За допомогою пакета SimWindows числово розраховано фотоструми для тонких структур метал - кремній з квантовими ямами (КЯ) в області просторового заряду залежно від геометричних розмірів і кількості КЯ та ступеня легування. Проаналізовано можливість створення фоточутливих структур на основі шарів поруватого кремнію з різним ступенем поруватості.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.5

Рубрики:

Перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.2-24 + В345.3

Рубрики:

Силіцій (кремній)

Фотолюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив магнітного поля (МП) на фотострум гетероструктур із тонкими шарами поруватого кремнію (ПК). Зменшення фотоструму у разі зміщення носіїв МП до освітлюваної поверхні ПК пов'язується із рекомбінацією на межі поділу поруватий кремній - монокристалічна підкладка. Показано, що такі гетероструктури можна використовувати для створення датчиків МП.

Теоретично проаналізовано та експериментально досліджено вплив адсорбції парів води та спирту на вольт-амперні характеристики структур метал - поруватий кремній (ПК) - кремній. Із аналізу дифузійно-дрейфових рівнянь одержано вирази, які показують, як величина струму залежить від зміни діелектричної сталої та вбудованого заряду в ПК. Максимальний струм досягнуто для 40 %-вої концентрації суміші спирту у воді, що пояснено конкуренцією між інжекцією електронів у ПК у випадку недисоціативної адсорбції молекул води та пасивуючими властивостями адсорбованого шару молекул спирту. Запропоновано модель рекомбінації, що пояснює немонотонний характер зміни струму в процесі адсорбції суміші води зі спиртом.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The influence of constant magnetic field on thermostimutated current, photoconductivity, and magnetic susceptibility of ZnSe-GaAs solid solutions were studied. It was shown that exposition in constant magnetic field results in the concentration decrease of electrically active deep traps. It leads to the change of mechanical and magnetic properties of ZnSe-GaAs solid solutions. Proposed was the healing mechanism based on inhomogeneous distribution of the magnetic susceptibility in crystal bulk and, therefore, the appearance of randomly distributed external magnetic fields. Interaction between magnetic moments results in appearance of "driving forces" promoting defect migration and their annihilation.

Resistivity and complex impedance voltage dependences for thick mesoporous silicon free layers were studied in this work. The asymmetrical by the sign of applied voltage experimental curves at low frequencies have been obtained. Modification of electrophysical properties due to introduction of palladium particles into the porous matrix is observed. Impedance change regularities during oxidation of the samples have been measured. The explanation of experimental results by asymmetrical distribution of charge carrier traps in the bulk of porous silicon has been suggested. Energy band diagrams and charge transfer mechanisms of these heterostructures are discussed.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.34 в641.0 + З86-531

Рубрики:

Оптичні властивості діелектриків

Квантова електроніка (радіофізика, радіотехніка)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В377.15 + Л428.7

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Електричні явища при контакті твердих тіл

Напівпровідникова і магнітна кераміка (магнетокераміка). Оксидна кераміка (кераміка чистих окислів)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К391.91-18

Рубрики:

Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*734.2-641 + Е60*738.821-641

Рубрики:

Загальна зоологія

Шифр НБУВ: Ж14252 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Е60*738.821-641 + Е60*734.23-641

Рубрики:

Загальна зоологія

Шифр НБУВ: Ж100193 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна створити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки надає змогу досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в забороненій зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено за допомогою методу числового моделювання, який надає змогу одержати світлові вольтамперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично можливо одержати підвищення ефективності на 1 - 2 % за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10 - 12 % (внаслідок обмеження інжекції в p-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) має бути розташованим поблизу базової області.

Graphene oxide films were formed using the ultrasonic spray coating method and studied with micro-Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and electrical dynamic response of resistance measurements. Effect of different gases (water vapor, ethanol, acetone, ammonia, and isopropyl) on the dynamic response of resistance of the Au/graphene oxide/Au structure has been studied. The dynamic response shows that adsorption of all mentioned gases results in increase of the resistance. For ethanol, acetone and isopropyl adsorption and desorption cycles are almost identical. At the same time, in the case of water vapor and ammonia the cycle of desorption is very week, especially for the former, which attests different mechanisms of adsorption/desorption processes regarding to ethanol, acetone and isopropyl. The mechanisms of studied vapors adsorption/desorption are proposed.

Розглянуто можливість виявлення солей соляної кислоти за допомогою кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення. Запропоновані структури реалізують принцип перетворення, що відрізняється від принципу, який застосовано у відомих структурах типу LAPS (потенціометричний сенсор із світловою адресацією). Основою таких пристроїв є "глибока" кремнієва бар'єрна структура. У запропонованій схемі сигналом датчика є фотострум через бар'єрну структуру, індукований світлом із області сильного поглинання кремнію. Це надає змогу одержувати максимальні зміни фотоструму внаслідок зміни швидкості рекомбінації на робочій поверхні. Зазначено, що запропонована структура надає змогу більш просту технічну реалізацію, ніж структури LAPS. Експериментально досліджено декілька аналітів (хлоридів), які містять метали з різною відносною електронегативністю (Fe, Zn та Al). Експериментально показано, що залежність фотоструму від напруги поляризації (напруга, яка змінює приповерхневий вигин зон) є інформативною для виявлення таких аналітів. В межах моделі Стівенсона - Кейса одержані результати можна пояснити якісно. Основною причиною, яка надає змогу виявлити такі аналіти, є вплив локального електростатичного поля адсорбованих іонів на параметри рекомбінації поверхні кремнію.

Наведено результати структурних і фотолюмінесцентних (ФЛ) досліджень пористих шарів GaAs, що створюються шляхом електрохімічного травлення пластин GaAs. Структурні та морфологічні властивості пористого GaAs проаналізовано за методом СЕМ та за допомогою Оже-спектроскопії. При аналізі СEM зображень було показано наявність пористого шару глибиною близько 21 мкм, що складався з нерівномірно розподілених по поверхні мезо- та макропор і нанокристалітів. На деяких структурах було виявлено пірамідальні утворення висотою ~ 30 мкм. Виміри Оже-спектрів показали різну стехіометрію GaAs на пористих і кристалічних частинах зразків. Фотолюмінесценція утвореного матеріалу характеризувалася смугою випромінювання в області 1,5 - 3,2 еВ, причому спостерігалась залежність спектра ФЛ від довжини хвилі збуджуючого світла. Зі збільшенням довжини хвилі збуджуючого світла максимуми спектрів випромінювання зміщуються в область менших енергій. Така поведінка спектра ФЛ (зсув максимуму ФЛ залежно від довжини хвилі збуджуючого випромінювання) характерна для гетерогенних по товщині електрохімічно травлених пористих структур. Обговорено природу багатосмугового спектра ФЛ пористого GaAs за рахунок існування гідратованих оксидів арсену та галію на поверхні зразків та утворення нанокристалітів у пористих шарах GaAs. В роботі представлено оцінку можливих розмірів нанокристалітів у припущенні, що ФЛ створюється за рахунок квантово-розмірних ефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ