Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Vuichyk M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
      
Категорія:    
1.

Odarych V. A. 
Determination of parameters of cadmium telluride films on silicon by the methods of main angle and multiangular ellipsometry / V. A. Odarych, A. Z. Sarsembaeva, F. F. Sizov, M. V. Vuichyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 1. - С. 55-62. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.

The multiangular ellipsometric measurements were performed at two wavelengths 435 and 579 nm on the system that contains cadmium telluride film deposited onto the monocrystalline silicon substrate. The refractive index and the film thickness as well as their distribution over the sample area were determined. It has been shown that the refractive index of the film (2,15 - 2,35) is less than the refractive index of the monocrystalline cadmium telluride (~3) that can testify the porous structure of the film or about roughness of the film surface. Obtained dependences of values of the film optical parameters from the angle of incidence testify weak heterogeneity of film properties along its depth. It was detected that there are the false decisions of the ellipsometric equation for each angle of incidence.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Odarych V. A. 
Investigation of cadmium telluride films on silicon substrate / V. A. Odarych, A. Z. Sarsembaeva, F. F. Sizov, M. V. Vuichyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 55-59. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

Properties of cadmium telluride films on silicon substrate, distribution of thickness and refraction index over the sample area were investigated by the ellipsometric method. It was ascertained that the refraction index of cadmium telluride films on a silicon substrate was considerably less than that of monocrystalline CdTe and depends on the film thickness, increasing with the thickness growth.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:
 Структура напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
3.

Vuichyk M. V. 
Morphologic and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD / M. V. Vuichyk, Z. F. Tsybrii, S. R. Lavoryk, K. V. Svezhentsova, I. S. Virt, A. Chizhov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1. - С. 80-84. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24 + Ж364.2

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 
 Оптичні властивості напівпровідників 
 Наноматеріали 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Gentsar P. O. 
Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition $E bold E sub 0 of heavily doped IBnD-GaAs (100) / P. O. Gentsar, O. I. Vlasenko, M. V. Vuichyk, O. V. Stronski // Functional Materials. - 2009. - 16, № 1. - С. 23-28. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:
 Оптичні властивості напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
5.

Zayats M. S. 
Optical properties of AlN/IBnD-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering / M. S. Zayats, V. G. Boiko, P. O. Gentsar, M. V. Vuichyk, O. S. Lytvyn, A. V. Stronski // Functional Materials. - 2010. - 17, № 2. - С. 209-212. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: К663.033-18

Рубрики:
 Металізація металів розпилюванням (шоопірування) 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Sizov F. 
HgCdTe photodiodes for infrared mid-wavelength region = Фотодиоды HgCdTe средневолнового ИК диапазона спектра / F. Sizov, Z. Tsybrii, M. Vuichyk, K. Andreyeva, M. Apatska, S. Bunchuk, N. Dmytruk, M. Smolii // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2016. - 13, № 1. - С. 49-55. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:
 Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи) 

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Golenkov A. G. 
THz linear array scanner in application to the real-time imaging and convolutional neural network recognition = Терагерцовий сканер на основі лінійчатих приймачів випромінювання у застосуванні до систем зору, що працюють в реальному часі, та до розпізнавання за допомогою згорткової нейронної мережі / A. G. Golenkov, A. V. Shevchik-Shekera, M. Yu. Kovbasa, I. O. Lysiuk, M. V. Vuichyk, S. V. Korinets, S. G. Bunchuk, S. E. Dukhnin, V. P. Reva, F. F. Sizov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 1. - С. 90-99. - Бібліогр.: 38 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В341

Рубрики:
 Експериментальні методи та апаратура оптики 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського