Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Kladko V$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 34 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Kuchuk A. V. Effect of nitrogen in Та - Si - N thin films on properties and diffusion barrier performances = Влияние азота в тонких пленках Ta - Si - N на свойства и эффективность диффузионных барьеров / A. V. Kuchuk, V. P. Kladko, V. F. Machulin, O. S. Lytvyn, A. A. Korchovyi, A. Piotrowska, R. A. Minikayev, R. Jakiela // Металлофизика и новейшие технологии. - 2005. - 27, № 5. - С. 625-634. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Yefanov O. M. Dynamical theory of coplanar IND-beam X-ray diffraction in multilayered structures = Компланарна багатопроменева динамічна теорія дифракції X-променів у шаруватих структурах / O. M. Yefanov, V. P. Kladko, V. F. Machulin // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 9. - С. 895-901. - Библиогр.: 10 назв. - англ.
| |||
| 3. | Kladko V. P. Investigation of superlattice structure parameters by using quasi-forbidden reflections / V. P. Kladko, L. I. Datsenko, A. A. Korchovyi, V. F. Machulin, P. M. Lytvyn, A. V. Shalimov, A. V. Kuchuk, P. P. Kogutyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 392-396. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Досліджено можливості неруйнівного рентгенівського методу для тестування короткоперіодних напружених надграток GaAs - AlAs. Для визначення параметрів структури шарів надграток і товщини цих шарів можна використати квазізаборонені рефлекси (200). Досліджено вплив нерегулярності перехідної області надгратки на форму дифракційних кривих і пружні напруження в шарах. Індекс рубрикатора НБУВ: В343.13 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Strelchuk V. V. Anisotropy of elastic straines in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study / V. V. Strelchuk, V. P. Kladko, O. M. Yefanov, O. F. Kolomys, O. I. Gudymenko, M. Ya. Valakh, Yu. I. Masur, Z. M. Wang, G. J. Salamo // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 36-45. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Belyaev A. E. Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 1-8. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Belyaev A. E. Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBVBIxD and ZrBVBIxD interstitial phases to microwave diode structures / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, V. N. Sheremet // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 3. - С. 209-216. - Бібліогр.: 39 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Konakova R. V. Modification of properties of the glass - SiVB3DNVB4D - Si - SiOVB2D structure at laser treatment / R. V. Konakova, V. P. Kladko, O. S. Lytvyn, O. B. Okhrimenko, B. G. Konoplev, A. M. Svetlichnyi, V. N. Lissotschenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 3. - С. 284-286. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Gudymenko O. Yo. Influence of small miscuts on self-ordered growth of Ge nanoislands / O. Yo. Gudymenko, V. P. Kladko, O. M. Yefanov, M. V. Slobodian, Yu. S. Polischuk, Z. F. Krasilnik, D. V. Lobanov, A. A. Novikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 389-392. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Fodchuk I. M. Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry / I. M. Fodchuk, V. V. Dovganyuk, T. V. Litvinchuk, V. P. Kladko, M. V. Slobodian, O. Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2. - С. 209-213. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Belyaev A. E. The features of temperature dependence of contact resistivity of Au - Ti - PdVB2DSi - $E bold p sup +-Si ohmic contacts / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Kladko, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, T. V. Korostinskaya, A. B. Ataubaeva, P. V. Nevolin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 8-11. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Kladko V. P. X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures / V. P. Kladko, A. V. Kuchuk, N. V. Safryuk, V. F. Machulin, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, B. S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 1-7. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Gamov D. V. Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions / D. V. Gamov, O. I. Gudymenko, V. P. Kladko, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, O. S. Oberemok, V. G. Popov, Yu. O. Polishchuk, B. M. Romaniuk, V. V. Chernenko, V. M. Naseka // Укр. фіз. журн.. - 2013. - 58, № 9. - С. 881-887. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Проведено порівняльні дослідження процесів дефектоутворення та зміни часу життя не основних нерівноважних носіїв заряду в кремнії у процесі гетерування домішки заліза комбінованим гетером "шар поруватого кремнію + плівка алюмінію". Показано, що в процесі відпалу зразків без гетерного шару в імплантованій області формуються силіцид заліза та дефекти вакансійного типу, внаслідок чого спостерігається сильне зниження часу життя нерівноважних неосновних носіїв заряду. Проведено дослідження впливу гетерного шару на процеси дефектоутворення та перерозподілу атомів заліза, імплантованих в кремній, у випадку їх високих концентрацій в приповерхневій області. Показано, що наявність гетерного шару зменшує ефективність силіцидоутворення в імплантованій області та збільшує концентрацію міжвузлових дефектів у кремнії. Запропоновано фізичну модель процесу гетерування, яка враховує зменшення концентрації атомів заліза в імплантованій області за рахунок гетерування і зменшення концентрації вакансійних дефектів, а також одночасне зростання концентрації дефектів міжвузлового типу, які пов'язані з формуванням комплексів заліза з атомами бору. Саме ці комплекси є рекомбінаційно-активними і не дають можливість відновити час життя носіїв заряду до вихідного значення. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Klyui M. I. Bio-SiC ceramics coated with hydroxyapatite using gas-detonation deposition: an alternative to titanium-based medical implants / M. I. Klyui, V. P. Temchenko, O. P. Gryshkov, V. A. Dubok, V. P. Kladko, A. V. Kuchuk, V. M. Dzhagan, V. O. Yukhymchuk, V. S. Kiselov // Functional Materials. - 2013. - 20, № 2. - С. 163-171. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Kladko V. P. Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios / V. P. Kladko, N. V. Safriuk, H. V. Stanchu, A. V. Kuchuk, V. P. Melnyk, A. S. Oberemok, S. B. Kriviy, Z. V. Maksymenko, A. E Belayev, B. S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 4. - С. 317-324. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Belyaev A. E. Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes / A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, A. V. Bobyl, A. V. Zorenko, I. N. Arsentiev, V. P. Kladko, V. M. Kovtonyuk, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko, V. S. Slipokurov, A. S. Slepova, N. V. Safryuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 3. - С. 317-323. - Бібліогр.: 34 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Belyaev A. E. Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to nsup+/sup-n-nsup++/sup-nsup+++/sup-InP / A. E. Belyaev, N. A. Boltovets, A. B. Bobyl, V. P. Kladko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, M. U. Nasyrov, A. V. Sachenko, V. S. Slipokurov, A. S. Slepova, N. V. Safryuk, A. I. Gudymenko, V. V. Shynkarenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 4. - С. 391-395. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Sabov T. M. Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient / T. M. Sabov, O. S. Oberemok, O. V. Dubikovskyi, V. P. Melnik, V. P. Kladko, B. M. Romanyuk, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko, N. V. Safriuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 2. - С. 153-158. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Liubchenko O. I. Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation / O. I. Liubchenko, V. P. Kladko, O. Yo. Gudymenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 3. - С. 355-361. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Korbutyak D. V. Synthesis, luminescent and structural properties of the Cdsub1-x/subCusubx/subS and Cdsub1-x/subZnsubx/subS nanocrystals = Синтез, люмінесцентні та структурні властивості нанокристалів Cdsub1-x/subCusubx/subS і Cdsub1-x/subZnsubx/subS / D. V. Korbutyak, V. P. Kladko, N. V. Safryuk, O. Y. Gudymenko, S. I. Budzulyak, V. M. Ermakov, O. P. Lotsko, V. S. Tokarev, H. A. Ilchuk, O. M. Shevchuk, R. Y. Petrus, N. M. Bukartyk, S. V. Tokarev, L. Dolynska // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2017. - 9, № 5. - С. 05024-1-05024-6. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Lytovchenko V. G. Preparation and study of porous Si surfaces obtained using the electrochemical method / V. G. Lytovchenko, T. I. Gorbanyuk, V. P. Kladko, A. V. Sarikov, N. V. Safriuk, L. L. Fedorenko, S. Asmontas, J. Gradauskas, E. Sirmulis, O. Zalys // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2017. - 20, № 4. - С. 385-395. - Бібліогр.: 28 назв. - англ. Review of original results concerning electrochemical formation of porous Si layers and investigation of properties inherent to the formed layers has been presented. The results related with observation of changes in pores' morphology depending on the etching conditions, correlation of morphology of the porous layers with their surface composition, photoluminescence and structural characteristics, catalytic activity of porous Si based MIS structures as well as theoretical modeling of the kinetics and mechanisms of the porous Si growth have been described. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського