Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Kidalov V$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 12 Представлено документи з 1 до 12 |
|||||
| 1. | Kidalov V. V. Properties of GaN/por-GaAs structure obtained by nitridation of porous GaAs = Властивості структур GaN/por-GaAs, отриманих нітридизацією поруватого GaAs / V. V. Kidalov, L. Beji, G. A. Suckach, A. S. Revenko, A. D. Bayda // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб. - 2006. - Вып. 15. - С. 118-121. - Библиогр.: 18 назв. - англ. Зазначено, що виробництво надяскравих світлодіодів, працюючих в ультрафіолетовій області спектра, основане на одержанні GaN і його твердих розчинів. Як підкладку часто використовують GaAs, оскільки тільки на GaAs можливо одержати плівки GaAs кубічної модифікації. Однак велика різниця у постійних гратки між GaN і GaAs призводить до високої щільності дефектів у плівці GaN. Розглянуто властивості плівок GaN, що одержані на пористих підкладках (ПП) GaAs. Біоксидні напруги у плівці GaN вимірюються за допомогою методу комбінаційного розсіяння світла. Також розглянуто властивості ПП GaAs. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Kidalov V. V. Optical properties of IpD-type porous GaAs / V. V. Kidalov, L. Beji, G. A. Sukach // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 118-120. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Suchikova J. A. Preparation of nanoporous IBnD-InP(100) layers by electrochemical etching in HCl solution / J. A. Suchikova, V. V. Kidalov, G. A. Sukach // Functional Materials. - 2010. - 17, № 1. - С. 131-134. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Khrypko S. L. Modeling of etching nano-surfaces of indium phosphide / S. L. Khrypko, V. V. Kidalov, E. V. Kolominska // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 1. - С. 01003(3). - Бібліогр.: 9 назв. - англ. This paper describes a mechanism for obtaining a regular porous structure InP, which is to use the method of photoelectrochemical etching. Through the use of simulation etching at the nanoscale, it is possible to get a regular uniform grid of nanopores on the surface of indium phosphide, which allows us to understand the mechanisms and the establishment of technological regimes anodic structures indium phosphide to produce a variety of devices. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.225 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Bacherikov Yu. Yu. Effect of heating rate on oxidation process of fine-dispersed ZnS:Mn obtained by SHS / Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, O. B. Okhrimenko, D. L. Kardashov, S. V. Kozitskiy, V. V. Kidalov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 2. - С. 226-229. - Бібліогр.: 25 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Kidalov V. V. Investigation the Structures ZnO:Al/SiOVBxD/PorSi/p-Si/Al = Дослідження структур ZnO:Al/SiOVxD/PorSi/p-Si/Al / V. V. Kidalov, A. F. Dyadenchuk, S. L. Khrypko, O. S. Khrypko // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - 18, № 2. - С. 180-183. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Dyadenchuk A. F. Films CdS grown on porous Si substrate / A. F. Dyadenchuk, V. V. Kidalov // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2018. - 10, № 1. - С. 01007-1-01007-4. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. In thus work CdS films were obtained on the technology of chemical surface deposition on porous semiconductor substrates. The morphology and chemical composition of the obtained structures were studied. The possibility of using CdS/porous-Si/p-Si heterostructures as photovoltaic solar energy converters is considered. Індекс рубрикатора НБУВ: К663.086 + В379.222 + В379.226 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Bacherikov Yu. Yu. Effect of the doping method on luminescent properties of ZnS:Ag / Yu. Yu. Bacherikov, A. G. Zhuk, O. B. Okhrimenko, E. Yu. Pecherskaya-Gromadskaya, V. V. Kidalov, S. V. Optasyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2019. - 22, № 3. - С. 361-365. - Бібліогр.: 24 назв. - англ. Effect of doping the method on luminescent characteristics of dispersed ZnS doped with Ag has been studied in this work. The analysis of ratio of the intensity of photoluminescence bands related with the centres caused by Ag impurity and the intrinsic defects has led to the conclusion that formation of dispersed ZnS:Ag prepared using the self-propagating high-temperature synthesis (SHS) has several advantages: doping occurs directly in the process of material synthesis, possibility of simultaneous preparation of two fractions with different particle sizes, in ZnS:Ag-SHS with particle sizes greater than 20 nm there is a lower concentration of defects as compared to that in ZnS:Ag obtained using the thermal doping method. Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3 + В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Kidalov V. V. ZnO growth on macroporous Si substrates by HF magnetron sputtering = Вирощування ZnO на підкладках макропоруватого Si методом ВЧ магнетронного розпилення / V. V. Kidalov, A. F. Dyadenchuk, Yu. Yu. Bacherikov, I. V. Rogozin, Vitali V. Kidalov // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2020. - 12, № 3. - С. 03016-1-03016-4. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 10. | Bacherikov Yu. Yu. Preparation of quaternary compounds Cusub2/subZnSnSsub4/sub by using the self-propagating high-temperature synthesis = Отримання почетверених сполук Cusub2/subZnSnSsub4/sub за допомогою самопоширюваного високотемпературного синтезу / Yu. Yu. Bacherikov, M. N. Mirzayev, A. G. Zhuk, O. B. Okhrimenko, N. V. Doroshkevich, V. V. Kidalov, V. Yu. Goroneskul // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 3. - С. 272-276. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 11. | Kidalov V. V. ZnO/SiC/porous-Si/Si heterostructure: obtaining and properties / V. V. Kidalov, V. P. Kladko, A. F. Dyadenchuk, O. I. Gudymenko, V. A. Baturin, A. Yu. Karpenko, V. V. Kidalov // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр. - 2022. - 20, вип. 3. - С. 647-655. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Категорія: Загальні роботи по техніці | |||||
| 12. | Kidalov V. V. Formation of ZnO films on SiC/porous Si/Si substrates = Формування плівок ZnO на підкладках SiC/пористий Si/Si / V. V. Kidalov, A. F. Dyadenchuk, V. A. Baturin, O. Yu. Karpenko, O. F. Kolomys, V. V. Ponomarenko, Z. V. Maksimenko, V. V. Strelchuk, Yu. Yu. Bacherikov, O. B. Okhrimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2023. - 26, № 2. - С. 140-146. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського