Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Kurilo I$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 6
Представлено документи з 1 до 6
      
Категорія:    
1.

Vlasenko O. I. 
Distribution of components in epitaxial graded band gap heterostructures Cd(Mn,Zn)Te - Cd(Mn,Zn)HgTe and their photoelectrical properties = Розподіл компонент в епітаксійних варізонних гетероструктурах Cd(Mn,Zn)Te - Cd(Mn,Zn)HgTe і їх фотоелектричні властивості / O. I. Vlasenko, V. M. Babentsov, Z. K. Vlasenko, A. V. Ponedilok, I. V. Kurilo, I. O. Rudyj, V. V. Kremenitskiy // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 75-81. - Библиогр.: 24 назв. - англ.


Ключ. слова: graded band-gap films, photoconductivity, CdHgTe, CdMnHgTe, vapor phase epitaxy, diffusion
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:
 Тонкі шари твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Yakovyna V. S. 
Manifestation of the laser-shock-wave-induced diffusion of dopants belonging to the first group of elements in HgV0,8DCdV0,2DTe = Прояви стимульованої лазерною ударною хвилею дифузії домішок елементів першої групи в HgV0,8DCdV0,2DTe / V. S. Yakovyna, I. V. Kurilo, N. N. Berchenko // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 10. - С. 1139-1144. - Библиогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + К209.1

Рубрики:
 Структура напівпровідників 
 Вплив опромінювання на структуру і властивості металів і сплавів 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Kurilo I. V. 
Electron diffraction study of twinning in epitaxial CdTe and $E bold {{roman Hg} sub 1-x {roman Cd} sub x roman Te} layers = Вивчення двійників в епітаксійних шарах CdTe і $E {roman Hg} sub 1-x {roman Cd} sub x roman Te методом дифракції електронів / I. V. Kurilo, I. O. Rudyj, I. E. Lopatynskij, I. S. Virt, P. Sagan, J. Zawislak, M. Kuzma // Фізика і хімія твердого тіла. - 2004. - 5, № 4. - С. 715-719. - Библиогр.: 11 назв. - англ.

Структуру тонких шарів CdTe і HgCdTe, одержаних за допомогою методу імпульсного лазерного осадження, досліджено з використанням електронної дифракції на проходження. Дифракційні картини мають аксіальну симетрію 12-го порядку, що свідчить про подвійну дифракцію на двійниках. Спостережувані кільця Дебая порівняно з передбаченими у відповідності з теорією для (111) двійників у текстурованих зразках.


Ключ. слова: CdTe, Hg_1-xCd_xTe, 3-d defects, electron diffraction, twinning, epitaxial layers
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.602.6

Рубрики:
 Тонкі шари (плівки) кадмію та його сплавів 

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
4.

Voronova Ye.  
The role of motor vechicles in creation of unfavourable situation in cities / Ye. Voronova, P. Kanilo, I. Kurilo // Вестн. ХНАДУ. - 2009. - Вып. 45. - С. 22-24. - Библиогр.: 8 назв. - англ.

In the article it is written about the alternative energy sources, how motor vehicles pollute the environment and the ways of these problems solution.


Індекс рубрикатора НБУВ: З15

Рубрики:
 Джерела енергії. Енергетичні ресурси.Поновлювані джерела енергії 

Шифр НБУВ: Ж69103 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
5.

Guba S. K. 
Some features of defect formation in transition regions of multilayer GaAs homoepitaxial structures / S. K. Guba, I. V. Kurilo // Functional Materials. - 2000. - 7, № 4. - С. 815-818. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

Наведено результати досліджень препаративним методом дефектоутворення перехідних областей у гомоепітаксійних багатошарових структурах, вирощених методом газофазної епітаксії на різних напівізолюючих підкладках на базі GaAs. Виявлено, що найбільший вплив на дефектоутворення в перехідних гомоепітаксійних шарах має тип і концентрація легувальної домішки в підкладці та гомоепітаксійних шарах, кількість і послідовність розташування гомоепітаксійних шарів у багатошаровій композиції. Знайдено залежності густини дислокацій невідповідності в перехідних гомоепітаксійних шарах від величини невідповідності параметра гратки підкладка-епітаксійний шар.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
6.

Guba S. K. 
Gas phase formation at the low-temperature isothermal growing of Bi-doped GaAs layers / S. K. Guba, I. V. Kurilo // Functional Materials. - 2001. - 8, № 2. - С. 329-333. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + К663.033

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 
 Металізація металів розпилюванням (шоопірування) 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського