Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (4) | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Belyaev A$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 48 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Martin P. M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots = Ємнісна спектроскопія InAs самоорганізованих квантових точок / P. M. Martin, A. E. Belyaev, L. Eaves, P. C. Main, F. W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 7-12. - Библиогр.: 16 назв. - англ. Ємнісна спектроскопія використується для дослідження електронних властивостей само-організованих InAs квантових точок. Вимірювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емності, C(B), дозволяють досліджувати електростатичний профіль однобар'єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, які містять в AlAs бар'єрі шар само-організованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов'язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повністю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар'єрі, що, на нашу думку, пов'язано з іонізованими дефектами чи домішками, які обумовлені квантовими точками. Показано, що міра компенсації суттєво залежить від ростових умов. Ключ. слова: MBE growth, InAs quantum dots, capacitance spectroscopy Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Vitusevich S. A. Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped ip-n/i junction = Оптично кероване тунелювання 2D носіїв в дельта легованих GaAs ip-n/i переходах / S. A. Vitusevich, A. Forster, A. E. Belyaev, B. A. Glavin, K. M. Indlekofer, H. Luth, R. V. Konakova // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 7-10. - Библиогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Belyaev A. A. Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes = Радіаційна стійкість резонансно-тунельних діодiв на основі гетероструктур AlAs/GaAs / A. A. Belyaev, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, V.V. Milenin, E. A. Soloviev, L. N. Kravchenko, T. Figielski, T. Wosinski, A. Makosa // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 98-101. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Atanassova E. D. Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures = Вплив активних дій на властивості напівпровідникових матеріалів і структур : monogr. / E. D. Atanassova, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, P. M.Milenin Lytvyn, V. F. Mitin, V. V. Shynkarenko; V.Lashkaryov Inst. of Semiconductor Phys. of the NAS of Ukraine, Bulg. Acad. of Sciences, Inst. of Solid State Phys. - Kharkiv, 2007. - 215 p. c. - (State and Prosp. of Development for Functional Materials for Science and Technology). - англ.
Шифр НБУВ: ІВ209499 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Belyaev A. V. The entire solutions of the Euler - Poisson equations = Цілі розв'язки рівнянь Ейлера - Пуассона / A. V. Belyaev // Укр. мат. журн. - 2004. - 56, № 5. - С. 677-686. - Библиогр.: 7 назв. - англ. Наведено всі цілі розв'язки рівнянь Ейлера - Пуассона. Індекс рубрикатора НБУВ: В161.61 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Kiselov V. S. Effect of Si infiltration method on the biomorphous SiC microstructure properties / V. S. Kiselov, E. N. Kalabukhova, A. A. Sitnikov, P. M. Litvin, V. I. Poludin, V. A. Yukhymchyk, A. E. Belyaev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2009. - 7, вип. 1. - С. 237-243. - Библиогр.: 16 назв. - англ. Two types of wood-based biomorphous SiC composites with different microstructure are obtained by infiltration of carbon template with liquid or vapour silicon. The oak, pine, lilac, walnut, acacia woods available in Ukraine are used as the biological template in this work. The SEM, optical and EPR data indicate that biomorphous SiC obtained by melt infiltration consists of crystalline 3C-SiC phase while that obtained by vapour infiltration consists of both crystalline and amorphous 3C-SiC phase. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.04 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Boltovets N. S. Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals / N. S. Boltovets, V. V. Basanets, V. N. Ivanov, V. A. Krivutsa, A. V. Тsvir, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 359-370. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Досліджено параметри кремнієвих і арсенід-галієвих НВЧ діодів різного функціонального призначення, термостійкі контакти яких виготовлено на базі фаз проникнення. Запропоновано уніфіковану технологічну схему виготовлення мікродіодів із об'ємними контактами. Випробуваннями даних діодів у форсованих режимах доведено їх високу термостійкість. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-03 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Mazur Yu. I. Quaternary semimagnetic Hgsub1-x-y/subCdsubx/subMnsuby/subSe crystals for optoelectronic applications / Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov, E. V. Kuz'menko, A. E. Belyaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 37-45. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Belyaev A. E. Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions / A. E. Belyaev, C. T. Foxon, S. V. Novikov, O. Makarovsky, L. Eaves, M. J. Kappers, J. S. Barnard, C. J. Humphreys, S. V. Danylyuk, S. A. Vitusevich, A. V. Naumov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 175-179. - Бібліогр.: 9 назв. - англ. Досліджено зразки двобар'єрних резонансно-тунельних діодів (ДБ-РТД) на основі гетероструктур GaN/AlGaN, вирощених за допомогою плазмової молекулярно-променевої епітаксії. За допомогою методів тунельної та ємнісної спектроскопії проведено вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та вольт-фарадних залежностей удіапазоні температур від 4,2 K до 300 K. Знайдено, що вимірювані характеристики мають складний нелінійний характер поведінки та розриви ВАХ. Це можна пояснити наявністю поляризаційних полів та інтерфейсних дефектів. Ці ефекти сильно впливають на вигляд потенціального профілю ДБ-РТД структур. Проведено числове моделювання даних структур з використанням математичної моделі, що базується на нерівноважних функціях Гріна в реальному часі. На підставі порівняльного аналізу експериментальних і теоретично розрахованих величин показано, що струмову нестабільність та нелінійність характеристик нітридних ДБ-РТД можна пов'язати з захопленням і утриманням електронів у межових та дислокаційних станах гетероструктур. Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Vlasenko N. A. Momentum relaxation of hot electrons during radiative intraband indirect transitions in ZnS:Cr / N. A. Vlasenko, A. E. Belyaev, Z. L. Denisova, Ya. F. Kononets, A. V. Komarov, L. I. Veligura // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 25-29. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Arsentyev I. N. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis / I. N. Arsentyev, A. V. Bobyl, I. S. Tarasov, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, A. B. Kamalov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 104-114. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Belyaev A. E. Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis / A. E. Belyaev, A. V. Bobyl, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, S. G. Konnikov, Ya. Ya. Kudryk, E. P. Markovsky, V. V. Milenin, E. M. Rudenko, G. F. Tereschenko, V. P. Ulin, V. M. Ustinov, G. E. Tsirlin, A. P. Shpak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 65-71. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Arsentyev I. N. Porous nanostructured InP: technology, properties, application / I. N. Arsentyev, A. B. Bobyl, S. G. Konnikov, I. S. Tarasov, V. P. Ulin, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. B. Kamalov, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 95-103. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. We prepared porous InP (100) substrates with a nanostructured surface relief on which InP epitaxial films were grown. The structure, morphological, and photoluminescence properties of nanostructured substrates and InP epilayers grown on them were studied. These InP epilayers grown on the porous and standard InP substrates were used to make microwave diodes. We showed the advantages of the diodes made on the porous substrates (over those made on the standard ones) caused by higher structural perfection of the InP epilayers grown on the porous substrates. Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + З852.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Vitusevich S. A. Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures / S. A. Vitusevich, S. V. Danylyuk, B. A. Danilchenko, N. Klein, S. E. Zelenskyi, E. Drok, A. Yu. Avksentyev, V. N. Sokolov, V. A. Kochelap, A. E. Belyaev, M. V. Petrychuk, H. Luth // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 3. - С. 66-69. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Belyaev A. E. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 1-8. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Belyaev A. E. Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBVBIxD and ZrBVBIxD interstitial phases to microwave diode structures / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, V. N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 3. - С. 209-216. - Бібліогр.: 39 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Belyaev A. E. On the tunnel mechanism of current flow in Au - TiBVIBxD - IBnD-GaN - IBiD-AlVB2DOVB3D Schottky barrier diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, V. V. Milenin, Yu. N. Sveshnikov, V. N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3. - С. 1-5. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Kiselov V. S. Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics / V. S. Kiselov, V. I. Poludin, M. P. Kiselyuk, T. A. Kryskov, A. E. Belyaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 1. - С. 64-67. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Kiselov V. S. Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC / V. S. Kiselov, E. N. Kalabukhova, A. A. Sitnikov, P. M. Lytvyn, V. I. Poludin, V. O. Yukhymchuk, A. E. Belyaev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 1. - С. 68-71. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. Two types of wood-based biomorphous SiC composites with different microstructure were obtained by infiltration of carbon template with liquid or vapour silicon. The oak, pine, lilac, walnut, acacia woods available in Ukraine were used as the biological template in this work. SEM, optical and AFM data indicated that biomorphous SiC obtained by melt infiltration consists of crystalline phase of 3C-SiC, while that of vapor infiltration results in formation of crystalline and amorphous phases of 3C-SiC. The same results were obtained for infiltration of carbon fibers. Thus, it was suggested that the mechanism of SiC formation is governed by the infiltration method. Індекс рубрикатора НБУВ: В372 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Marchylo O. M. Investigation of luminescent properties inherent to SrTiOVB3D:Pr3+ luminophor with Al impurity / O. M. Marchylo, L. V. Zavyalova, Y. Nakanishi, H. Kominami, A. E. Belyaev, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 461-464. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського