![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Tawseef A. Bhat$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| | | | |
1. |
Tawseef A. Bhat Study of short channel effects in n-FinFET structure for Si, GaAs, GaSb and GaN channel materials / Tawseef A. Bhat, M. Mustafa, M. R. Beigh // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 3. - С. 03010-1-03010-5. - Бібліогр.: 23 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|