Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Boltovets N$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 29 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Boltovets N. S. Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals / N. S. Boltovets, V. V. Basanets, V. N. Ivanov, V. A. Krivutsa, A. V. Тsvir, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 359-370. - Бібліогр.: 12 назв. - англ. Досліджено параметри кремнієвих і арсенід-галієвих НВЧ діодів різного функціонального призначення, термостійкі контакти яких виготовлено на базі фаз проникнення. Запропоновано уніфіковану технологічну схему виготовлення мікродіодів із об'ємними контактами. Випробуваннями даних діодів у форсованих режимах доведено їх високу термостійкість. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-03 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Boltovets N. S. Technology and experimental studies of contacts for microwave diodes based on interstitial phases / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, A. M. Kurakin, V. V. Milenin, E. A. Soloviev, G. M. Verimeychenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 93-105. - Бібліогр.: 23 назв. - англ. Розглянуто технологічні аспекти отримання плівок нітридів і боридів тугоплавких металів для бар'єрних і омічних контактів, а також контактів з антидифузійними шарами для арсенідгалієвих і кремнієвих епітаксійних структур, які використовуються для створення НВЧ діодів. Досліджено властивості напилених плівок і меж поділу метал - напівпровідник, а також електрофізичні параметри контактних структур і лавинно-пролітних діодів. Показано високу термічну стійкість контактних структур на базі боридів і нітридів титану та боридів цирконію. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Boltovets N. S. Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes / N. S. Boltovets, N. M. Goncharuk, V. A Krivutsa, V. E Chaika, R. V. Konakova, V. V. Milenin, E. A Soloviev, M. B. Tagaev, D. I Voitsikhovskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 352-358. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Venger Ye. F. Effect of rapid thermal annealing on properties of contacts Au - Mo - TiBsubx/sub - GaAs / Ye. F. Venger, A. A. Beliaev, N. S. Boltovets, I. B. Ermolovich, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, V. V. Milenin, D. I. Voitsikhovski, T. Figielski // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3. - С. 57-61. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Boltovets N. S. Comprehensive studies of defect production and strained states in the silicon epitaxial layers and device structures based on them / N. S. Boltovets, D. I. Voitsikhovskyi, R. V. Konakova, V. V. Milenin, V. A. Makara, O. V. Rudenko, M. M. Mel'nichenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 318-322. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Boltovets N. S. Properties of SiOV2D - GaAs and Au - Ti - SiOV2D - GaAs structures used in production of transmission lines / N. S. Boltovets, G. N. Kashin, R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin, E. A. Soloviev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 183-187. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Boltovets N. S. SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBVIxD and ZrBVIxD amorphous layers / N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V Milenin, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, S. I. Vlaskina, O. A. Agueev, A. M. Svetlichny, S. I. Soloviev, T. S. Sudarshan // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 60-62. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Boltovets N. S. A silicon carbide thermistor / N. S. Boltovets, V. V. Kholevchuk, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, P. M. Lytvyn, V. V. Milenin, V. F. Mitin, E. V. Mitin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 4. - С. 67-70. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Arsentyev I. N. New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis / I. N. Arsentyev, A. V. Bobyl, I. S. Tarasov, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, A. B. Kamalov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 104-114. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Belyaev A. E. Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis / A. E. Belyaev, A. V. Bobyl, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, S. G. Konnikov, Ya. Ya. Kudryk, E. P. Markovsky, V. V. Milenin, E. M. Rudenko, G. F. Tereschenko, V. P. Ulin, V. M. Ustinov, G. E. Tsirlin, A. P. Shpak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 65-71. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Boltovets N. S. Ohmic contacts to Hall sensors based on InD-InSb - GaAs(IiD) heterostructures / N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, V. F. Mitin, E. V. Mitin, O. S. Lytvyn, L. M. Kapitanchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 2. - С. 58-60. - Бібліогр.: 2 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Arsentyev I. N. Porous nanostructured InP: technology, properties, application / I. N. Arsentyev, A. B. Bobyl, S. G. Konnikov, I. S. Tarasov, V. P. Ulin, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. B. Kamalov, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 95-103. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. We prepared porous InP (100) substrates with a nanostructured surface relief on which InP epitaxial films were grown. The structure, morphological, and photoluminescence properties of nanostructured substrates and InP epilayers grown on them were studied. These InP epilayers grown on the porous and standard InP substrates were used to make microwave diodes. We showed the advantages of the diodes made on the porous substrates (over those made on the standard ones) caused by higher structural perfection of the InP epilayers grown on the porous substrates. Індекс рубрикатора НБУВ: В379 + З852.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Belyaev A. E. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 1-8. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Belyaev A. E. Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBVBIxD and ZrBVBIxD interstitial phases to microwave diode structures / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, V. N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 3. - С. 209-216. - Бібліогр.: 39 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Belyaev A. E. On the tunnel mechanism of current flow in Au - TiBVIBxD - IBnD-GaN - IBiD-AlVB2DOVB3D Schottky barrier diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, V. V. Milenin, Yu. N. Sveshnikov, V. N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3. - С. 1-5. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Belyaev A. E. Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. M. Sorokin, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 465-469. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Belyaev A. E. Temperature dependence of contact resistance of Au - Ti - PdVB2DSi - $E bold {n sup + - roman Si} ohmic contacts / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko, V. N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 4. - С. 436-438. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Belyaev A. E. The features of temperature dependence of contact resistivity of Au - Ti - PdVB2DSi - $E bold p sup +-Si ohmic contacts / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Kladko, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, T. V. Korostinskaya, A. B. Ataubaeva, P. V. Nevolin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 8-11. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Sachenko A. V. Resistance formation mechanisms for contacts and to IBnD-AlN and IBnD-GaN with a high dislocation density / A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, A. V. Naumov, V. V. Panteleev, V. N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 4. - С. 351-357. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Belyaev A. E. Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped IBnD-Si / A. E. Belyaev, V. A. Pilipenko, V. M. Anischik, T. V. Petlitskaya, A. V. Sachenko, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, N. S. Boltovets, T. V. Korostinskaya, L. M. Kapitanchuk, Ya. Ya. Kudryk, A. O. Vinogradov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2013. - 16, № 2. - С. 99-110. - Бібліогр.: 35 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського