Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Red'ko S$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5

      
Категорія:    
1.

Red'ko R. 
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers / R. Red'ko, S. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3. - С. 75-76. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
2.

Konakova R. V. 
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III - V single crystals / R. V. Konakova, S. M. Red'ko, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1. - С. 75-79. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
3.

Konakova R. V. 
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films / R. V. Konakova, M. V. Sosnova, S. M. Red'ko, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 2. - С. 130-133. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.273

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
4.

Red'ko S. M. 
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs / S. M. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 3. - С. 272-274. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.275

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 



      
Категорія:    
5.

Red'ko S. M. 
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si / S. M. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1. - С. 71-73. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.

The long-term transformations of photoluminescence of GaN:Si treated with pulsed weak magnetic fields have been studied. The defect structure transformations have been inferred from the radiative recombination spectra within the range 350 - 650 nm at 300 K. A possible mechanism of observed modifications related with the magnetic field induced destruction of metastable complexes has been discussed.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.273

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського