Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Kiv A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | Golovanov V. The influence of structural factors on sensitivity of SnOV2D-based gas sensors to CO in humid atmosphere = Вплив структурних факторів на чутливість до CO газових сенсорів на основі SnOV2D у вологій атмосфері / V. Golovanov, T. Pekna, A. Kiv, V. Litovchenko, G. Korotcenkov, V. Brinzari, A. Cornet, J. Morante // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 4. - С. 374-379. - Библиогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 2. | Balabay R. M. Calculations of characteristics of impurity-defect complexes in silicon at high concentrations of impurities = Розрахунки характеристик домішково-дефектних комплексів у кремнії при великих концентраціях домішок / R. M. Balabay, A. E. Kiv, N. V. Moiseenko // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 3. - С. 256-260. - Библиогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 3. | Kiv A. E. High-temperature configurations of dimers in Si (001) surface layers / A. E. Kiv, T. I. Maksymova, N. V. Moiseenko, V. N. Soloviev // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 14-18. - Бібліогр.: 13 назв. - англ. Виконано моделювання поверхневих шарів Si (001) з використанням методу молекулярної динаміки (МД). У застосованому модифікованому алгоритмі МД величина потенціалу коригується на кожному кроці обчислень. Поправки включають повторну гібридизацію хімічних зв'язків у ході релаксації. Виявлено, що високотемпературна релаксація поверхневих шарів кремнію призводить до утворення квазірозупорядкованої фази (КРФ). КРФ розповсюджується з першого шару аж до четвертого - п'ятого. У всіх цих шарах утворюються димери. Їх характеристики (розподіл за довжиною зв'язків та орієнтацією) змінюються від шару до шару. Вони суттєво відрізняються від димерів, що утворюються за низьких температур. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225в641.8 Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 4. | Kiv A. E. Microstructure of the relaxed (001) Si surface / A. E. Kiv, V. N. Soloviev, T. I. Maximova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 157-160. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Для вивчення мікроструктури поверхневих шарів кремнію та релаксаційних процесів, індукованих пучками іонів низької енергії, проведено комп'ютерне моделювання методом молекулярної динаміки з потенціалом Штілінгера-Вебера. За допомогою вдосконаленої схеми розрахунку для моделювання алмазоподібних структур, виявлено нові особливості релаксованої поверхні (001) кремнію. Встановлено, що релаксована мікроструктура чистої поверхні (001) Si характеризується обірваними зв'язками в перших трьох приповерхневих шарах і негексагональними багатокутниками. Утворення димерів спостережено не лише в першому шарі. Виявлено нові просторові конфігурації димерів. З'ясовано деякі умови, що спричиняють ефект радіаційно-стимульованої релаксації поверхневих шарів під дією іонного бомбардування в області енергій поблизу порогу пружних атомних зміщень у кремнії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського