Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Ivashchenko M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 12
Представлено документи з 1 до 12

      
Категорія:    
1.

Ivashchenko M. M. 
Structural and optical characteristics of ZnSe and CdSe films condensed on non-oriented substrates / M. M. Ivashchenko, A. S. Opanasyuk, N. M. Opanasyuk, S. M. Danilchenko, V. V. Starikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 157-163. - Бібліогр.: 32 назв. - англ.

In this work, the complex investigation of structural and optical properties of zinc and cadmium selenide semiconductor films deposited by close-spaced vacuum sublimation method using thermal evaporation on non-oriented substrates was carried out. The structural and phase analyses of the layers condensed at different substrate temperatures were performed. The transmission and reflection spectra of the investigated films have been measured and their main optical characteristics have been calculated.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Ivashchenko M. M. 
Structure and substructure of zinc selenide films / M. M. Ivashchenko, A. S. Opanasyuk, S. M. Danilchenko // Functional Materials. - 2011. - 18, № 1. - С. 18-23. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.

Досліджено характеристики структури та субструктури шарів селеніду цинку. Встановлено залежність структурного фактора, сталої гратки, розміру областей когерентного розсіювання та рівня мікродеформацій від температури осадження плівок халькогеніду.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Opanasyuk A. S. 
Properties of the window layers for the CZTSe and CZTS based solar cells / A. S. Opanasyuk, D. I. Kurbatov, M. M. Ivashchenko, I. Yu. Protsenko, H. Cheong // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2012. - 4, № 1. - С. 01024. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Ivashchenko M. M. 
Optical properties of pure and Eu doped ZnSe films deposited by CSVS technique / M. M. Ivashchenko, A. S. Opanasyuk, I. P. Buryk, V. A. Lutsenko, A. V. Shevchenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 1. - С. 01011-1-01011-5. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Ivashchenko M. M. 
Numerical simulation of SnS-based solar cells = Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS / M. M. Ivashchenko, A. S. Opanasyuk, I. P. Buryk, D. V. Kuzmin // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 3. - С. 03004-1-03004-6. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
6.

Pancheva H. 
Chemical deposition of CdS films from ammoniac-thiourea solutions / H. Pancheva, O. Khrystych, E. Mykhailova, M. Ivashchenko, A. Pilipenko // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2018. - № 2/6. - С. 48-52. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854-06

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
7.

Ivashchenko M. 
Establishing the patterns in the formation of oxide films on the alloy Ti6Al4V in carbonic acid solutions / M. Ivashchenko, O. Smirnova, S. Kyselova, S. Avina, A. Sincheskul, A. Pilipenko // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2018. - № 5/6. - С. 21-26. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К663.3-1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
8.

Sulaiman A. A. 
Optical and electrical properties of n-type porous silicon produced by electrochemical etching and study the influence of gamma-irradiation = Оптичні та електричні властивості пористого кремнію n-типу, отриманого методом електрохімічного травлення та дослідження впливу на нього gamma-випромінювання / A. A. Sulaiman, A. A. K. Muhammed, M. M. Ivashchenko // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 5. - С. 05025-1-05025-6. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
9.

Buryk I. P. 
Numerical simulation of FinFET transistors parameters = Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів / I. P. Buryk, A. O. Golovnia, M. M. Ivashchenko, L. V. Odnodvorets // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 3. - С. 03005-1-03005-4. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
10.

Ivashchenko M. V. 
Integer norm for difference assessment of the frame elements considering the white balance = Концепція цілочислової норми оцінки різниці Між елементами зображення з врахуванням балансу білого / M. V. Ivashchenko, D. D. Okhrymchuk, L. A. Lyushenko // Control Systems and Computers. - 2019. - № 4. - С. 27-34. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

Оцінка різниці між двома елементами зображення є важливим блоком усіх алгоритмів графічної обробки. Проте на сьогоднішній день більшість норм, які визначаються за колірними просторами, виконують операції з плаваючою точкою та без урахування внутрішньої структури колірної моделі камери. Мета роботи - дослідження запропонованого підходу, на основі якого можливо виконати синтез цілочислової норми, що враховує баланс білого камери при розрахуванні оцінки різниці між елементами зображення. Камера автоматично налаштовує баланс білого відповідно до одного з режимів, встановлених за замовчуванням. Оцінка різниці між двома точками зображення здійснюється за рахунок виконання нормалізації. Як метод розрахунку використано евклідову норму. Запропоновано підхід до нормалізації, що враховує коефіцієнти корекції балансу білого. Розрахунки виконано з точки зору здійснення операцій із цілими значеннями, що надає можливість їх використання для безпосереднього розгортання всередині апаратної логіки пристроїв. Цей факт надає можливість знизити як загальну вартість ресурсів для виконуваних операцій, по відношенню до існуючої арифметики з плаваючою крапкою, так і зниження вимог до конфігурації датчиків. Запропонований підхід надає можливість підвищити ефективність вимірювань при вирішенні задач комп'ютерного зору, спрямованих на порівняння точок одного зображення або при повному порівнянні відповідних елементів двох або серії зображень. Запропонований підхід спрямований на усунення недоліків сучасних систем, що використовують оцінку кольорів. Алгоритм може використовуватися як в пристроях, які здійснюють відеозйомку, так і в комп'ютерах, які використовуються для виконання операцій обробки зображень у системах комп'ютерного зору.


Індекс рубрикатора НБУВ: З970.63

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж14024 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Buryk I. P. 
Numerical simulation of field-effect transistor GAA SiNWFET parameters based on nanowires = Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів / I. P. Buryk, M. M. Ivashchenko, A. O. Holovnia, L. V. Odnodvorets // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 6. - С. 06012-1-06012-4. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
12.

Shabanova G. N. 
Barium-containing cement and concrete for protection against electromagnetic radiation = Барійвмісний цемент та бетон для захисту від електромагнітного випромінювання / G. N. Shabanova, A. N. Korohodska, M. V. Kustov, E. V. Khrystych, S. M. Logvinkov, M. Yu. Ivashchenko, D. V. Taraduda // Functional Materials. - 2021. - 28, № 2. - С. 323-326. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.

Наведено результати одержання і випробувань матеріалу на основі барійвмісного цементу і заповнювача - гексафериту барію, а також бетону на його основі. Високі показники екранування електромагнітного випромінювання в діапазоні частот 80 - 100 кГц надають змогу рекомендувати дані будівельні матеріали для захисту біологічних і технічних об'єктів від впливу електромагнітного випромінювання.


Індекс рубрикатора НБУВ: Л456 + Н331.9

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського