Etching duration and anodic current density dependences of intensity and maximum position of the photoluminescence spectra of porous silicon layers obtained by anodization of silicon wafer are investigated. The sizes of silicon nanoclusters formed during the anodization procedure are estimated. It is shown that the dependence of formed clusters sizes on etching conditions for porous layers is different for various crystallographic orientations of the substrate. The model explaining this feature at various speeds of porous layer frontal advance deep into silicon substrate is offered. Presented results may be used for optimization of etching conditions in order to obtain the porous silicon layers having the preset parameters.

A method of inner surface morphology investigation in porous glass using modified Michelson's interferometer is presented. The possibility of residual silica gel detection in pores by interferometric measurements is shown. The method also allows to distinguish the role of compressing and stretching forces in the mechanical deformation of porous samples. The proposed method is convenient to study the effect of additional treatments on the removal of residual silica gel out of porous glasses. Interferometric measurements make it possible to minimize the mechanical deformations of a porous layer on a solid substrate by tuning the layers thickness ratio.

Здобуто нанорозмірні утворення сульфіду кадмію в матриці шпаристого скла. Наведено результати електронно-мікроскопічного та рентгенівського досліджень зазначених утворень, а також їх елементний склад. Досліджено фотолюмінесценцію одержаних зразків і пояснено особливості їх люмінесцентних спектрів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.394

Рубрики:

Склоподібні матеріали

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено люмінесценцію таутомірних форм барвників на базі комплексів чотиривалентного стануму. Виявлено сіметрію спектрів фотолюмінесценції різних таутомірних форм відносно напрямку відліку позицій атомів у гідразидному фрагменті за стрілкою годинника або проти неї. Виявлено, що світіння ансамблю наночастинок барвника у шпаристому силікатному склі типу А є завжди більш інтенсивним, ніж у відповідному розчині. Продемонстровано, що інтенсивність люмінесценції таутомірних форм зростає, якщо замісник наближається до координаційного вузла, незалежно від типу та природи замісника і типу координаційного вузла. Натомість, змінення енергії випромінювання таутомірніх форм залежить як від типу замісника, тік і від його природи та координаційного вузла. Результати пояснено розгорнутістю внутрішньої поверхні матриці, а також особливостями розміщення атомів всередині молекули барвника та взаємодії між ними.

Досліджено залежність фотолюмінесценції високомолекулярних формувань барвників на базі комплексів чотиривалентного стануму всередині шпаристого скла від концентрації насичувального розчину. Результати порівняно з фотолюмінесценцією відповідних розчинів, у яких спостерігається ефект концентраційного гасіння, зумовлений принципом Франка - Кондома. Виявлено, що інтенсивність люмінесценції ансамблю наночастинок є завжди вищою, аніж у розчині. У цьому випадку теж спостерігається зменшення інтенсивності люмінесценції за наближення концентрації насичувального розчину до межі розчинності. Проте, залежність, що спостерігається, є складнішою, аніж у розчині, і може пояснюватися заповнюванням шпарин максимальних розмірів у випадку великих концентрацій насичувального розчину. Тож барвник поводить себе всередині таких шпарин майже як у розчині, де фотолюмінесценція є слабшою.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.211 + В379.24

Рубрики:

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ