Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Журнали та продовжувані видання (2) |
Пошуковий запит: (<.>A=Misiuk A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 10 Представлено документи з 1 до 10 |
|||
| 1. | Prudnikov A. Influence of oxygen dopant in silicon on pressure-induced phase transitions / A. Prudnikov, A. Misiuk, J. Hartwig, B. Efros, J. Bak-Misiuk // Физика и техника высоких давлений. - 2001. - 11, № 1. - С. 117-121. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 2. | Misiuk A. Pressure-induced transformations during annealing of silicon implanted with oxygen / A. Misiuk, B. M. Efros // Физика и техника высоких давлений. - 2006. - 16, № 4. - С. 49-63. - Библиогр.: 40 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 3. | Bak-Misiuk J. Effect of annealing on defect structure of GaMnAs and Si:Mn = Вплив відпалу на структуру дефектів GaMnAs і Si:Mn / J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Misiuk, A. Shalimov, J. Z. Domagala, E. Lusakowska, J. Sadowski, W. Caliebe, W. Szuszkiewicz, J. Trela // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 4. - С. 4-9. - Библиогр.: 15 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 4. | Misiuk A. Silicon based materials for application in spintronics = Матеріали, що базуються на кремнії, для застосування у спінтроніці / A. Misiuk, L. Chow, A. Barcz, J. Bak-Misiuk, W. Osinniy, M. Prujszczyk // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2007. - № 3. - С. 54-59. - Библиогр.: 16 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 5. | Bak-Misiuk J. Ferromagnetic nanoclusters in Si:Mn and GaMnAs annealed at high temperature - pressure = Феромагнітні нанокластери в Si:Mn i GaMnAs, відпалених при високих температурі і тиску / J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, J. Domagala, A. Misiuk, E. Dynowska, E. Lusakowska, A. Barcz, J. Sadowski, W. Caliebe // Физика и техника высоких давлений. - 2009. - 19, № 2. - С. 32-40. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 6. | Misiuk A. Pressure-induced structural transformations in Si:V and Si:V, Mn / A. Misiuk, A. Barcz, L. Chow, J. Bak-Misiuk, P. Romanowski, A. Shalimov, A. Wnuk, B. Surma, R. Vanfleet, M. Prujszczyk // Физика и техника высоких давлений. - 2008. - 18, № 4. - С. 105-111. - Библиогр.: 12 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 7. | Misiuk A. Defects in high temperature and high pressure processed Si:N revealed by deuterium plasma treatment = Дефекти в Si:N, обробленому при високих температурах і тисках, що виявляються внаслідок травлення в дейтерієвій плазмі / A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, M. Prujszczyk, J. Bak-Misiuk, P. Formanek // Физика и техника высоких давлений. - 2010. - 20, № 4. - С. 53-59. - Библиогр.: 4 назв. - англ. Розглянуто ефекти впливу обробки температурним відпалом (до 1400 К) і гідростатичним тиском (до 1,1 ГПa) на дефектний склад SOI-структур (silicon-on-insulator) на основі зразків Si:N - матеріалу, широко використовуваного в напівпровідникових технологіях. Одержано нові дані, що свідчать про утворення прихованих дефектовміщуючих шарів в зразках кремнію, імплантованого азотом, підданих обробці високими температурами та тиском. Такі структури стають центрами абсорбції дейтерію з плазми - його накопичення і розподіл усередині зразка залежать від мікроструктури матеріалу. Таким чином, показано, що обробка в дейтерієвій плазмі з подальшим визначенням концентраційних профілів по глибині зразка може бути корисною для оцінки мікроструктури Si:N-зразка, особливо зважаючи на потенційну застосовність в SOI-технологіях. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.32 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 8. | Wierzchowski W. Defect structure of Czochralski silicon co-implanted with helium and hydrogen and treated at high temperature-pressure / W. Wierzchowski, A. Misiuk, K. Wieteska, J. Bak-Misiuk, W. Jung, A. Shalimov, W. Graeff, M. Prujszczyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 2. - С. 7-11. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 9. | Misiuk A. Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon / A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, I. V. Antonova, M. Prujszczyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2. - С. 161-165. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 10. | Misiuk A. Silicon based materials for spintronics prepared by implantation and temperature - (pressure) treatment / A. Misiuk, Lee Chow // Functional Materials. - 2008. - 15, № 1. - С. 131-138. - Бібліогр.: 39 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського