Віртуальна довідка Тематичний інтернет-навігатор Наукова електронна бібліотека Автореферати дисертацій Реферативна база даних Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Red'ko S$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
|
| | | | |
1. |
Red'ko R. Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers / R. Red'ko, S. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 3. - С. 75-76. - Бібліогр.: 5 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Konakova R. V. Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III - V single crystals / R. V. Konakova, S. M. Red'ko, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1. - С. 75-79. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Konakova R. V. Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films / R. V. Konakova, M. V. Sosnova, S. M. Red'ko, V. V. Milenin, R. A. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 2. - С. 130-133. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.273
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Red'ko S. M. Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs / S. M. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 3. - С. 272-274. - Бібліогр.: 4 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.275
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Red'ko S. M. Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si / S. M. Red'ko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 1. - С. 71-73. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.The long-term transformations of photoluminescence of GaN:Si treated with pulsed weak magnetic fields have been studied. The defect structure transformations have been inferred from the radiative recombination spectra within the range 350 - 650 nm at 300 K. A possible mechanism of observed modifications related with the magnetic field induced destruction of metastable complexes has been discussed. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.273
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|