Ключ. слова: information pits, optical disks, inorganic resist, selective etching
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.324

Рубрики:

Халькогеніди

Шифр НБУВ: Ж16550 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано модель статичних заряджених кластерів, що якісно правильно описує явища обертання поляризації, діелектричні властивості невпорядкованих сегнетоелектриків і допускає прості аналітичні результати. Головний результат роботи - модифіковане рівняння Ландау - Гінзбурга - Девоншира можна застосувати до опису діелектричного гістерезису в об'ємних сегнетоелектричних матеріалах з домішковою провідністю та флуктуаціями просторового заряду поблизу домішкових центрів.

In the paper we theoretically consider the dynamics of the inner field generated by recharging trap waves propagation and spatial-temporal features of the photoinduced light scattering caused by these phenomena in the ferroelectric photorefractive crystals with two donor levels under steady illumination by laser beam. The transverse instability of the interacting light beams plays an important role and both the photovoltaic current from each donor level and the diffusion mechanisms of carrier transfer are taken into account in the proposed theory. For the first time it has been shown that, under the definite relation between the photoionization velocities and anti-collinear Glass vectors of the donor levels, among all possible scenarios of transverse instabilities the boundary circle will be realized in the perfect crystal. Due to this phenomenon the periodical photoinduced light scattering appears in the system. The great attention has been paid to the generalization of the results in the form of master equation for the inner field dynamics and to the description of the optical autowaves generation in ilmenites. All the main theoretical results are in a good agreement with the available experimental data.

Розглянуто динаміку внутрішнього поля, що виникає внаслідок розповсюдження хвиль перезарядки пасток, та викликані цими явищами просторово-часові властивості фотоіндукованого розсіювання світла під час опромінювання фоторефрактивних сегнетоелектричних кристалів лазерним променем. Наведено теорію, де значну роль грає "поперечна" нестійкість у випадку взаємодії зустрічних світлових променів і враховуються фотогальванічний і дифузійний механізми переносу заряду. Вперше показано, що за рахунок поперечного фотогальванічного струму та крайових умов для внутрішнього поля, з усіх можливих сценаріїв динамічних нестійкостей у кристалі, що не містить дефектів, буде реалізовуватись граничний цикл. Завдяки цьому в такій системі може виникати періодичне, квазіперіодичне або аперіодичне фотоіндуковане розсіювання світла залежно від структури неоднорідностей вирощування зразка та характеру породжуваних ним фотоіндукованих флуктуацій. На прикладі ільменитів детально розглянуто зв'язок між типом флуктуацій і динамічною структурою розсіюваного світла. Особливу увагу приділено генерації оптичних автохвиль і виникненню динамічного гало розсіювання. Всі основні результати теорії добре узгоджуються з відповідними експериментальними даними.

Розглянуто питання про реєстрацію пітів на оригіналі компакт-диску для випадку, коли необхідна висота профілю у фоточутливому матеріалі досягається варіюванням його теплопровідності, фоточутливості, оптичного поглинання, а також інтенсивності реєструвального гаусового пучка, його радіуса та часу експонування. Виведено досить простий аналітичний вираз для залежності висоти профілю від експозиції. Показано, що цей профіль залежно від параметрів фоточутливого матеріалу може бути майже прямокутним, плоским із заокругленими краями, сферичним або параболічним. Запропонована модель адекватно описує висоту профілю пітів, що утворюються в тонкому шарі халькогенідних напівпровідників гаусовим лазерним пучком.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.412 + В379.371.7

Рубрики:

Сегнетоелектрики

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.7

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.79 + З861-531.46

Рубрики:

Оптичні хвилеводи

Оптоелектроніка

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.7 + З843.412

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Сегнетоелектрики

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.15 + В379.273

Рубрики:

Електронна мікроскопія

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273.4

Рубрики:

Феримагнетизм. Ферити

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.7 + В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The elastic Green function and resolution function in Piezoresponse Force Microscopy of thin piezoelectric film capped on the rigid substrate are derived. The extrinsic size effect on the resolution function is demonstrated.

Індекс рубрикатора НБУВ: В338.28

Рубрики:

Електронні і іонні мікроскопи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.371.7

Рубрики:

П'єзоелектричні і сегнетоелектричні явища. Фізика п'єзоелектриків і сегнетоелектриків (фероелектриків)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Побудовано модель для конкурентних механізмів гістерезису залежності опору графенового каналу на підкладці різної природи від напруги на затворі: прямого (зумовленого наявністю на поверхні й інтерфейсі адсорбатів із дипольним моментом) та оберненого (зумовленого захопленням носіїв з шару графену на локалізовані стани на інтерфейсі графен - підкладка). Обговорено можливість дискримінації цих каналів шляхом варіації швидкості зміни напруги на затворі. Відзначено добру відповідність передбачень теорії з наявними в літературі експериментальними даними.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.71

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.206

Рубрики:

Властивості наноматеріалів

Шифр НБУВ: Ж28502 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Сильний зв'язок між електрохімічними потенціалами, концентрацією електронів, іонів і деформацій, спричинених флексоефектом, є поширеною ознакою напівпровідників з іонно-електронною провідністю - матеріалів, які вибирають для пристроїв, починаючи від елементів опору та пам'яті і до іонних батарей і паливних елементів. Проаналізовано відповідні механізми, які регулюють зміни концентра та зміщення (розширення Вегарда, деформаційний потенціал і флексоефект). Цікаво, що внесок флексоелектричного зв'язку в локальне зміщення поверхні напівпровідників є складним і динамічним ефектом, який може призвести до різкої зміни механічного відгуку, залежно від значень флексоелектричних коефіцієнтів та інших зовнішніх умов. Числове моделювання показало, що вплив флексоелектричного ефекту на механічний відгук може змінюватися від простого, до появи додаткової деформації, що призводить до порівняно невеликої зміни форми петлі гістерезису і зміни орієнтації, та до появи складних скручених петель гістерезису.

Огляд присвячено останнім теоретичним дослідженням впливу доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графенового каналу. Розглянуто аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графена-на-сегнетоелектрику з урахуванням адсорбованих дипольних шарів на вільній поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Проаналізовано аспекти нещодавно розвинутої теорії провідності p-n-переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуто випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Обговорено вплив розмірних ефектів у таких системах і можливість використання результатів для вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки.