Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Журнали та продовжувані видання (1) |
Пошуковий запит: (<.>A=Litovchenko V$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 38 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Daweritz L. Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices = Характеристики коругованості інтерфейсу в короткоперіодних надгратках GaAs/AlAs / L. Daweritz, H. Grahn, R. Hey, B. Jenichen, K. Ploog, D. Korbutyak, S. Krylyuk, Yu. Kryuchenko, V. Litovchenko // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 45-49. - Библиогр.: 12 назв. - англ. Методом поляризованої фотолюмінесценції досліджені надгратки GaAs/AlAs з коругованими гетеромережами. Співставляючи експериментальні результати з теоретичними розрахунками на основі моделі, яка пов'язує ступінь лінійної поляризації екситонної фотолюмінесценції з параметрами коругованостей, визначені висота та латеральна протяжність коругованостей. Ключ. слова: Superlattice, Corrugation, Polarization, Photoluminescence Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314 + В379.22 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Evtukh A. A. Fowler - Nordheim tunneling in structures with ultrathin dielectrics = Тунелювання Фаулера - Нордгейма в структурах з надтонкими діелектриками / A. A. Evtukh, V. G. Litovchenko, A. Yu. Kizyak, D. V. Fedin // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 9. - С. 985-990. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Grigor'ev N. N. Photoluminescence parameters and critical thickness of Insub; ix/i; /sub Gasub1 - ix/i; /subAs quantum well layers embedded in GaAs matrix = Параметри фотолюмінесценції та критичні товщини квантових шарів Insub; ix/i; /subGasub1 - ix/i; /subAs, вбудованих в GaAs-матрицю / N. N. Grigor'ev, E. G. Gule, A. I. Klimovskaya, Yu. A. Korus, V. G. Litovchenko // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 7. - С. 853-859. - Библиогр.: 21 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Kruger D. Planar gettering of metal impurities in MBE grown Si and SiGe layers on Si substrates = Планарне гетерування домішок металів у шарах Si та SiGe, вирощених методом МПЕ на підкладках Si / D. Kruger, V. G. Litovchenko, B. N. Romanyuk, V. G. Popov, H. Richter // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 7. - С. 873-878. - Библиогр.: 18 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Litovchenko V. G. Analysis of ageing mechanisms of gas mis sensors with Pd(CuVIxDPd) gate = Аналіз механізмів старіння мін сенсорів з Pd(CuVIxDPd) затвором / V. G. Litovchenko, A. A. Efremov // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2004. - № 1. - С. 5-18. - Библиогр.: 15 назв. - англ. У загальному вигляді викладено макроскопічну теорію газового сенсора з каталітичним затвором, яку застосовано для пояснення процесів старіння та механізмів стабілізації параметрів сенсора. Надано класифікацію мікромеханізмів домінуючих процесів старіння. Результати розрахунків та комп'ютерного моделювання зівставлено з експериментальними даними, що дозволяє ідентифікувати природу старіння в конкретних випадках і рекомендувати методи стримування чи гальмування процесів старіння МДН газових датчиків. Одним з найбільш ефективних методів є легування поверхні Pd електроду атомами міді Cu, що супроводжується створенням певних структурних конфігурацій Cu-Pd. Зокрема, найбільш ефективною виявилась конфігурація з роздільним фрагментарним "острівцевим" легуванням (на противагу рівномірно-стохастичного розподілу атомів Cu по поверхні каталітичного електрода). Індекс рубрикатора НБУВ: З264.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Golovanov V. The influence of structural factors on sensitivity of SnOV2D-based gas sensors to CO in humid atmosphere = Вплив структурних факторів на чутливість до CO газових сенсорів на основі SnOV2D у вологій атмосфері / V. Golovanov, T. Pekna, A. Kiv, V. Litovchenko, G. Korotcenkov, V. Brinzari, A. Cornet, J. Morante // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 4. - С. 374-379. - Библиогр.: 24 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Lisovskyy I. P. Infra-red spectroscopy of a barrier phase of photoluminescent nanocomposite Si/SiOVIxD films = ІЧ-спектроскопія бар'єрної фази фотолюмінесцентних нанокомпозитних плівок Si/SiOVIxD / I. P. Lisovskyy, V. G. Litovchenko, D. O. Mazunov, E. B. Kaganovich, I. M. Kizyak, E. G. Manoilov // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 6. - С. 583-587. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Litovchenko V. G. Determination of the base parameters of semiconductor cubic crystals via the lattice constant = Визначення базових параметрів напівпровідникових кубічних кристалів через сталу гратки / V. G. Litovchenko // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 10. - С. 1175-1182. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Litovchenko V. G. Basic characteristics of the ultrasmall quasi-open quantum dots / V. G. Litovchenko, A. A. Grygoriev // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2006. - 4, вип. 1. - С. 1-13. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Klyui N. I. Optical and mechanical properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films = Оптичні та механічні властивості алмазоподібних вуглецевих плівок, легованих азотом / N. I. Klyui, V. G. Litovchenko, A. N. Lukyanov, L. V. Neselevska, V. D. Osovskiy, O. V. Yaroschuk, L. A. Dolgov // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 7. - С. 710-714. - Библиогр.: 10 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Klyui N. Solar cells based upon multicrystalline Si with DLC antireflection and passivating coatings = Сонячні елементи на основі мультикристалітного кремнію з АПВ антивідбивними та пасивуючими покриттями / N. Klyui, V. Litovchenko, L. Neselevska, V. Kostylyov, A. Sarikov, N. Taraschenko, M. Kittler, W. Seifert // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 1. - С. 61-65. - Библиогр.: 11 назв. - англ. Експериментально досліджено характеристики сонячних елементів (СЕ) на основі мультикристалітного кремнію, покритих алмазоподібними вуглецевими (АПВ) просвітлювальними плівками. Показано, що такі покриття забезпечують суттєве збільшення к.к.д. сонячних елементів головним чином завдяки збільшенню густини струму короткого замикання. Теоретично проаналізовано вплив просвітлення та пасивації поверхні і об'єму на вольт-амперні характеристики СЕ при осадженні АПВ-плівок. Проаналізовано фізичні механізми ефектів, що спостерігались. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Evtukh A. A. Study of the structure of ultrathin silicon dioxide films = Дослідження структури надтонких плівок двоокису кремнію / A. A. Evtukh, I. P. Lisovskii, V. G. Litovchenko, A. Yu. Kizjak, Yu. M. Pedchenko, L. I. Samotovka // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 3. - С. 296-304. - Библиогр.: 62 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Gamov D. Influence of nitrogen impurity on photoluminescence of silicon nanoclusters in SiOVB2D matrix = Вплив домішки азоту на фотолюмінесценцію кремнієвих нанокластерів в матриці SiOV2D / D. Gamov, I. Khatsevich, V. Litovchenko, V. Melnik, O. Oberemok, V. Popov, B. Romanyuk, V. Yukhimchuk // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 4. - С. 413-417. - Библиогр.: 19 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Lisovskyy I. P. Transformation of the structure of silicon oxide during the formation of Si nanoinclusions under thermal annealings = Трансформація структури оксиду кремнію в процесі формування кремнієвих нановключень при термічних відпалах / I. P. Lisovskyy, M. V. Voitovich, A. V. Sarikov, V. G. Litovchenko, A. B. Romanyuk, V. P. Melnyk, I. M. Khatsevich, P. E. Shepeliavyi // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 4. - С. 383-390. - Библиогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Rozhin A. G. Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation / A. G. Rozhin, N. I. Klyui, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, B. N. Romanyuk, Y. P. Piryatinskii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 44-47. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Evtukh A. A. Electron field emmision from laser produced silicon tip array / A. A. Evtukh, E. B. Kaganovich, V. G. Litovchenko, Yu. M. Litvin, D. V. Fedin, E. G. Manoilov, S. V. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4. - С. 474-478. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Litovchenko V. G. Increase of planar homogeneity of multi-silicon structures by gettering treatments / V. G. Litovchenko, A. A. Efremov, A. A. Evtukh, Y. V. Rassamakin, M. I. Klyui, V. P. Kostylov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 2. - С. 82-84. - Бібліогр.: 1 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Evtukh A. A. Electron field emission from $E bold {{roman SiO} sub x} films / A. A. Evtukh, I. Z. Indutnyy, I. P. Lisovskyy, Yu. M. Litvin, V. G. Litovchenko, P. M. Lytvyn, D. O. Mazunov, Yu. V. Rassamakin, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 32-36. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Klyui N. I. High efficient solar cells and modules based on diamond-like carbon film - multicrystalline Si structures / N. I. Klyui, O. B. Korneta, V. P. Kostylyov, V. G. Litovchenko, A. V. Makarov, V. N. Dikusha, L. V. Neselevska, V. I. Gorbulik // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 197-201. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Наведено результати досліджень характеристик розроблених і виготовлених сонячних елементів (СЕ) та модулів (СМ) на основі мультикристалітного кремнію. Показано, що завдяки застосуванню обробок у плазмі водню й осадженню захисних і просвітлювальних алмазоподібних вуглецевих плівок можна створити високоефективні СЕ. Запропоновано нові конструкції СМ з покращаними експлуатаційними характеристиками. Ефективність запропонованих наукових і конструкторсько-технологічних підходів проілюстровано на прикладі СЕ з ККД 11 - 14 % та СМ з ККД 11 - 12,5 %. Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Klimovskaya A. I. Instability of homogeneous composition of highly strained QWs in heterostructures GaAs/InIVxDGaV1-D; IVxDAs/GaAs / A. I. Klimovskaya, N. N. Grigor'ev, E. G. Gule, Yu. A. Dryha, V. G. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 1. - С. 42-45. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського