Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Kosyak V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
      
Категорія:    
1.

Kolesnik M. M. 
Determination of the parameters for localized states in spatially inhomogeneous semiconductor materials = Визначення параметрів локалізованих станів в просторово неоднорідних напівпровідникових матеріалах / M. M. Kolesnik, V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk, N. V. Tirkusova // Фотоэлектроника. - 2007. - Вып. 16. - С. 8-13. - Библиогр.: 9 назв. - англ.

Досліджено вплив неоднорідності просторового розподілу пасток (РП) у напівізолювальних матеріалах та за присутності міжфазних локалізованих станів (ЛС) на вигляд вольтамперних характеристик струмів, обмежених просторовим зарядом (ВАХСОПЗ). Розглянуто випадок, коли енергетичний РП описується вузькою гауссовою функцією, в той час як просторовий розподіл має максимум густини на одному чи обох електродах. Показано, що РП за товщиною зразка призводить до суттєвої зміни напруги повного заповнення пасток і великих похибок у визначенні дійсної концентрації локалізованих станів. Одночасно глибина залягання пасток визначається з відносно невеликою похибкою. Розраховано коригувальні коефіцієнти, які дозволяють врахувати вплив просторового РП на параметри глибоких пасток. Дослідження свідчать, що результати визначення параметрів ЛС за допомогою методу ВАХСОПЗ у базових шарах багатьох напівпровідникових приладів повинні бути переглянуті з урахуванням можливої неоднорідності зразків за товщиною.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З843.3

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Kosyak V. V. 
Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films / V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3. - С. 95-102. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Kosyak V. V. 
Ensemble of point defects in CdTe single crystals and films in the case of full equilibrium and quenching / V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk, I. Yu. Protsenko // Functional Materials. - 2005. - 12, № 4. - С. 797-806. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.222

Рубрики:
 Одержання плівок 
 Дефекти напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Znamenshchykov Ya. V. 
Structural and microstructural properties of Cdsub1-x/subZnsubx/subTe films deposited by close spaced vacuum sublimation = Структурні та субструктурні властивості плівок Cdsub1-x/subZnsubx/subTe, отриманих методом вакуумного термічного випаровування в квазізамкненому об'ємі / Ya. V. Znamenshchykov, V. V. Kosyak, A. S. Opanasyuk, M. M. Kolesnyk, V. V. Grinenko, P. M. Fochuk // Functional Materials. - 2016. - 23, № 1. - С. 32-39. - Бібліогр.: 26 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К232.026

Рубрики:
 Тонкі шари (плівки) важких кольорових металів і сплавів 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського