Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Talanin V$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 9 Представлено документи з 1 до 9 |
|||
| 1. | Talanin V. I. Microdefects formation in dislocation-free float-zone and Czochralski silicon single crystals = Утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених методами безтигельної зонної плавки і Чохральського / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 1. - С. 41-46. - Библиогр.: 55 назв. - англ. На підставі комплексних досліджень монокристалів безтигельного кремнію підтверджено механізм утворення мікродефектів. Установлено, що утворення мікродефектів відбувається за двома механізмами: вакансійним та міжвузловинним. Порівняльний аналіз даних для кремнію, вирощеного за допомогою методів Чохральського та безтигельного кремнію дозволяє припустити ідентичність процесу дефектоутворення в обох типах кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 2. | Talanin V. I. On the formation of vacancy microdefects in dislocation-free silicon single crystals = Про утворення вакансійних мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Укр. фіз. журн. - 2006. - 51, № 11-12. - С. 1108-1112. - Библиогр.: 8 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 3. | Talanin V. I. Simulation of the formation of primary grown-in microdefects in dislocation-free silicon single crystals = Моделювання утворення первинних ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 2. - С. 180-186. - Библиогр.: 9 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 4. | Talanin V. I. Classification of microdefects in semiconducting silicon / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 431-436. - Бібліогр.: 40 назв. - англ. Класифікацію вбудованих мікродефектів складено на основі експериментального аналізу (переважаюче травлення, просвічуюча електронна мікроскопія) монокристалів кремнію, вільних від дислокації та вирощених за допомогою методу плаваючої зони або за методом Чохральського. Запропонована класифікація базується на механізмі росту мікродефектів за рахунок гетерогенного формування, що було з'ясовано раніше. Запропонована класифікація є дійсною для кристалів як великих, так і малих розмірів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 5. | Talanin V. I. Nucleation, growth and transformation of microdefects in FZ - Si / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 16-21. - Бібліогр.: 50 назв. - англ. Розглянуто фізичну модель утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах безтигельного кремнію. Експериментальні результати та теоретичні розрахунки показують, що рекомбінації вакансій і власних міжвузольних атомів кремнію за умов високих температур перешкоджає ентропійний бар'єр. У зв'язку з цим процес утворення мікродефектів відбувається одночасно за двома незалежними механізмами: вакансійними та міжвузольним. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 6. | Talanin V. I. Modelling vacancy microvoid formation in dislocation-free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin, S. A. Koryagin, M. Yu. Semikina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 4. - С. 77-81. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.
| ||
| 7. | Talanin V. I. Microdefects in semiconducting silicon / V. I. Talanin, I. E. Talanin, D. I. Levinzon // Functional Materials. - 2003. - 10, № 2. - С. 299-305. - Бібліогр.: 19 назв. - англ. Розглянуто питання щодо утворення ростових мікродефектів у напівпровідниковому кремнії. За допомогою просвічувальної електронної мікроскопії показано, що у разі високих швидкостей вирощування в кремнії за допомогою методів безтигельної зонної плавки та Чохральського, співіснують міжвузловинні та вакансійні мікродефекти. Запропоновано механізм утворення, росту та трансформації мікродефектів у напівпровідниковому кремнії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 8. | Talanin V. I. Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Functional Materials. - 2006. - 13, № 1. - С. 69-73. - Бібліогр.: 25 назв. - англ. Розглянуто рекомбінаційні параметри моделі динаміки точкових дефектів (ТД) (рекомбінаційний бар'єр, рекомбінаційний час, рекомбінаційний фактор) для високих і низьких температур, зважаючи на гетерогенний механізм утворення та трансформації ростових мікродефектів. За рахунок охолодження розпад пересиченого твердого розчину ТД у кремнії відбувається за двома маханізмами: вакансійним і міжвузловинним. Тому вакансії та власні міжвузловинні атоми кремнію знаходять стоки у вигляді атомів фонових домішок, таких як кисень і вуглець. Утворення пар власний точковий дефект - домішка є домінуючим процесом за температур, близьких до точки плавлення кремнію. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
| 9. | Talanin V. I. The aggregation of point defects in dislocation-free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin, A. V. Sirota // Functional Materials. - 2007. - 14, № 1. - С. 48-52. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського