealed in MoRe/doped Si/MoRe trilayers under irradiation by a high-frequency field. Also, measured current-voltage characteristics of five-layer MoRe/doped Si/MoRe/doped Si/MoRe devices exhibit a strong influence of a dissipation state in the MoRe interlayer. Namely, the switching from a superconducting state with low dissipation to a finite-conductance regime can be initiated by the emergence of an extra phase-slip center in the MoRe interlayer. Possible physical mechanisms of the two findings are discussed.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.27

Рубрики:

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж28079/рад.фіз.Ел. Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою формалізму Ландауера-Буттікера досліджено спін-залежний балістичний транспорт крізь мезоскопічну трьохтермінальну Y-подібну структуру з чутливою до спіну феромагнітною мембраною в одному з вихідних провідників. Розрахунки, виконані при досить низьких температурах, коли тепловими ефектами і розсіюванням на магнонах можна знехтувати, передбачають істотне посилення ефекту спінової фільтрації, обумовленого неузгодженістю між зонними структурами феромагнітного металу та провідника. На закінчення обговорено можливі застосування цього явища для ефективної інжекції спін-поляризованого струму в надпровідник і саморегульованих спінових струмів квантових спінтронних мережах.

За допомогою формалізму Ландауера-Буттікера досліджено спін-залежний балістичний транспорт крізь мезоскопічну трьохтермінальну Y-подібну структуру з чутливою до спіну феромагнітною мембраною в одному з вихідних провідників. Розрахунки, виконані при досить низьких температурах, коли тепловими ефектами і розсіюванням на магнонах можна знехтувати, передбачають істотне посилення ефекту спінової фільтрації, обумовленого неузгодженістю між зонними структурами феромагнітного металу та провідника. На закінчення обговорено можливі застосування цього явища для ефективної інжекції спін-поляризованого струму в надпровідник і саморегульованих спінових струмів квантових спінтронних мережах.

Джозефсонів ефект, - приклад макроскопічного квантового явища, - спостерігається у тришарових гетероструктурах, утворених двома надпровідниками, сполученими слабкою ланкою, яка зазвичай складається з ізоляційного бар'єру товщиною у 1 - 2 нм. Традиційний спосіб моделювання динаміки таких систем базується на еквівалентній схемі, що включає три паралельних елементи: суто надпровідний елемент з певною залежністю надструму від Джозефсонової різниці фаз, резистор R і конденсатор C. У даному стислому огляді проаналізовано практичну проблему зменшення ємності переходу за збереження або незначного погіршення інших характеристик. Наведено декілька аргументів, які пояснюють, чому ємність має бути зменшеною та як вона впливатиме на параметри надпровідного квантового інтерферометра. Задля розв'язання проблеми переходів низької ємності запропоновано слабкі ланки, створені з аморфного кремнійового прошарку, легованого нанорозмірними металевими крапельками, між двома надпровідними електродами зі стопу Mo - Re.

Виявлена кореляція між критичною температурою надпровідного переходу у високотемпературних надпровідниках і близькістю їх електронної структури до топологічного переходу Ліфшиця вимагає перевірки на більш простих модельних матеріалах. Показано, що таким об'єктом може бути сплав молібдену з ренієм із рівною концентрацією складових елементів. Наведено нові докази наявності двох енергетичних щілин у цьому матеріалі, отримані за допомогою мікроконтактної спектроскопії. Стверджується, що досліджений сплав Mo - Re може бути використано для реалізації нових квантових ефектів, які пов'язані з різницею фаз електронних хвильових функцій у різних зонах.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л288.62

Рубрики:

Сполуки молібдену

Шифр НБУВ: Ж23022 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The origin of anomalous current-carrying edge states in quasi-two-dimensional quantum samples with an insulating interior is currently mysterious. We propose to address this issue using a hybrid setup, an interferometric phase-sensitive configuration of two independent scanning probe tips, normal and superconducting, able to realize the quantum interference effect of quasiparticle currents moving in different directions along the metallic-like one-dimensional near-boundary channels. To simulate the dissipationless edge currents, we consider a quantum material with a simple Corbino disk geometry and analyze how the differential conductance spectrum depends on the distance between the two tips, the applied voltage bias, and the presence of a magnetic field. An essential difference between classical and quantum expectations should clarify the enigmatic origin of the long-range conducting modes observed in different materials at low temperatures. Strong dependence on the applied magnetic field can be useful for practical implementation of the quantum effects associated with the phase difference of electron wave functions in the ring geometry.