Структуру тонких шарів CdTe і HgCdTe, одержаних за допомогою методу імпульсного лазерного осадження, досліджено з використанням електронної дифракції на проходження. Дифракційні картини мають аксіальну симетрію 12-го порядку, що свідчить про подвійну дифракцію на двійниках. Спостережувані кільця Дебая порівняно з передбаченими у відповідності з теорією для (111) двійників у текстурованих зразках.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24 + Ж364.2

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Оптичні властивості напівпровідників

Наноматеріали

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + К204.011

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Металографічні методи дослідження станів і структури металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментального дослідження спектрів поглинання та фотолюмінесценції наночастинок ZnCoO, одержаних за методом імпульсної лазерної абляції твердотільних мішеней у рідкому середовищі. Структурні дослідження проводились з використанням рентгенівської дифракції та сканувальної електронної мікроскопії (СЕМ). Одержані дані свідчать про ріст нанокристалів в гексагональній вюрцитній структурі з переважною орієнтацією (002) без утворення вторинних фаз. Результати СЕМ демонструють одержання складних, квіткоподібних утворень наночастинок ZnCoO. В спектрах поглинання колоїдних наночастинок виявлено короткохвильовий зсув краю фундаментального поглинання, зумовлений квантово-розмірним ефектом. Зростання концентрації кобальту призводить до довгохвильового зсуву краю фундаментального поглинання, що зумовлено проявом s, p - d обмінної взаємодії зонних носіїв із локалізованими спінами магнітної компоненти. В спектрах фотолюмінесценції, виміряних за кімнатної температури, спостерігаються чотири смуги випромінювання, зумовлені екситонними переходами на краю фундаментального поглинання та наявними домішками і дефектами.

Zinc oxide has numerous commercial device applications. Polycrystalline ZnO varistors, for example, are widely used in high voltage and power-related applications in industries such as microelectronics. One of the ways to control the properties of ZnO is its annealing in various environments, including oxygen, which leads to increased hardness and fracture toughness of ceramics. Therefore, the study of micromechanical properties of materials for modern electronics is an important and vital issue, both in terms of technology for improving quality of the final product and from the point of view of prospect of its practical use. The structural properties of the ceramic samples of ZnO have been studied. The average grain size has been defined. The micromechanical properties have been studied. The temperature conditions of increasing microhardness of ZnO have been defined after annealing in an oxygen atmosphere.