Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Boutry-Forveille A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

      
Категорія:    
1.

Boutry-Forveille A.  
SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures = SIMS дослідження розподілу дейтерія і температурної стабільності в ZMR SOI структурах / A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, A. N. Nazarov // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 108-111. - Библиогр.: 12 назв. - англ.

У роботі вивчались методами вторинної іонної мас-спектрометрії (ВІМС) і термостимульованої десорбції дейтерію розподілення дейтерію і його термічна стабільність у системі кремній-на-ізоляторі (КНІ), виготовленій за допомогою технології зонної лазерної рекристалізації полікремнію. Показано існування прямого зв'язку між розупорядкуванням структури на межах розподілу кремній-внутрішній діелектрик і розподіленням дейтерію у системі КНІ. Визначено коефіцієнт дифузії дейтерію у кремнієвій рекристалізованій плівці при 250 °С. Вперше продемонстровано високотемпературну стабільність дейтерію (до 600 °С включно) у внутрішньому діелектрику системи КНІ, за відсутності дифузії дейтерію до кремнієвих шарів.


Ключ. слова: silicon-on-insulator, deuterium, SIMS, thermal effusion
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського