Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Shekhovtsov L$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
      
Категорія:    
1.

Shekhovtsov L. V. 
On a doped transition layer in the space charge region of Schottky contact / L. V. Shekhovtsov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 4. - С. 403-405. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5

Рубрики:
 Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Shekhovtsov L. V. 
Some features of transverse photovoltage in semiconductor heterostructure and Schottky contact / L. V. Shekhovtsov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 253-259. - Бібліогр.: 21 назв. - англ.

Досліджено поперечну фотоерс, що генерується в напівпровідникових структурах під час їх освітлення модульованим випромінюванням. Визначено, що складна форма спектральних характеристик ерс, виміряних у зразках гетероструктури Ge-GaAs і контакта Шоткі NbN-GaAs, зумовлена взаємодією фотострумів, що протікають в об'ємі та поблизу межі поділу структур. Додаткове немодульоване підсвічування досліджуваних зразків, проведене під час вимірювання спектральних характеристик фотоерс, змінює характер взаємодії фотострумів, що відбивається на формі цих характеристик. Аналіз спектральних особливостей EPC дозволяє запропонувати моделі взаємодії фотострумів біля меж поділу складних напівпровідникових структур та одержувати дані про їх однорідність.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:
 Фотоелектричні явища 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського